Effect of the desorption process on photoluminescence excitation spectra of porous silicon

Photoluminescence (PL), photoluminescence excitation (PLE) and FTIR methods were used to study the PL excitation mechanism in porous silicon (PS). Two types of PLE spectra were observed, consisting of two (visible and ultraviolet) and one (only ultraviolet) bands. The intensities of each PLE band depend differently on the anodization conditions during aging and thermal treatment. Two excitation channels were shown to exist in PS. The visible PLE band at 300 K was attributed to light absorption of some species on the surface of Si wires.Досліджено механізм збудження фотолюмінесценції пористого кремміго методами фотолюмінесценції та інфрачервоного поглинання. Показано, що існує два типі спектрів збудження, які містять або дві смуги (видиму та ультрафіолетову), або тільки одну (ультрафіолетову) смугу. Вивчено залежності інтенсивностей кожної смуги від режимів електрохімічного травлення, а також їх поведінка у процесі старіння та термічного оброблення пористих шарів. Показано, що існують два канали збудження фотолюмінесценції. Видима смуга у спектрі збудження при 300 К пов.язується з поглинанням світла у речовинах, які адсорбовані на поверхні кремнієвих ниток.Исследован механизм возбуждении фотолюминесценции пористого кремнии методами фотолюминесценции и инфракрасного поглощения. Показано, что существуют два типа спектров возбуждения, которые содержат либо две полосы (видимую и ультрафиолетовую), либо только одну (ультрафиолетовую) полосу. Изучены зависимости ингенсивностей каждой полосы возбуждения от режимов электрохимического травления, а также их поведение в процессе старения и термических обработок пористых слоев. Показано, что существуют два канала возбуждения фотолюминесценции. Видимая полоса в спектре возбуждения при 300 К связывается с поглощением света веществами, адсорбированными на поверхности кремниевых нитей

About the nature of diffusion anisotropy in CdS crystals

Electrodiffusion of copper into nominally undoped high-resistivity CdS crystals at 250-400°C has been investigated. A strong diffusion anisotropy has been observed, copper diffusion in perpendicular to the c-axis direction being more than one order faster as compared with its diffusion in parallel to the c-axis direction. The effect has been shown to be not due to greater density of perpendicular to the c-axis dislocations than that of parallel to the c-axis ones, as it was thought earlier. Electrically active dislocations lying in the basal plane are supposed to be channels of fast diffusion owing to their intensive decoration with intrinsic defects and residual impurities

Role of Ionic Processes in Degradation of Wide-Gap II-VI Semiconductor Materials

A role of mobile defects in processes responsible for II-VI compound semiconductor characteristic instability is under consideration. These defects have been shown to be responsible for electron-enhanced reactions in these materials, in particular, shallow donor creation in CdS crystals. Accumulation of mobile defects near dislocations results in some specific effects: anisotropy of conductivity induced by electric field and distortion of edge emission spectrum shape. These effects side by side with electron-enhanced defect reactions have been found to influence considerably semiconductor device characteristics