PHOTOELECTRIC EFFECTS IN HIGH-RESISTIVITY EuSe

On a étudié les propriétés des monocristaux d'EuSe rouge transparent de haute résistivité au moyen de la photoconductivité et de la tension de photodiffusion avec des photons d'energie plus basse ou égale à celle-ci de la bande interdite Eg. Les pointes principales des spectres obtenus par la phoconductiuité ou photovoltaïque se trouvent à l'énergie de 1,85 eV équivalente à Eg dans EuSe. On a trouvé deux niveaux de défaut aux énergies 1,3 eV et 1,67 eV respectivement.The properties of red- transparent high-resistivity EuSe single crystals have been studied by means of the photoconductivity and photodiffusive voltage with photon energies less or equal to the forbidden energy gap Eg. In both the photoconduction and photovoltage spectra the main peak is situated at a photon energy of 1.85 eV corresponding to Eg in EuSe. Two defect levels were found at photon energies 1.3 and 1.67 eV