1 research outputs found

    Π˜Π·ΡƒΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ процСссов формирования массивов капСль Π·ΠΎΠ»ΠΎΡ‚Π° Π½Π° ΠΏΠΎΠ΄Π»ΠΎΠΆΠΊΠ°Ρ… крСмния ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΎΠ΄ΠΎΠΌ высокотСмпСратурного ΠΎΡ‚ΠΆΠΈΠ³Π°

    Get PDF
    In this study, the peculiarities of the transformations of gold films deposited on the Si wafer surfaces as a result of high temperature anneals are investigated experimentally depending on the conditions of wafer surface preparation and the annealing regimes. The morphology and the distribution functions of the crystallites of gold films as well as the gold droplets formed as a result of anneals are studied as functions of annealing temperature, type of annealing (rapid thermal or rapid furnace annealing), and the state of the surface of Si wafers. The results obtained can be used for the controlled preparation of the arrays of catalytic gold droplets for subsequent growth of Si wire-like crystals.Π’ Ρ€ΠΎΠ±ΠΎΡ‚Ρ– Π²ΠΈΠ²Ρ‡Π΅Π½ΠΎ особливості трансформації Π·ΠΎΠ»ΠΎΡ‚ΠΈΡ… ΠΏΠ»Ρ–Π²ΠΎΠΊ, нанСсСних Π½Π° ΠΏΠΎΠ²Π΅Ρ€Ρ…Π½ΡŽ ΠΊΡ€Π΅ΠΌΠ½Ρ–Ρ”Π²ΠΈΡ… пластин, Π² Ρ€Π΅Π·ΡƒΠ»ΡŒΡ‚Π°Ρ‚Ρ– високотСмпСратурного Π²Ρ–Π΄ΠΏΠ°Π»Ρƒ Π² залСТності Π²Ρ–Π΄ ΡƒΠΌΠΎΠ² ΠΏΡ–Π΄Π³ΠΎΡ‚ΠΎΠ²ΠΊΠΈ ΠΏΠΎΠ²Π΅Ρ€Ρ…Π½Ρ– пластин Ρ‚Π° Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΡ–Π² Π²Ρ–Π΄ΠΏΠ°Π»Ρƒ. ΠœΠΎΡ€Ρ„ΠΎΠ»ΠΎΠ³Ρ–Ρ Ρ– Ρ€ΠΎΠ·ΠΏΠΎΠ΄Ρ–Π» кристалітів ΠΏΠ»Ρ–Π²ΠΎΠΊ Π·ΠΎΠ»ΠΎΡ‚Π°, Π° Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠΆ масивів ΠΊΡ€Π°ΠΏΠ΅Π»ΡŒ Π·ΠΎΠ»ΠΎΡ‚Π°, сформованих Π² Ρ€Π΅Π·ΡƒΠ»ΡŒΡ‚Π°Ρ‚Ρ– Π²Ρ–Π΄ΠΏΠ°Π»Ρƒ, дослідТСні як Ρ„ΡƒΠ½ΠΊΡ†Ρ–Ρ— Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€ΠΈ Ρ– Ρ‚ΠΈΠΏΡƒ Π²Ρ–Π΄ΠΏΠ°Π»Ρƒ (швидкий Ρ‚Π΅Ρ€ΠΌΡ–Ρ‡Π½ΠΈΠΉ Π°Π±ΠΎ швидкий Π²Ρ–Π΄ΠΏΠ°Π» Π² ΠΏΠ΅Ρ‡Ρ–) Ρ‚Π° стану ΠΏΠΎΠ²Π΅Ρ€Ρ…Π½Ρ– пластин Si. ΠžΡ‚Ρ€ΠΈΠΌΠ°Π½Ρ– Ρ€Π΅Π·ΡƒΠ»ΡŒΡ‚Π°Ρ‚ΠΈ ΠΌΠΎΠΆΡƒΡ‚ΡŒ Π±ΡƒΡ‚ΠΈ використані для ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Ρ€ΠΎΠ»ΡŽ виготовлСння масивів ΠΊΠ°Ρ‚Π°Π»Ρ–Ρ‚ΠΈΡ‡Π½ΠΈΡ… ΠΊΡ€Π°ΠΏΠ΅Π»ΡŒ Π·ΠΎΠ»ΠΎΡ‚Π° для подальшого вирощування Π½ΠΈΡ‚ΠΊΠΎΠ²ΠΈΠ΄Π½ΠΈΡ… кристалів Si.Π’ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π΅ ΠΈΠ·ΡƒΡ‡Π΅Π½Ρ‹ особСнности трансформации Π·ΠΎΠ»ΠΎΡ‚Ρ‹Ρ… ΠΏΠ»Π΅Π½ΠΎΠΊ, нанСсСнных Π½Π° ΠΏΠΎΠ²Π΅Ρ€Ρ…Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΊΡ€Π΅ΠΌΠ½ΠΈΠ΅Π²Ρ‹Ρ… пластин, Π² Ρ€Π΅Π·ΡƒΠ»ΡŒΡ‚Π°Ρ‚Π΅ высокотСмпСратурного ΠΎΡ‚ΠΆΠΈΠ³Π° Π² зависимости ΠΎΡ‚ условий ΠΏΠΎΠ΄Π³ΠΎΡ‚ΠΎΠ²ΠΊΠΈ повСрхности пластин ΠΈ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠΎΠ² ΠΎΡ‚ΠΆΠΈΠ³Π°. ΠœΠΎΡ€Ρ„ΠΎΠ»ΠΎΠ³ΠΈΡ ΠΈ распрСдСлСниС кристаллитов ΠΏΠ»Π΅Π½ΠΎΠΊ Π·ΠΎΠ»ΠΎΡ‚Π°, Π° Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ массивов капСль Π·ΠΎΠ»ΠΎΡ‚Π°, сформированных Π² Ρ€Π΅Π·ΡƒΠ»ΡŒΡ‚Π°Ρ‚Π΅ ΠΎΡ‚ΠΆΠΈΠ³Π°, исслСдованы ΠΊΠ°ΠΊ Ρ„ΡƒΠ½ΠΊΡ†ΠΈΠΈ Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Ρ‹ ΠΈ Ρ‚ΠΈΠΏΠ° ΠΎΡ‚ΠΆΠΈΠ³Π° (быстрый тСрмичСский ΠΈΠ»ΠΈ быстрый ΠΎΡ‚ΠΆΠΈΠ³ Π² ΠΏΠ΅Ρ‡ΠΈ) ΠΈ состояния повСрхности пластин Si. ΠŸΠΎΠ»ΡƒΡ‡Π΅Π½Π½Ρ‹Π΅ Ρ€Π΅Π·ΡƒΠ»ΡŒΡ‚Π°Ρ‚Ρ‹ ΠΌΠΎΠ³ΡƒΡ‚ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Π½Ρ‹ для контроля изготовлСния массивов каталитичСских капСль Π·ΠΎΠ»ΠΎΡ‚Π° для ΠΏΠΎΡΠ»Π΅Π΄ΡƒΡŽΡ‰Π΅Π³ΠΎ выращивания Π½ΠΈΡ‚Π΅Π²ΠΈΠ΄Π½Ρ‹Ρ… кристаллов Si
    corecore