AMORPHOUS SILICON NITRIDE THIN FILMS PERFORMED IN TWO PECVD EXPERIMENTAL DEVICES

Les films de nitrure de silicium sont réalisés par deux procédés de PECVD différents. Dans le premier, ces films sont formés dans une décharge à courant continu dans un plasma d'argon-silane-azote alors que dans le second dispositif, une espèce active d'azote est créée sélectivement dans une post-décharge d'azote et réagit avec le silane dans une zone de réaction où est positionné le substrat. Dans les deux cas, les films réalisés sont sous-stoechiométriques en azote. Leurs caractéristiques : morphologie, structure et composition sont étudiées et comparées.Silicon nitride thin films are obtained using two different PECVD devices. In the first one, these thin films are created in a DC discharge in an argon-silane-nitrogen gas mixture whereas in the second, nitrogen active species are selectively produced in a flowing nitrogen post-discharge and then react with silane in a reaction region where is positioned the substrate. In both cases, the obtained films are substoichiometric in nitrogen. Their characteristics : morphology, structure and composition are studied and compared

Evidence for higher twist effects in fast π- production by antineutrinos in neon

Evidence for a significant higher twist contribution to high z π- production in antineutrino scattering is presented. In events with W>3 GeV and Q2>1 GeV2 in our data, it accounts for (51 ±8)% of all π- with z above 0.5. It is consistent with the z-Q2 correlations of Berger's higher twist prediction. The data are inconclusive concerning the predicted y-z correlation and pT dependence. The z -Q2 correlation is not adequately described by the Lund Monte-Carlo. © 1986 Springer-Verlag