Gravure hélicon de l'InP en plasma HBr. Morphologie et caractérisation des défauts de surface

We report the results of InP etching using a helicon discharge plasma. The etched surface morphology and the pattern profiles were examined by scanning electron microscopy (SEM). Transmission electron microscopy (TEM) was used to observe the sidewall damage for anisotropic etching. Auger electron spectroscopy (AES) was used to obtain the elemental composition in the top 20 nm of the etched surfaces and to evaluate the contamination and desorption. We also characterized surface and subsurface damage in InP etched substrates using photoluminescence intensity. Anisotropic submicronic etched patterns with low damage were obtained with high etch rates. However, a significant amorphisation of the sidewalls have been evidenced by TEM.Nous exposons les résultats de l'étude de la gravure en plasma HBr de l'InP en décharge hélicon en fonction de la température du substrat, de l'énergie ionique, de la pression de travail et de la puissance de source. La morphologie de surface ainsi que les profils de gravure sont éxaminés par microscopie à balayage. Les défauts de flancs sont mis en évidence par microscopie à transmission dans le cas de gravures anisotropes de motifs submicroniques. L'analyse Auger ainsi que des mesures de photoluminescence ont été utilisées pour évaluer la pollution, les désorptions sur une profondeur de 20 nm ainsi que les défauts électriques résultants. Des gravures anisotropes à faibles dommages induits ont été obtenues avec des vitesses de gravure très acceptables. Cependant une importance amorphisation des flancs a été mise en évidence

Chlorine Inductively- coupled Plasma diagnostics using UV absorption spectroscopy and an ion flux probE

International audienc

Concept and processing of buried photomasks

A new method for fabricating photomasks is proposed. The mask is prepared by burying the absorbent patterns inside the transparent photoplate instead of depositing them on the surface of the photoplate. After imaging and etching trenches into the glass substrate, an absorbent material is set into them. Two different ways of filling in these holes are considered : planarisation and lift-off. Various advantages of this technique are expected, namely high resolution. This paper presents results obtained by vacuum contact printing of positive and negative novolak based photoresists exposed through buried masks