3 research outputs found
Tunable high-finesse narrow bandpass Fabry β Perot filter
This paper discusses the results of the analysis and experimental characterization of a narrow bandpass optical filter based on the Fabry β Perot interferometer configuration with a variable spacing between the mirrors allowing for a relatively wide spectral tunability. Such a filter, with a high-throughput bandpass and sufficiently large aperture and acceptance angle, is of practical interest for a highresolution spectrometry and remote sensing in the visible and infrared spectral regions. The Fabry β Perot filter (FPF) can be designed in a compact single-assembly architecture that can be accommodated within existing instruments and should provide a stable performance under variable thermal and mechanical conditions, including space and airborne platforms. Possible applications of the filter include high-resolution multispectral imaging, terrain mapping, atmosphere and surface parameters measurements, and detection of chemical and biological agents
Hydrogen reduction of silicon tetrachloride in low temperature non-equilibrium plasma of induction RF discharge
In this work, silicon is obtained by plasma-chemical reduction of silicon tetrachloride in an argon-hydrogen low- temperature nonequilibrium plasma. It is shown that in the investigated range of process parameters, the energy cost of producing one kilogram of silicon is in the range of 150β¦190 kW/h with a silicon yield of ~ 85 %. This cost reduction in the plasma-chemical process is associated with the transfer of electricity directly into the gas-vapor mixture. In addition, carrying out the recovery process under nonequilibrium conditions leads to the formation of atomic hydrogen in the discharge.ΠΡΡΠΈΠΌΠ°Π½ΠΎ ΠΊΡΠ΅ΠΌΠ½ΡΠΉ ΡΠ»ΡΡ
ΠΎΠΌ ΠΏΠ»Π°Π·ΠΌΠΎΡ
ΡΠΌΡΡΠ½ΠΎΠ³ΠΎ Π²ΡΠ΄Π½ΠΎΠ²Π»Π΅Π½Π½Ρ ΡΠ΅ΡΡΠ°Ρ
Π»ΠΎΡΠΈΠ΄Ρ ΠΊΡΠ΅ΠΌΠ½ΡΡ Π² Π°ΡΠ³ΠΎΠ½-Π²ΠΎΠ΄Π½Π΅Π²ΡΠΉ Π½ΠΈΠ·ΡΠΊΠΎΡΠ΅ΠΌΠΏΠ΅ΡΠ°ΡΡΡΠ½ΡΠΉ Π½Π΅ΡΡΠ²Π½ΠΎΠ²Π°ΠΆΠ½ΡΠΉ ΠΏΠ»Π°Π·ΠΌΡ. ΠΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½ΠΎ, ΡΠΎ Π² Π΄ΠΎΡΠ»ΡΠ΄ΠΆΠ΅Π½ΠΎΠΌΡ Π΄ΠΈΠ°ΠΏΠ°Π·ΠΎΠ½Ρ ΠΏΠ°ΡΠ°ΠΌΠ΅ΡΡΡΠ² ΠΏΡΠΎΡΠ΅ΡΡ Π΅Π½Π΅ΡΠ³Π΅ΡΠΈΡΠ½Ρ Π²ΠΈΡΡΠ°ΡΠΈ Π½Π° ΠΎΡΡΠΈΠΌΠ°Π½Π½Ρ ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΊΡΠ»ΠΎΠ³ΡΠ°ΠΌΠ° ΠΊΡΠ΅ΠΌΠ½ΡΡ Π·Π½Π°Ρ
ΠΎΠ΄ΠΈΡΡΡΡ Π² ΠΌΠ΅ΠΆΠ°Ρ
150β¦190 ΠΊΠΡ/Ρ ΠΏΡΠΈ Π²ΠΈΡ
ΠΎΠ΄Ρ ΠΊΡΠ΅ΠΌΠ½ΡΡ ~ 85 %. Π’Π°ΠΊΠ΅ Π·Π½ΠΈΠΆΠ΅Π½Π½Ρ Π²ΠΈΡΡΠ°Ρ Ρ ΠΏΠ»Π°Π·ΠΌΠΎΡ
ΡΠΌΡΡΠ½ΠΎΠΌΡ ΠΏΡΠΎΡΠ΅ΡΡ ΠΏΠΎΠ²'ΡΠ·Π°Π½Π΅ Π· Π²Π²Π΅Π΄Π΅Π½Π½ΡΠΌ Π΅Π»Π΅ΠΊΡΡΠΎΠ΅Π½Π΅ΡΠ³ΡΡ Π±Π΅Π·ΠΏΠΎΡΠ΅ΡΠ΅Π΄Π½ΡΠΎ Π² ΠΏΠ°ΡΠΎΠ³Π°Π·ΠΎΠ²Ρ ΡΡΠΌΡΡ. ΠΡΡΠΌ ΡΠΎΠ³ΠΎ, ΠΏΡΠΎΠ²Π΅Π΄Π΅Π½Π½Ρ ΠΏΡΠΎΡΠ΅ΡΡ Π²ΡΠ΄Π½ΠΎΠ²Π»Π΅Π½Π½Ρ Π² Π½Π΅ΡΡΠ²Π½ΠΎΠ²Π°ΠΆΠ½ΠΈΡ
ΡΠΌΠΎΠ²Π°Ρ
ΠΏΡΠΈΠ·Π²ΠΎΠ΄ΠΈΡΡ Π΄ΠΎ ΡΡΠ²ΠΎΡΠ΅Π½Π½Ρ Π² ΡΠΎΠ·ΡΡΠ΄Ρ Π°ΡΠΎΠΌΠ°ΡΠ½ΠΎΠ³ΠΎ Π²ΠΎΠ΄Π½Ρ.ΠΠΎΠ»ΡΡΠ΅Π½ ΠΊΡΠ΅ΠΌΠ½ΠΈΠΉ ΠΏΡΡΠ΅ΠΌ ΠΏΠ»Π°Π·ΠΌΠΎΡ
ΠΈΠΌΠΈΡΠ΅ΡΠΊΠΎΠ³ΠΎ Π²ΠΎΡΡΡΠ°Π½ΠΎΠ²Π»Π΅Π½ΠΈΡ ΡΠ΅ΡΡΠ°Ρ
Π»ΠΎΡΠΈΠ΄Π° ΠΊΡΠ΅ΠΌΠ½ΠΈΡ Π² Π°ΡΠ³ΠΎΠ½-Π²ΠΎΠ΄ΠΎΡΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΎΡΠ΅ΠΌΠΏΠ΅ΡΠ°ΡΡΡΠ½ΠΎΠΉ Π½Π΅ΡΠ°Π²Π½ΠΎΠ²Π΅ΡΠ½ΠΎΠΉ ΠΏΠ»Π°Π·ΠΌΠ΅. ΠΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½ΠΎ, ΡΡΠΎ Π² ΠΈΡΡΠ»Π΅Π΄ΡΠ΅ΠΌΠΎΠΌ Π΄ΠΈΠ°ΠΏΠ°Π·ΠΎΠ½Π΅ ΠΏΠ°ΡΠ°ΠΌΠ΅ΡΡΠΎΠ² ΠΏΡΠΎΡΠ΅ΡΡΠ° ΡΠ½Π΅ΡΠ³Π΅ΡΠΈΡΠ΅ΡΠΊΠΈΠ΅ Π·Π°ΡΡΠ°ΡΡ Π½Π° ΠΏΠΎΠ»ΡΡΠ΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΊΠΈΠ»ΠΎΠ³ΡΠ°ΠΌΠΌΠ° ΠΊΡΠ΅ΠΌΠ½ΠΈΡ Π½Π°Ρ
ΠΎΠ΄ΡΡΡΡ Π² ΠΏΡΠ΅Π΄Π΅Π»Π°Ρ
150β¦190 ΠΊΠΡ/Ρ ΠΏΡΠΈ Π²ΡΡ
ΠΎΠ΄Π΅ ΠΊΡΠ΅ΠΌΠ½ΠΈΡ ~ 85 %. Π’Π°ΠΊΠΎΠ΅ ΡΠ½ΠΈΠΆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ Π·Π°ΡΡΠ°Ρ Π² ΠΏΠ»Π°Π·ΠΌΠΎΡ
ΠΈΠΌΠΈΡΠ΅ΡΠΊΠΎΠΌ ΠΏΡΠΎΡΠ΅ΡΡΠ΅ ΡΠ²ΡΠ·Π°Π½ΠΎ Ρ Π²Π²Π΅Π΄Π΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ ΡΠ»Π΅ΠΊΡΡΠΎΡΠ½Π΅ΡΠ³ΠΈΠΈ Π½Π΅ΠΏΠΎΡΡΠ΅Π΄ΡΡΠ²Π΅Π½Π½ΠΎ Π² ΠΏΠ°ΡΠΎΠ³Π°Π·ΠΎΠ²ΡΡ ΡΠΌΠ΅ΡΡ. ΠΡΠΎΠΌΠ΅ ΡΠΎΠ³ΠΎ, ΠΏΡΠΎΠ²Π΅Π΄Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΏΡΠΎΡΠ΅ΡΡΠ° Π²ΠΎΡΡΡΠ°Π½ΠΎΠ²Π»Π΅Π½ΠΈΡ Π² Π½Π΅ΡΠ°Π²Π½ΠΎΠ²Π΅ΡΠ½ΡΡ
ΡΡΠ»ΠΎΠ²ΠΈΡΡ
ΠΏΡΠΈΠ²ΠΎΠ΄ΠΈΡ ΠΊ ΠΎΠ±ΡΠ°Π·ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΡ Π² ΡΠ°Π·ΡΡΠ΄Π΅ Π°ΡΠΎΠΌΠ°ΡΠ½ΠΎΠ³ΠΎ Π²ΠΎΠ΄ΠΎΡΠΎΠ΄Π°
Obtaining silicon carbide via chemical vapor, plasma-chemical and sublimation methods
In the present paper the results of studies on obtaining silicon carbide via chemical gas phase, plasma-chemical and sublimation methods are described. The thermodynamic analysis of chemical reactions of silicon carbide in the presence of hydrogen and without was provided. Was found that, without free hydrogen reaction of silicon carbide formation canβt proceed. Established depending on ratio between the various active components of the gas phase SiClβ:CβHβ, entering the reactor, morphology of SiC layer. Was shown that, with increasing temperature of the substrate deposition rate increases, reaching a maximum temperature about ~ 1800 K with a steep decreasing at higher temperatures ranges, which is typical of a homogeneous reaction. From source (NbTa)SiC, received via chemical CVD, obtained films of SiC with sublimation method.ΠΡΠ΅Π΄ΡΡΠ°Π²Π»Π΅Π½Ρ ΡΠ΅Π·ΡΠ»ΡΡΠ°ΡΡ ΠΈΡΡΠ»Π΅Π΄ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠΉ ΠΏΠΎ ΠΏΠΎΠ»ΡΡΠ΅Π½ΠΈΡ ΠΊΠ°ΡΠ±ΠΈΠ΄Π° ΠΊΡΠ΅ΠΌΠ½ΠΈΡ Ρ
ΠΈΠΌΠΈΡΠ΅ΡΠΊΠΈΠΌ Π³Π°Π·ΠΎΡΠ°Π·Π½ΡΠΌ, ΠΏΠ»Π°Π·ΠΌΠΎΡ
ΠΈΠΌΠΈΡΠ΅ΡΠΊΠΈΠΌ ΠΈ ΡΡΠ±Π»ΠΈΠΌΠ°ΡΠΈΠΎΠ½Π½ΡΠΌ ΠΌΠ΅ΡΠΎΠ΄Π°ΠΌΠΈ. ΠΡΠΎΠ²Π΅Π΄Π΅Π½ ΡΠ΅ΡΠΌΠΎΠ΄ΠΈΠ½Π°ΠΌΠΈΡΠ΅ΡΠΊΠΈΠΉ Π°Π½Π°Π»ΠΈΠ· Ρ
ΠΈΠΌΠΈΡΠ΅ΡΠΊΠΈΡ
ΡΠ΅Π°ΠΊΡΠΈΠΉ ΠΏΠΎΠ»ΡΡΠ΅Π½ΠΈΡ ΠΊΠ°ΡΠ±ΠΈΠ΄Π° ΠΊΡΠ΅ΠΌΠ½ΠΈΡ Π² ΠΏΡΠΈΡΡΡΡΡΠ²ΠΈΠΈ Π²ΠΎΠ΄ΠΎΡΠΎΠ΄Π° ΠΈ Π±Π΅Π· Π½Π΅Π³ΠΎ. Π£ΡΡΠ°Π½ΠΎΠ²Π»Π΅Π½ΠΎ, ΡΡΠΎ Π±Π΅Π· ΡΠ²ΠΎΠ±ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ Π²ΠΎΠ΄ΠΎΡΠΎΠ΄Π° ΡΠ΅Π°ΠΊΡΠΈΡ ΠΎΠ±ΡΠ°Π·ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΡ ΠΊΠ°ΡΠ±ΠΈΠ΄Π° ΠΊΡΠ΅ΠΌΠ½ΠΈΡ ΠΏΡΠΎΡΠ΅ΠΊΠ°ΡΡ Π½Π΅ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ. Π Π·Π°Π²ΠΈΡΠΈΠΌΠΎΡΡΠΈ ΠΎΡ ΡΠ°Π·Π»ΠΈΡΠ½ΠΎΠ³ΠΎ ΡΠΎΠΎΡΠ½ΠΎΡΠ΅Π½ΠΈΡ ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρ Π°ΠΊΡΠΈΠ²Π½ΡΠΌΠΈ ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ½Π΅Π½ΡΠ°ΠΌΠΈ Π³Π°Π·ΠΎΠ²ΠΎΠΉ ΡΠ°Π·Ρ SiClβ:CβHβ, ΠΏΠΎΡΡΡΠΏΠ°ΡΡΠΈΠΌΠΈ Π² ΡΠ΅Π°ΠΊΡΠΎΡ, ΠΈΠ·ΡΡΠ΅Π½Π° ΠΌΠΎΡΡΠΎΠ»ΠΎΠ³ΠΈΡ SiC-ΡΠ»ΠΎΡ. ΠΡΡΠ»Π΅Π΄ΠΎΠ²Π°Π½Π° ΠΊΠΈΠ½Π΅ΡΠΈΠΊΠ° ΠΏΡΠΎΡΠ΅ΡΡΠ° ΠΎΡΠ°ΠΆΠ΄Π΅Π½ΠΈΡ SiC. ΠΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½ΠΎ, ΡΡΠΎ Ρ ΡΠ²Π΅Π»ΠΈΡΠ΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ ΡΠ΅ΠΌΠΏΠ΅ΡΠ°ΡΡΡΡ ΠΏΠΎΠ΄Π»ΠΎΠΆΠΊΠΈ ΡΠΊΠΎΡΠΎΡΡΡ ΠΎΡΠ°ΠΆΠ΄Π΅Π½ΠΈΡ Π²ΠΎΠ·ΡΠ°ΡΡΠ°Π΅Ρ, Π΄ΠΎΡΡΠΈΠ³Π°Ρ ΠΌΠ°ΠΊΡΠΈΠΌΡΠΌΠ° ΠΏΡΠΈ ΡΠ΅ΠΌΠΏΠ΅ΡΠ°ΡΡΡΠ΅ ~ 1800 K Ρ ΡΠ΅Π·ΠΊΠΈΠΌ ΡΠ½ΠΈΠΆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ Π² ΠΎΠ±Π»Π°ΡΡΠΈ Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ Π²ΡΡΠΎΠΊΠΈΡ
ΡΠ΅ΠΌΠΏΠ΅ΡΠ°ΡΡΡ, ΡΡΠΎ Ρ
Π°ΡΠ°ΠΊΡΠ΅ΡΠ½ΠΎ Π΄Π»Ρ Π³ΠΎΠΌΠΎΠ³Π΅Π½Π½ΠΎΠΉ ΡΠ΅Π°ΠΊΡΠΈΠΈ. ΠΠ· ΠΏΠΎΠ»ΡΡΠ΅Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ Ρ
ΠΈΠΌΠΈΡΠ΅ΡΠΊΠΈΠΌ Π³Π°Π·ΠΎΡΠ°Π·Π½ΡΠΌ ΠΌΠ΅ΡΠΎΠ΄ΠΎΠΌ ΠΈΡΡΠΎΡΠ½ΠΈΠΊΠ° (NbTa)SiC ΡΡΠ±Π»ΠΈΠΌΠ°ΡΠΈΠΎΠ½Π½ΡΠΌ ΠΌΠ΅ΡΠΎΠ΄ΠΎΠΌ ΠΏΠΎΠ»ΡΡΠ΅Π½Ρ ΠΏΠ»ΡΠ½ΠΊΠΈ SiC.ΠΡΠ΅Π΄ΡΡΠ°Π²Π»Π΅Π½ΠΎ ΡΠ΅Π·ΡΠ»ΡΡΠ°ΡΠΈ Π΄ΠΎΡΠ»ΡΠ΄ΠΆΠ΅Π½Ρ ΠΏΠΎ ΠΎΡΡΠΈΠΌΠ°Π½Π½Ρ ΠΊΠ°ΡΠ±ΡΠ΄Ρ ΠΊΡΠ΅ΠΌΠ½ΡΡ Ρ
ΡΠΌΡΡΠ½ΠΈΠΌ Π³Π°Π·ΠΎΡΠ°Π·Π½ΠΈΠΌ, ΠΏΠ»Π°Π·ΠΌΠΎΡ
ΡΠΌΡΡΠ½ΠΈΠΌ Ρ ΡΡΠ±Π»ΡΠΌΠ°ΡΡΠΉΠ½ΠΈΠΌ ΠΌΠ΅ΡΠΎΠ΄Π°ΠΌΠΈ. ΠΡΠΎΠ²Π΅Π΄Π΅Π½ΠΎ ΡΠ΅ΡΠΌΠΎΠ΄ΠΈΠ½Π°ΠΌΡΡΠ½ΠΈΠΉ Π°Π½Π°Π»ΡΠ· Ρ
ΡΠΌΡΡΠ½ΠΈΡ
ΡΠ΅Π°ΠΊΡΡΠΉ ΠΎΡΡΠΈΠΌΠ°Π½Π½Ρ ΠΊΠ°ΡΠ±ΡΠ΄Ρ ΠΊΡΠ΅ΠΌΠ½ΡΡ Π² ΠΏΡΠΈΡΡΡΠ½ΠΎΡΡΡ Π²ΠΎΠ΄Π½Ρ Ρ Π±Π΅Π· Π½ΡΠΎΠ³ΠΎ. ΠΡΡΠ°Π½ΠΎΠ²Π»Π΅Π½ΠΎ, ΡΠΎ Π±Π΅Π· Π²ΡΠ»ΡΠ½ΠΎΠ³ΠΎ Π²ΠΎΠ΄Π½Ρ ΡΠ΅Π°ΠΊΡΡΡ ΡΡΠ²ΠΎΡΠ΅Π½Π½Ρ ΠΊΠ°ΡΠ±ΡΠ΄Ρ ΠΊΡΠ΅ΠΌΠ½ΡΡ ΠΏΡΠΎΡΡΠΊΠ°ΡΠΈ Π½Π΅ ΠΌΠΎΠΆΠ΅. ΠΠ°Π»Π΅ΠΆΠ½ΠΎ Π²ΡΠ΄ ΡΡΠ·Π½ΠΎΠ³ΠΎ ΡΠΏΡΠ²Π²ΡΠ΄Π½ΠΎΡΠ΅Π½Π½Ρ ΠΌΡΠΆ Π°ΠΊΡΠΈΠ²Π½ΠΈΠΌΠΈ ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ½Π΅Π½ΡΠ°ΠΌΠΈ Π³Π°Π·ΠΎΠ²ΠΎΡ ΡΠ°Π·ΠΈ SiClβ:CβHβ, ΡΠΊΡ Π½Π°Π΄Ρ
ΠΎΠ΄ΡΡΡ Π² ΡΠ΅Π°ΠΊΡΠΎΡ, Π²ΠΈΠ²ΡΠ΅Π½Π° ΠΌΠΎΡΡΠΎΠ»ΠΎΠ³ΡΡ SiC-ΡΠ°ΡΡ. ΠΠΎΡΠ»ΡΠ΄ΠΆΠ΅Π½ΠΎ ΠΊΡΠ½Π΅ΡΠΈΠΊΡ ΠΏΡΠΎΡΠ΅ΡΡ ΠΎΡΠ°Π΄ΠΆΠ΅Π½Π½Ρ SiC. ΠΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½ΠΎ, ΡΠΎ Π·Ρ Π·Π±ΡΠ»ΡΡΠ΅Π½Π½ΡΠΌ ΡΠ΅ΠΌΠΏΠ΅ΡΠ°ΡΡΡΠΈ ΠΏΡΠ΄ΠΊΠ»Π°Π΄ΠΊΠΈ ΡΠ²ΠΈΠ΄ΠΊΡΡΡΡ ΠΎΡΠ°Π΄ΠΆΠ΅Π½Π½Ρ Π·ΡΠΎΡΡΠ°Ρ, Π΄ΠΎΡΡΠ³Π°ΡΡΠΈ ΠΌΠ°ΠΊΡΠΈΠΌΡΠΌΡ ΠΏΡΠΈ ΡΠ΅ΠΌΠΏΠ΅ΡΠ°ΡΡΡΡ ~ 1800 K Π· ΡΡΠ·ΠΊΠΈΠΌ Π·Π½ΠΈΠΆΠ΅Π½Π½ΡΠΌ Π² ΠΎΠ±Π»Π°ΡΡΡ Π±ΡΠ»ΡΡ Π²ΠΈΡΠΎΠΊΠΈΡ
ΡΠ΅ΠΌΠΏΠ΅ΡΠ°ΡΡΡ, ΡΠΎ Ρ
Π°ΡΠ°ΠΊΡΠ΅ΡΠ½ΠΎ Π΄Π»Ρ Π³ΠΎΠΌΠΎΠ³Π΅Π½Π½ΠΎΡ ΡΠ΅Π°ΠΊΡΡΡ. Π ΠΎΡΡΠΈΠΌΠ°Π½ΠΎΠ³ΠΎ Ρ
ΡΠΌΡΡΠ½ΠΈΠΌ Π³Π°Π·ΠΎΡΠ°Π·Π½ΠΈΠΌ ΠΌΠ΅ΡΠΎΠ΄ΠΎΠΌ Π΄ΠΆΠ΅ΡΠ΅Π»Π° (NbTa)SiC ΡΡΠ±Π»ΡΠΌΠ°ΡΡΠΉΠ½ΠΈΠΌ ΠΌΠ΅ΡΠΎΠ΄ΠΎΠΌ ΠΎΡΡΠΈΠΌΠ°Π½ΠΎ ΠΏΠ»ΡΠ²ΠΊΠΈ SiC