Les films de nitrure de silicium sont réalisés par deux procédés de PECVD différents. Dans le premier, ces films sont formés dans une décharge à courant continu dans un plasma d'argon-silane-azote alors que dans le second dispositif, une espèce active d'azote est créée sélectivement dans une post-décharge d'azote et réagit avec le silane dans une zone de réaction où est positionné le substrat. Dans les deux cas, les films réalisés sont sous-stoechiométriques en azote. Leurs caractéristiques : morphologie, structure et composition sont étudiées et comparées.Silicon nitride thin films are obtained using two different PECVD devices. In the first one, these thin films are created in a DC discharge in an argon-silane-nitrogen gas mixture whereas in the second, nitrogen active species are selectively produced in a flowing nitrogen post-discharge and then react with silane in a reaction region where is positioned the substrate. In both cases, the obtained films are substoichiometric in nitrogen. Their characteristics : morphology, structure and composition are studied and compared
