Étude d'un résonateur piézoélectrique à ondes acoustiques de volume en technologie film mince

Le résonateur étudié s'insère dans un projet industriel porté par NXP Semiconductors. L'objectif est la réalisation d'un résonateur MEMS RF intégrable en vue de remplacer le quartz dans certaines applications. La compatibilité du procédé de fabrication avec les technologies utilisées par la société et le faible coût de production représentent les principaux enjeux du projet. Le résonateur TFEAR (Thin Film Elongation Acoustic Resonator) est un barreau, constitué d'une superposition de couches minces de type Métal/AlN/Métal. Les propriétés piézoélectriques du nitrure d'aluminium (AlN) sont ainsi exploitées : l'application d'un champ électrique alternatif, parallèle à l'épaisseur du barreau, entraîne une propagation d'ondes acoustiques suivant sa longueur. Les dimensions des résonateurs fabriqués correspondent à des fréquences de résonance comprises entre 10MHz et 50MHz. Cette thèse s'intéresse la modélisation et à la caractérisation électrique du résonateur TFEAR. Les modèles théoriques sont développés par simulations numériques 3D et par calculs analytiques 1D. Le comportement électrique du TFEAR est décrit par un schéma équivalent, dont les éléments sont exprimés en fonction des paramètres physiques et des pertes des matériaux le constituant. Un facteur de qualité de 2250 sur un TFEAR résonant à 25,79MHz et dont la résistance motionnelle est de 2,1 kOhms a été relevé. Ces mesures ont été complétées par la caractérisation des paramètres physiques de la couche piézoélectrique. Par exemple, des valeurs de coefficient piézoélectrique d33f atteignant 2,6 pm/V ont été relevées (pour un maximum théorique de 3,93 pm/V)The studied resonator is part of an industrial project carried by NXP Semiconductors. The objective is the realization of a integrable RF MEMS resonator in order to replace quartz in some applications. The compatibility of the manufacturing process with the technologies used by the company and low cost production represent the main challenges of the project. The resonator TFEAR (Thin Film Elongation Acoustic Resonator) is a bar, consisting of a superposition of thin film type Metal/AlN/metal. The piezoelectric properties of aluminum nitride (AlN) are exploited : the application of an alternating electric field, parallel to the thickness of the bar, resulting in propagation of acoustic waves along its length. The sizes of the manufactured resonators correspond to resonant frequencies between 10MHz to 50 MHz. This thesis focuses on modeling and electrical characterization of the TFEAR resonator. The models are developed by 3D numerical simulations and by 1D analytical calculations. The electrical behavior of TFEAR is described by an equivalent circuit which elements are expressed in terms of physical parameters and losses of the constituent materials. A quality factor of 2250 on a 25.79MHz resonant TFEAR which motional resistance is 2.1 kOhms has been noticed. These measurements were completed by the characterization of the physical parameters of the piezoelectric layer. For example, piezoelectric coefficient d33;f values were recorded up to 2.6 pm/V (for a theoretical maximum of 3.93pm/V)PARIS-EST-Université (770839901) / SudocSudocFranceF

EZH2 alterations in follicular lymphoma: biological and clinical correlations

International audienceThe histone methyltransferase EZH2 has an essential role in the development of follicular lymphoma (FL). Recurrent gain-of-function mutations in EZH2 have been described in 25% of FL patients and induce aberrant methylation of histone H3 lysine 27 (H3K27). We evaluated the role of EZH2 genomic gains in FL biology. Using RNA sequencing, Sanger sequencing and SNP-arrays, the mutation status, copy-number and gene-expression profiles of EZH2 were assessed in a cohort of 159 FL patients from the PRIMA trial. Immunohistochemical (IHC) EZH2 expression (n = 55) and H3K27 methylation (n = 63) profiles were also evaluated. In total, 37% of patients (59/159) harbored an alteration in the EZH2 gene (mutation n = 46, gain n = 23). Both types of alterations were associated with highly similar transcriptional changes, with increased proliferation programs. An H3K27me3/me2 IHC score fully distinguished mutated from wild-type samples, showing its applicability as surrogate for EZH2 mutation analysis. However, this score did not predict the presence of gains at the EZH2 locus. The presence of an EZH2 genetic alteration was an independent factor associated with a longer progression-free survival (hazard ratio 0.58, 95% confidence interval 0.36–0.93, P = 0.025). We propose that the copy-number status of EZH2 should also be considered when evaluating patient stratification and selecting patients for EZH2 inhibitor-targeted therapies

"Un associé peut-il exercer son pouvoir individuel d'investigation et de contrôle sur des comptes annuels qu'il a approuvés antérieurement?", note sous Comm. Liège, division Verviers (2e ch.), 20 février 2018,

1. Un associé ne peut exercer son pouvoir individuel d’investigation et de contrôle sur les comptes annuels qu’il a approuvés en sa qualité d’associé. 2. Les comptes annuels arrêtés, voire approuvés, par le gérant, par ailleurs associé de la société, lui sont en principe opposables. La passivité ou l’aveu d’in- compétence n’est pas une circonstance atténuante mais peut au contraire même constituer une faute grave et caractérisée au sens de l’article 530 C.soc. Le membre d’un organe de gestion a aussi un devoir de connaissance et de bonne gestion. Il doit requérir l’information qui ne lui est pas correctement fournie ou si elle est insuffisante. 3. Le Code des sociétés prévoit l’obligation, pour la société, ses organes et ses préposés et agents, de répondre aux questions posées par l’associé. Par conséquent, les honoraires de l’expert-comptable externe de la société, appelé à répondre aux questions de l’associé et de son conseiller technique, doivent être pris en charge par la société

Study of a piezoelectric bulk acoustic wave resonator in thin film technology

Le résonateur étudié s'insère dans un projet industriel porté par NXP Semiconductors. L'objectif est la réalisation d'un résonateur MEMS RF intégrable en vue de remplacer le quartz dans certaines applications. La compatibilité du procédé de fabrication avec les technologies utilisées par la société et le faible coût de production représentent les principaux enjeux du projet. Le résonateur TFEAR (Thin Film Elongation Acoustic Resonator) est un barreau, constitué d'une superposition de couches minces de type Métal/AlN/Métal. Les propriétés piézoélectriques du nitrure d'aluminium (AlN) sont ainsi exploitées : l'application d'un champ électrique alternatif, parallèle à l'épaisseur du barreau, entraîne une propagation d'ondes acoustiques suivant sa longueur. Les dimensions des résonateurs fabriqués correspondent à des fréquences de résonance comprises entre 10MHz et 50MHz. Cette thèse s'intéresse la modélisation et à la caractérisation électrique du résonateur TFEAR. Les modèles théoriques sont développés par simulations numériques 3D et par calculs analytiques 1D. Le comportement électrique du TFEAR est décrit par un schéma équivalent, dont les éléments sont exprimés en fonction des paramètres physiques et des pertes des matériaux le constituant. Un facteur de qualité de 2250 sur un TFEAR résonant à 25,79MHz et dont la résistance motionnelle est de 2,1 kOhms a été relevé. Ces mesures ont été complétées par la caractérisation des paramètres physiques de la couche piézoélectrique. Par exemple, des valeurs de coefficient piézoélectrique d33f atteignant 2,6 pm/V ont été relevées (pour un maximum théorique de 3,93 pm/V)The studied resonator is part of an industrial project carried by NXP Semiconductors. The objective is the realization of a integrable RF MEMS resonator in order to replace quartz in some applications. The compatibility of the manufacturing process with the technologies used by the company and low cost production represent the main challenges of the project. The resonator TFEAR (Thin Film Elongation Acoustic Resonator) is a bar, consisting of a superposition of thin film type Metal/AlN/metal. The piezoelectric properties of aluminum nitride (AlN) are exploited : the application of an alternating electric field, parallel to the thickness of the bar, resulting in propagation of acoustic waves along its length. The sizes of the manufactured resonators correspond to resonant frequencies between 10MHz to 50 MHz. This thesis focuses on modeling and electrical characterization of the TFEAR resonator. The models are developed by 3D numerical simulations and by 1D analytical calculations. The electrical behavior of TFEAR is described by an equivalent circuit which elements are expressed in terms of physical parameters and losses of the constituent materials. A quality factor of 2250 on a 25.79MHz resonant TFEAR which motional resistance is 2.1 kOhms has been noticed. These measurements were completed by the characterization of the physical parameters of the piezoelectric layer. For example, piezoelectric coefficient d33;f values were recorded up to 2.6 pm/V (for a theoretical maximum of 3.93pm/V

Étude d’un résonateur piézoélectrique à ondes acoustiques de volume en technologie film mince

The studied resonator is part of an industrial project carried by NXP Semiconductors. The objective is the realization of a integrable RF MEMS resonator in order to replace quartz in some applications. The compatibility of the manufacturing process with the technologies used by the company and low cost production represent the main challenges of the project. The resonator TFEAR (Thin Film Elongation Acoustic Resonator) is a bar, consisting of a superposition of thin film type Metal/AlN/metal. The piezoelectric properties of aluminum nitride (AlN) are exploited : the application of an alternating electric field, parallel to the thickness of the bar, resulting in propagation of acoustic waves along its length. The sizes of the manufactured resonators correspond to resonant frequencies between 10MHz to 50 MHz. This thesis focuses on modeling and electrical characterization of the TFEAR resonator. The models are developed by 3D numerical simulations and by 1D analytical calculations. The electrical behavior of TFEAR is described by an equivalent circuit which elements are expressed in terms of physical parameters and losses of the constituent materials. A quality factor of 2250 on a 25.79MHz resonant TFEAR which motional resistance is 2.1 kOhms has been noticed. These measurements were completed by the characterization of the physical parameters of the piezoelectric layer. For example, piezoelectric coefficient d33;f values were recorded up to 2.6 pm/V (for a theoretical maximum of 3.93pm/V)Le résonateur étudié s'insère dans un projet industriel porté par NXP Semiconductors. L'objectif est la réalisation d'un résonateur MEMS RF intégrable en vue de remplacer le quartz dans certaines applications. La compatibilité du procédé de fabrication avec les technologies utilisées par la société et le faible coût de production représentent les principaux enjeux du projet. Le résonateur TFEAR (Thin Film Elongation Acoustic Resonator) est un barreau, constitué d'une superposition de couches minces de type Métal/AlN/Métal. Les propriétés piézoélectriques du nitrure d'aluminium (AlN) sont ainsi exploitées : l'application d'un champ électrique alternatif, parallèle à l'épaisseur du barreau, entraîne une propagation d'ondes acoustiques suivant sa longueur. Les dimensions des résonateurs fabriqués correspondent à des fréquences de résonance comprises entre 10MHz et 50MHz. Cette thèse s'intéresse la modélisation et à la caractérisation électrique du résonateur TFEAR. Les modèles théoriques sont développés par simulations numériques 3D et par calculs analytiques 1D. Le comportement électrique du TFEAR est décrit par un schéma équivalent, dont les éléments sont exprimés en fonction des paramètres physiques et des pertes des matériaux le constituant. Un facteur de qualité de 2250 sur un TFEAR résonant à 25,79MHz et dont la résistance motionnelle est de 2,1 kOhms a été relevé. Ces mesures ont été complétées par la caractérisation des paramètres physiques de la couche piézoélectrique. Par exemple, des valeurs de coefficient piézoélectrique d33f atteignant 2,6 pm/V ont été relevées (pour un maximum théorique de 3,93 pm/V

Étude d’un résonateur piézoélectrique à ondes acoustiques de volume en technologie film mince

The studied resonator is part of an industrial project carried by NXP Semiconductors. The objective is the realization of a integrable RF MEMS resonator in order to replace quartz in some applications. The compatibility of the manufacturing process with the technologies used by the company and low cost production represent the main challenges of the project. The resonator TFEAR (Thin Film Elongation Acoustic Resonator) is a bar, consisting of a superposition of thin film type Metal/AlN/metal. The piezoelectric properties of aluminum nitride (AlN) are exploited : the application of an alternating electric field, parallel to the thickness of the bar, resulting in propagation of acoustic waves along its length. The sizes of the manufactured resonators correspond to resonant frequencies between 10MHz to 50 MHz. This thesis focuses on modeling and electrical characterization of the TFEAR resonator. The models are developed by 3D numerical simulations and by 1D analytical calculations. The electrical behavior of TFEAR is described by an equivalent circuit which elements are expressed in terms of physical parameters and losses of the constituent materials. A quality factor of 2250 on a 25.79MHz resonant TFEAR which motional resistance is 2.1 kOhms has been noticed. These measurements were completed by the characterization of the physical parameters of the piezoelectric layer. For example, piezoelectric coefficient d33;f values were recorded up to 2.6 pm/V (for a theoretical maximum of 3.93pm/V)Le résonateur étudié s'insère dans un projet industriel porté par NXP Semiconductors. L'objectif est la réalisation d'un résonateur MEMS RF intégrable en vue de remplacer le quartz dans certaines applications. La compatibilité du procédé de fabrication avec les technologies utilisées par la société et le faible coût de production représentent les principaux enjeux du projet. Le résonateur TFEAR (Thin Film Elongation Acoustic Resonator) est un barreau, constitué d'une superposition de couches minces de type Métal/AlN/Métal. Les propriétés piézoélectriques du nitrure d'aluminium (AlN) sont ainsi exploitées : l'application d'un champ électrique alternatif, parallèle à l'épaisseur du barreau, entraîne une propagation d'ondes acoustiques suivant sa longueur. Les dimensions des résonateurs fabriqués correspondent à des fréquences de résonance comprises entre 10MHz et 50MHz. Cette thèse s'intéresse la modélisation et à la caractérisation électrique du résonateur TFEAR. Les modèles théoriques sont développés par simulations numériques 3D et par calculs analytiques 1D. Le comportement électrique du TFEAR est décrit par un schéma équivalent, dont les éléments sont exprimés en fonction des paramètres physiques et des pertes des matériaux le constituant. Un facteur de qualité de 2250 sur un TFEAR résonant à 25,79MHz et dont la résistance motionnelle est de 2,1 kOhms a été relevé. Ces mesures ont été complétées par la caractérisation des paramètres physiques de la couche piézoélectrique. Par exemple, des valeurs de coefficient piézoélectrique d33f atteignant 2,6 pm/V ont été relevées (pour un maximum théorique de 3,93 pm/V

"La dissolution judiciaire pour justes motifs. Lorsque la continuité de l'entreprise est sérieusement compromise", note sous T.E. Hainaut, 11 octobre 2019, A/19/001262

En vertu de l'article 2:73 du Code des sociétés et des associations (« CSA »), le président du tribunal de l'entreprise, siégeant comme en référé, peut connaître des actions en dissolution pour justes motifs. En principe, l'exclusion ou le retrait sont préférés à la dissolution judiciaire pour justes motifs en vue de préserver la continuité de l'entreprise. Néanmoins, la dissolution judiciaire sera privilégiée lorsque la continuité de l'entreprise est en tout état de cause sérieusement compromise. Tel était le cas en l'espèce au vu de (i) la mésintelligence grave et irrémédiable entre les associés, (ii) l'absence d'affectio societatis dans leur chef, eu égard à leurs demandes de retrait croisées et (iii) la cession en cours des actifs et des activités opérationnelles, y compris le transfert du personnel et l'absence de perspective de développement d'activités nouvelles

Les titres et leur transfert dans la SRL

La présente contribution est rédigée sur la base du projet de loi introduisant le nouveau Code des sociétés et des associations tel qu’adopté en première lecture par la Commission de droit commercial et économique de la Chambre des représentants le 14 novembre 2018. La société à responsabilité limitée (ci-après, « SRL ») étant appelée à jouer un rôle croissant dans les années à venir, ceci justifiait que le législateur réforme substantiellement son régime juridique. Cette contribution met en lumière les principales nouveautés de ce nouveau régime en ce qui concerne les titres de la SRL et leur transfert.This contribution is based on the draft bill introducing the new Belgian Code of Companies and Associations as adopted after a first reading by the Trade and Economic Law Commission of the House of Representatives on November 14, 2018. Given that the limited liability company (hereinafter, "SRL") is expected to play a growing role in the years to come, the legal regime of the SRL is substantially reformed. This paper highlights the key elements of the new regime with regard to the securities issued by the SRL and to the transfer of such securities