Toepassing van nieuwe sensoren vereist brede samenwerking en gestructureerde discussies

Sensoren zijn een veelbelovende optie voor het beheersen en controleren van waterkwaliteit. Innovatie en implementatie van sensoren wordt momenteel belemmerd door onduidelijkheden over prestaties van sensoren en behoeften van gebruikers. Er wordt niet altijd onderscheid gemaakt tussen de verschillende toepassingsgebieden van sensoren, waardoor appels met peren worden vergeleken. Daarnaast zijn er onduidelijkheden over de implementatie van sensoren, bijvoorbeeld over hun acceptatie als wettelijk toegestane monitoringsmethode. In dit artikel stellen wij een indeling in vier hoofdrichtingen van sensortoepassingen voor als leidraad in discussies, en pleiten wij ervoor dat waterbedrijven, onderzoekers en ontwikkelaars ook drinkwaterlaboratoria, toezichthouders en beleidsmakers betrekken in die discussie

AMOLED Displays with In-Pixel Photodetector

The focus of this chapter is to consider additional functionalities beyond the regular display function of an active matrix organic light-emitting diode (AMOLED) display. We will discuss how to improve the resolution of the array with OLED lithography pushing to AR/VR standards. Also, the chapter will give an insight into pixel design and layout with a strong focus on high resolution, enabling open areas in pixels for additional functionalities. An example of such additional functionalities would be to include a photodetector in pixel, requiring the need to include in-panel TFT readout at the peripherals of the full-display sensor array for applications such as finger and palmprint sensing

Functional molecular electronics

Auke Kronemeijer developed the ‘Large-Area Molecular Junctions’ test bed which can be used to create and integrate functional molecular circuits.

Applications for flexible TFT arrays emerge in the biomedical domain

As flexible TFT backplane technology increases in utility, can display manufacturing technology make the leap into the biomedical domain

Large-area spatial atomic layer deposition of amorphous oxide semiconductors at atmospheric pressure

Indium Gallium Zinc Oxide (IGZO) films are deposited using plasma-enhanced spatial Atomic Layer Deposition (sALD) on substrates as large as 32 cm x 35 cm. Excellent uniformity and thickness control leads to high-performing and stable co-planar top-gate self-aligned (SA) thin-film transistors (TFTs), demonstrating the viability of atmospheric spatial ALD as a novel deposition technique for the flat-panel display Industry

레이저 직접묘화법으로 프로그래밍 가능한 a-InGaZnO 게이트 어레이

게이트 어레이는 서로 연결되어 있지 않은 형태로 사전 제작된 트랜지스터 또는 논리 게이트 배열 위에 단 하나의 금속 층을 설계 및 추가함으로서 사용자가 원하는 회로를 제작할 수 있는 반 주문 제작 방식이다. 완전 주문 방식에 비해 개발 비용이 적고 prototype turnaround 기간이 짧다는 장점 덕분에 유연 인쇄 전자 분야에서 연구되고 있다. 지금까지 대부분의 연구는 유기 트랜지스터 기반 소자 배열을 제작한 다음, 몇몇 소자를 잉크젯 인쇄된 금속 배선으로 연결하여 다양한 유연 전자 회로를 제작할 수 있다는 것을 보여주었다. 허나, 아직까지 유기 박막 트랜지스터보다 전기적 성능과 균일도가 뛰어나다고 알려져 있는 a-InGaZnO 박막 트랜지스터를 사용하여 게이트 어레이를 구현한 사례는 없다. 이번 연구에서는 a-InGaZnO 박막 트랜지스터를 사용하여 게이트 어레이를 설계 및 제작하고 그 위에 단위 소자를 연결하는 배선을 레이저 직접묘화법으로 인쇄하여 디지털 회로를 구현함으로써 게이트 어레이의 프로그래밍 가능성을 보여준다. 게이트 어레이 설계에는 a-InGaZnO 박막 트랜지스터로 회로를 제작할 때 높은 노이즈 마진을 갖게 해준다고 알려져 있는 pseudo-CMOS 구조가 사용되었다. 더 나아가, 논리 회로의 면적을 줄이는 방법으로 하나의 dual-gate 트랜지스터 소자를 두 개의 병렬 연결된 트랜지스터로 사용하여 새로운 구조의 pseudo-CMOS NOR gate를 제안하고 그 NOR gate를 기본 소자로 하여 게이트 어레이를 제작하였다. 최종적으로, 레이저 직접묘화법으로 인쇄된 90 m 폭의 배선으로 8개의 NOR gate 를 연결하여 negative-edge-triggered D flip-flop 을 제작하고 3 V 의 공급 전압과 200 Hz 의 input 신호가 들어왔을 때, 1 ms 미만의 delay time을 보이며 성공적으로 동작하는 것을 확인하였다. 우리는 이번 연구를 통해 프로그래밍 가능한 게이트 어레이의 단위소자로써 a-IGZO 트랜지스터의 활용 가능성을 보여주었고 제안된 유연 전자 회로 제작 방식이 사물 인터넷이나 부착형 전자기기에 필수적인 디지털 회로의 설계 및 제작에 새로운 길을 열 것이라 기대한다.2

Large-area spatial atomic layer deposition of amorphous oxide semiconductors at atmospheric pressure

Indium gallium zinc oxide (IGZO) is deposited using plasma-enhanced spatial atomic layer deposition (sALD) on substrates as large as 32 × 35 cm 2 . Excellent uniformity and thickness control leads to high-performing and stable coplanar top-gate self-aligned (SA) thin-film transistors (TFTs). The integration of a sALD-deposited aluminum oxide buffer layer into the TFT stack further improves uniformity and stability. The results demonstrate the viability of atmospheric sALD as a novel deposition technique for the flat-panel display industry

Large-area spatial atomic layer deposition of amorphous oxide semiconductors at atmospheric pressure

\u3cp\u3e Indium gallium zinc oxide (IGZO) is deposited using plasma-enhanced spatial atomic layer deposition (sALD) on substrates as large as 32 × 35 cm \u3csup\u3e2\u3c/sup\u3e . Excellent uniformity and thickness control leads to high-performing and stable coplanar top-gate self-aligned (SA) thin-film transistors (TFTs). The integration of a sALD-deposited aluminum oxide buffer layer into the TFT stack further improves uniformity and stability. The results demonstrate the viability of atmospheric sALD as a novel deposition technique for the flat-panel display industry. \u3c/p\u3

Large-area spatial atomic layer deposition of amorphous oxide semiconductors at atmospheric pressure

\u3cp\u3eIndium Gallium Zinc Oxide (IGZO) films are deposited using plasma-enhanced spatial Atomic Layer Deposition (sALD) on substrates as large as 32 cm x 35 cm. Excellent uniformity and thickness control leads to high-performing and stable co-planar top-gate self-aligned (SA) thin-film transistors (TFTs), demonstrating the viability of atmospheric spatial ALD as a novel deposition technique for the flat-panel display Industry.\u3c/p\u3