Atomo ir branduolio fizikos laboratoriniai darbai : mokymo priemonė

Vytauto Didžiojo universitetasŠvietimo akademij

Carrier transport mechanism in inorganic dielectrics

Bibliogr. str. galeThe results of current-voltage charakteristics measured at different temperatures in thin dielectric films are presented. The temperature dependent I-V charakteristics are explained on assumption that the current is caused by a process of phonon-assisted tunneling of charge carriers from the traps located in region of high electric fieldVytauto Didžiojo universitetasŠvietimo akademij

Temperature dependence of reverse-bias leakage current in GaN Schottky diodes as a consequence of phonon-assisted tunneling

Temperature-dependent reverse-bias current-voltage data obtained by Miller et al. [Appl. Phys. Lett. 84, 535 (2004)] for Schottky diodes fabricated on n-GaN are reinterpreted in terms of a phonon-assisted tunneling model. It is shown that the temperature dependence of the reverse-bias leakage current may be caused by the temperature dependence of the electron tunneling rate from traps in the metal-semiconductor interface to the conduction band of the semiconductor. A good fit of the experimental data with this theoretical model is obtained in the entire temperature range from 80 to 400 K, when an effective mass of 0.222me and a phonon energy of 70 meV are used for the calculation. The reverse current-voltage data GaN diodes are also explained on the basis of this modelVytauto Didžiojo universitetasŠvietimo akademij

Temperature-dependent I-V charakteristics in polyethylene films

Bibliogr. str. galeThe results of current-voltage charakteristics measured at different temperatures in polyethylene films are presented. The temperature dependent I-V charakteristics are explained on assumtion that the current is caused by a process of the phonon-assisted tunneling of charge carriers from the traps located in the region of high electric fieldVytauto Didžiojo universitetasŠvietimo akademij

Analysis of leakage current mechanisms in BiFeO3 thin films

Phonon-assisted tunneling (PhAT) model is applied for explication of temperature-dependent I-V characteristics measured by other investigators for BiFeO3 films. Our proposed model describes well not only current dependence on temperature measured in a wide temperature range but also temperature-dependent I-V data using the same set of parameters characterizing material under investigation. The values of active phonons energy and field strength for tunneling are estimated from the fit of current dependence on temperature and I-V-T data with the two different phonon-assisted tunnelling theoriesVytauto Didžiojo universitetasŠvietimo akademij

Atgalinė srovė Šotkio dioduose

Tirta krūvio pernaša Al-n/GaAs Šotkio (Schottky) dioduose. Išmatuotos srovės tankio priklausomybės 92-333 K temperatūros srityje, esant skirtingoms pridėtos atgalinės įtampos vertėms. Kai tos vertės mažos, eksperimentiškai parodyta, kad tiriamuose Šotkio dioduose atgalinės srovės tankio temperatūrinės priklausomybės yra termoaklyvacinio pobūdžio. Tokios eigos atgalinės srovės voltamperinių charakteristikų temperatūrinės priklausomybės aiškinamos fononais paskatintų elektronų tunelinių šuolių iš sandūroje esančių lygmenų į puslaidininkio laidumo juostą modeliu. Eksperimentiniai rezultatai palyginti su teorinėmis elektronų tunelinių šuolių spartos priklausomybėmis nuo elektrinio lauko stiprio ir temperatūros. Iš palyginimų gautas lokalizuotų elektronų tankis sandūros lygmenyse (wlOu cm~2) ir įvertinti elektrinių laukų sandūroje stipriai. Tuo pačiu modeliu aiškinamos kitų autorių išmatuotos atgalinių srovių voltamperinių charakteristikų temperatūrinės priklausomybės Ag/n-GaAs bei n-GaN Šotkio dioduose [13, 19,26]. Taip pat aiškinamas [7,12,19,20,22] darbuose nustatytas barjero aukščio (aktyvacijos energijos) kitimas nuo pridėtos atgalinės įtampos ir temperatūros skirtingų medžiagų Šotkio dioduoseVytauto Didžiojo universitetasŠvietimo akademij

DC conduction in polymers under high electric fields

Bibliogr. str. galeVytauto Didžiojo universitetasŠvietimo akademij

Electronic conduction model in ferroelectrics based on phonon-assisted tunneling emission

Vytauto Didžiojo universitetasŠvietimo akademij

Jonizuojančios spinduliuotės tyrimas : [metodinė priemonė aukštųjų mokyklų fizikos specialybės studentams]

Bibliogr.: p. 46Vytauto Didžiojo universitetasŠvietimo akademij

Optical and electrical characteristics of SbSI crystals

The temperature dependence of the fundamental absorbtion edge of SbSI is studied in the range 130 to 320 k. in the paraelectric phase the edge is described by the Urbach's rule. The unusual Urbach behaviour in the ferroelectric phase is explained by the temperature dependence of the spontaneous polarizationVytauto Didžiojo universitetasŠvietimo akademij