Pertes caractéristiques des électrons dans TlCl, TlBr, Tl I et calcul des fonctions optiques entre 3 et 25 eV

Energy loss spectra of 20 keV electrons have been measured in transmission of thallous halides films. From the energy loss function — Im 1/ε, optical constants are calculated by means of Kramers-Kronig analysis and compared with absorption and reflectance data. The observed singularities are interpreted in terms of plasma loss and band structure.Les pertes d'énergie caractéristiques subies par un faisceau d'électrons de 20 keV à la traversée de films de TlCl, TlBr et TlI ont été mesurées avec un spectrographe magnétique. Les constantes optiques sont calculées par une analyse de Kramers-Kronig à partir de la fonction — Im 1/ε, et sont comparées aux mesures d'absorption et de réflectivité. Les spectres sont interprétés à l'aide d'un récent calcul de structure de bande

Excitations électroniques dans TiO2 rutile et TiO mesure des pertes d'énergie des électrons entre 3 et 60 eV

The energy loss spectra of 20 keV electrons passing through thin films of TiO2 and TiO have been obtained. Optical functions are calculated up to 60 eV using Kramers-Kronig analysis. One-electron excitations and collective modes in these two oxides are discussed and the results are compared with those previously published.Les spectres de pertes d'énergie d'électrons de 20 keV transmis par des couches minces de TiO2 et TiO ont été obtenus, et les fonctions optiques calculées jusqu'à 60 eV par analyse de Kramers-Kronig. Les excitations à un électron et les modes collectifs, dans les deux oxydes, sont discutés sur la base de nos résultats et de ceux existant dans la littérature

MÉTHODE DE CALCUL DES FONCTIONS OPTIQUES A PARTIR DES MESURES DE PERTES CARACTÉRISTIQUES D'ÉNERGIE DES ÉLECTRONS APPLICATION AUX HALOGÉNURES DE THALLIUM

Nous présentons ici une méthode permettant de calculer les fonctions optiques dans un domaine d'énergie assez étendu, par la mesure des pertes caractéristiques d'énergie des électrons. Cette méthode est particulièrement appropriée aux solides ayant un gap supérieur à la résolution expérimentale qui est de l'ordre de 1 eV. Nous donnerons une application de cette méthode au cas des halogénures de thallium. Les détails du calcul et la discussion des résultats ont été publiés par ailleurs [l], [2].We describe a method for obtaining the optical constants (longitudinal dielectric constant, normal reflectivity, etc...) of large gap isotropic semiconductors, from electron energy loss spectra by means of Kramers-Kronig analysis. This method is applied to thallous halides, which have a semiconductor like property together with that of ionic crystals. The validity of the method has been proved for other compounds (CaF2, SrF2, BaF2) by the comparison of our results with available reflectance data obtained with synchrotron radiation

Mass rearing of Trichogramma brassicae used against the european corn boorer Ostrinia nubilalis

National audienc

Les fourmis : prise en compte de leur action pour lutter contre le foreur de la canne à sucre, Chilo sacchariphagus Bojer

International audienceL’importance de la prédation des oeufs du foreur de la canne à sucre, Chilo sacchariphagus, à la Réunion est démontrée et joue un rôle essentiel dans le contrôle naturel de ce ravageur. Elle est principalement exercée par les fourmis de l’espèce Pheidole megacephala. La stratégie de lutte biologique que nous avons mise au point depuis quelques années prend en compte cette action prédatrice qui est particulièrement bénéfique sur des champs de canne âgés de 6 à 12 mois. Toutefois, nos résultats montrent que la prédation des fourmis peut aussi avoir un effet néfaste sur l’auxiliaire utilisé, Trichogramma chilonis, au cours des lâchers. En effet, de par leur comportement très actif et leur petite taille, elles arrivent à pénétrer dans les différents conditionnements testés et à attaquer les oeufs hôtes et les parasitoïdes en cours de développement. Pour limiter cet impact négatif, il est nécessaire d’optimiser le conditionnement, le temps que les trichogrammes émergent et aillent parasiter les oeufs du ravageur

Caractérisation par pompage optique d'un super réseau à courte période GaAs/AlAs

On a utilisé les techniques du pompage optique pour étudier les propriétés de la luminescence d'un super réseau à courte période GaAs/AlAs. Le spectre d'excitation de la luminescence montre, outre les transitions bien connues 1e → hh et 1e → fh, des oscillations de relaxation observables en raison de la présence de puits élargis dans l'échantillon. Quelle que soit la longueur d'onde excitatrice, la polarisation de la raie excitonique principale décroît avec l'application d'un champ magnétique transverse. Les valeurs du temps de relaxation de spin et du temps de vie des électrons photocréés ont été estimées respectivement à 1,1 x 10-10 et 1,7 × 10-10 s. Le collage de l'échantillon sur le support crée des contraintes incontrôlées auxquelles les résultats sont très sensibles

Deep ultra-violet Raman scattering for the monitoring of high-temperature processing of AlGaN

International audienceDeep ultraviolet micro-Raman scattering was employed to monitor high-temperature processing of AlGaN films under resonant excitation conditions, giving rise to enhanced first and second-order Raman scattering. High-temperature treatments at 1100 degrees C result in changes in the second-order Raman scattering signal and monitor the emergence of microscopic defects during the high-temperature processing. The second-order Raman spectrum was analyzed to gain insight into the AlGaN phonon density of states. For annealing temperatures higher than 1150 degrees C, the Al0.72Ga0.28N film decomposes: a low- and a high-aluminum composition AlxGa1-xN phase emerge. At 1100 degrees C, prior to the Al0.72Ga0.28N decomposition, deep UV Raman scattering detects the built-up of strain in the Al0.72Ga0.28N film