SEMIQUANTITATIVE X-RAY MICROANALYSIS ON PREFORMS FOR OPTICAL WAVEGUIDE FIBRES

La distribution du dopant Ge(O2) dans les fibres optiques, qui sont fabriquées par VCVD, est déterminée par analyse par spectrographie X en énergie. On obtient une résolution de 1,5 µm avec la raie Ge(Lα) et une énergie d'excitation de 10 keV. On a observé dans la fabrication des préformes une fluctuation caractéristique de la densité de Ge(O2) pour chaque couche déposée. Cette distribution initiale du dopant Ge(O2) est modifiée par la diffusion et l'évaporation lors des phases suivantes de la préparation des préformes et de l'étirage des fibres.The distribution of the Ge(O2)-dopant in optical waveguides prepared by the VCVD-process is determined with an SEM using energy dispersive microanalysis. Operating at 10 keV and analysing the Ge(Lα)-line, a lateral resolution of approximately 1.5 µm is achieved. A strong characteristic fluctuation of the Ge(O2)-density within each freshly deposited layer is observed. This original Ge(O2)-distribution in each layer is changed by interdiffusion and evaporation processes during following steps of preform preparation and fibre drawing

Si-MBE fuer SiGe/Si-Heterobipolartransistoren Abschlussbericht

The active component structure of a fast SiGe-based heterobipolar transistor was designed and was implemented by means of silicon-based molecular beam epitaxy. Test transistors were manufactured, and were tested applying numerous analytical methods. The basic structure (four layers originally, six layers at a later stage) is characterized by abrupt transitions in the nonometer range and by doping levels of 10 "1"6 /cm"3 to 10 "2"0 /cm"3. Several methods for doping by use of Sb (type n) and B (type p) were tested. Four of these methods are used to prepare the six-layer structures. Daimler-Benz manufactured implantation-free, non-passivated structures while the project partner produced contact-implantation, passivated SiGe-based heterbipolar transistors. (orig./RHM)Im dokumentierten Vorhaben wurde die aktive Bauelementestruktur eines schnellen SiGe-Heterobipolartransistors (HBT) entworfen, mit Hilfe der Silicium-Molekularstrahlepitaxie (Si-MBE) realisiert, zu Testtransistoren verarbeitet und mit zahlreichen Analyseverfahren untersucht. Die grundsaetzliche Struktur bestand zuerst aus vier, spaeter aus sechs Schichten mit abrupten Uebergaengen im Nanometerbereich und Dotierpegeln von 10 "1"6 /cm"3 bis 10 "2"0 /cm"3. Mehrere Verfahren fuer die Dotierung mit Sb (n-Typ) und B (p-Typ) wurden getestet. Vier dieser Verfahren werden eingesetzt bei der Realisierung der Sechs-Schicht Struktur. Aus diesen Schichtstrukturen wurden vom Berichterstatter (implantationsfrei, unpassiviert) als auch beim Projektpartner (mit Kontaktimplantation, passiviert) erfolgreich SiGe-HBTs hergestellt. (orig./RHM)SIGLEAvailable from TIB Hannover: F94B1140+a / FIZ - Fachinformationszzentrum Karlsruhe / TIB - Technische InformationsbibliothekBundesministerium fuer Forschung und Technologie (BMFT), Bonn (Germany)DEGerman

Submikron-Technologie fuer Millimeterwellensensoren auf hoch-resistivem Silizium Abschlussbericht

With 67 refs., 26 tabs., 100 figs.SIGLEAvailable from TIB Hannover: FR 5821 / FIZ - Fachinformationszzentrum Karlsruhe / TIB - Technische InformationsbibliothekDEGerman

Submikron-Technologien zur Herstellung monolithisch integrierter Millimeterwellenbauelemente auf hochohmigem Silizium Abschlussbericht

With 40 refs., 4 tabs., 75 figs.SIGLECopy held by FIZ Karlsruhe; available from UB/TIB Hannover / FIZ - Fachinformationszzentrum Karlsruhe / TIB - Technische InformationsbibliothekDEGerman

Roentgenmasken- und Roentgenuebertragungstechnik im unteren Submikrometerbereich Gemeinsamer Abschlussbericht

With 21 refs., 4 tabs., 47 figs.Available from FIZ Karlsruhe / FIZ - Fachinformationszzentrum Karlsruhe / TIB - Technische InformationsbibliothekSIGLEDEGerman