Silício no crescimento e desenvolvimento de plantas de alface em cultivo fora do solo / Silence on growth and development of lettuce lettuce plants

O objetivo do trabalho foi avaliar os efeitos de concentrações de silício no crescimento e desenvolvimento de duas cultivares de alface em sistema de cultivo fora do solo. O experimento foi conduzido em casa de vegetação, no setor de Fitotecnia da UFSM. Os tratamentos foram compostos por cinco concentrações de silício na solução nutritiva: 0,0; 1,4; 2,8; 4,2 e 5,6 mmol L-1, duas cultivares (Stella e Veneranda) e pulverização foliar de silício aos sete dias antes da colheita. O delineamento experimental foi o inteiramente casualizado, com parcelas subdivididas, em esquema fatorial 5x2x2, com vinte e duas repetições. A maior massa fresca e seca da parte aérea foi observada para a cultivar Veneranda. O aumento da concentração de silício reduziu o crescimento e desenvolvimento das plantas de ambas as cultivares. Conclui-se que nas concentrações testadas não há efeito benéfico do silício na produção da alface em cultivo fora do solo