Sol-Gel Lithography Method for Production of Flexible Transparent Ir-Heater

Представлена перспективная малозатратная методика формирования прозрачных проводящих покрытий на основе металлической микросетки, формируемой при помощи самоорганизованного шаблона. Разработанный метод позволил создать основы технологии получения гибких прозрачных нагревательных элементов. Показана высокая однородность нагрева и стабильность микросетки при деформационных воздействияхA promising low-cost method of forming transparent conductive coatings based on metal micromesh formed using self-organized pattern. The developed method is will provide the framework technology of flexible transparent heating elements. The show high heating uniformity and stability micromesh during deformation effect

Increase Transparency of Single Walled Carbon Nanotubes Films by Structuring Using Self-Organized Silica Template

Продемонстрирована возможность заполнения трещин самоорганизованного шаблона на основе пленок кремнезема коллоидной дисперсией одностенных углеродных нанотрубок (ОУНТ). Методика позволяет увеличить соотношение прозрачность – поверхностное сопротивление пленок ОУНТ посредством их структурирования и капиллярного уплотнения. Показана возможность управления растрескиванием шаблона для получения оптимальной геометрии, позволяющей иметь качественные воспроизводимые структурированные пленки ОУНТ. Полученные образцы структурированных пленок ОУНТ имеют прозрачность на 4-5 % выше, чем у сплошных пленок ОУНТ, при близком поверхностном сопротивленииThe possibility of filling the cracks of self-organized pattern based on the silica films colloidal dispersion of single-walled carbon nanotubes (SWCNTs), the method allows to increase the ratio between transparency and surface resistance of the SWCNT films through their structure and capillary packing. The possibility of controlling the cracking of the template to create an optimum geometry that provides high-quality reproducible structured SWCNTs films. Obtaining a sample of structured SWCNT Ÿlms have transparency on 4-5 % higher relative to continuous Ÿlms of SWCNTs in a close surface resistanc

Modification of Spray-Method for Producing of Single-Walled Carbon Nanotubes Films and Their Properties

Разработана методика формирования тонких пленок однослойных углеродных нанотрубок посредством ультразвукового распыления водной дисперсии. Методика позволяет формировать пленки однослойных углеродных нанотрубок большой площади и высокой однородности, на поверхностях сложной формы. При помощи данной методики сформированы прозрачные электроды, характеризующиеся прозрачностью 77 % и удельным поверхностным сопротивлением 210 Ом/кв, а также прозрачностью в инфракрасном диапазоне более 91 %The technique of forming thin films of single-walled carbon nanotubes by ultrasonic spraying an aqueous dispersion. The developed technique allows to form a film of single-walled carbon nanotubes of large area and highly homogeneous. The technique allows to form a nanotube coating on the surfaces of complex shape. Using this method, the transparent electrodes are formed characterized by transparency of 77 % and a surface resistivity of 210 ohms / square, and transparency in the infrared range of more than 91

Sol-Gel Lithography Method for Production of Flexible Transparent Ir-Heater

Представлена перспективная малозатратная методика формирования прозрачных проводящих покрытий на основе металлической микросетки, формируемой при помощи самоорганизованного шаблона. Разработанный метод позволил создать основы технологии получения гибких прозрачных нагревательных элементов. Показана высокая однородность нагрева и стабильность микросетки при деформационных воздействияхA promising low-cost method of forming transparent conductive coatings based on metal micromesh formed using self-organized pattern. The developed method is will provide the framework technology of flexible transparent heating elements. The show high heating uniformity and stability micromesh during deformation effect

Increase Transparency of Single Walled Carbon Nanotubes Films by Structuring Using Self-Organized Silica Template

Продемонстрирована возможность заполнения трещин самоорганизованного шаблона на основе пленок кремнезема коллоидной дисперсией одностенных углеродных нанотрубок (ОУНТ). Методика позволяет увеличить соотношение прозрачность – поверхностное сопротивление пленок ОУНТ посредством их структурирования и капиллярного уплотнения. Показана возможность управления растрескиванием шаблона для получения оптимальной геометрии, позволяющей иметь качественные воспроизводимые структурированные пленки ОУНТ. Полученные образцы структурированных пленок ОУНТ имеют прозрачность на 4-5 % выше, чем у сплошных пленок ОУНТ, при близком поверхностном сопротивленииThe possibility of filling the cracks of self-organized pattern based on the silica films colloidal dispersion of single-walled carbon nanotubes (SWCNTs), the method allows to increase the ratio between transparency and surface resistance of the SWCNT films through their structure and capillary packing. The possibility of controlling the cracking of the template to create an optimum geometry that provides high-quality reproducible structured SWCNTs films. Obtaining a sample of structured SWCNT Ÿlms have transparency on 4-5 % higher relative to continuous Ÿlms of SWCNTs in a close surface resistanc

Modification of Spray-Method for Producing of Single-Walled Carbon Nanotubes Films and Their Properties

Разработана методика формирования тонких пленок однослойных углеродных нанотрубок посредством ультразвукового распыления водной дисперсии. Методика позволяет формировать пленки однослойных углеродных нанотрубок большой площади и высокой однородности, на поверхностях сложной формы. При помощи данной методики сформированы прозрачные электроды, характеризующиеся прозрачностью 77 % и удельным поверхностным сопротивлением 210 Ом/кв, а также прозрачностью в инфракрасном диапазоне более 91 %The technique of forming thin films of single-walled carbon nanotubes by ultrasonic spraying an aqueous dispersion. The developed technique allows to form a film of single-walled carbon nanotubes of large area and highly homogeneous. The technique allows to form a nanotube coating on the surfaces of complex shape. Using this method, the transparent electrodes are formed characterized by transparency of 77 % and a surface resistivity of 210 ohms / square, and transparency in the infrared range of more than 91

Температурная зависимость фотопроводимости и оптические свойства тонких пленок In2O3, полученных методом автоволнового окисления

The influences of ultraviolet (UV) irradiation and temperature on the electrical and optical properties in In2O3 films obtained by autowave oxidation were measured experimentally. The film resistance changed slightly for temperatures from 300 to 95 K, and more noticeably when the temperature was further de- creased, measured in the dark. Under UV irradiation, the resistivity of the films at room temperature decreased sharply by 25% and from 300 to 95 K, and continued to decrease by 38% with a further decreasing temperature. When the UV source was turned off, the resistivity relaxed at a rate of 15 Ω/s for the first 30 seconds and 7 Ω/s for the remaining time. The transmittance decreased by 3.1% at a wavelength of 6.3 m after the irradiation ceased. The velocity of the relaxation transmittance was 0.006 %/s. The relaxation of the electrical resistance and transmittance after UV irradiation termination were similar. It was assumed that the dominant mechanism responsible for the change in the conductivity in the indium oxide films during UV irradiation was photoreductionЭкспериментально исследовано влияние ультрафиолетового (УФ) излучения и температуры на электрические и оптические свойства пленок In2O3, полученных методом автоволнового окисле- ния. При измерении в темноте сопротивление пленки менялось незначительно при температу- рах от 300 до 95 К и более заметно при дальнейшем уменьшении температуры. Под воздействием УФ–облучения удельное сопротивление пленок при комнатной температуре резко снизилось на 25 %, от 300 до 95 К, и продолжало снижаться до 38% с дальнейшим понижением темпера- туры. При отключении УФ–источника значение сопротивления релаксировало со скоростью 15 Ом/с в течение первых 30 секунд и 7 Ом/с в течение оставшегося времени. После прекращения облучения коэффициент пропускания снизился на 3,1% при длине волны 6,3 мкм. Скорость ре- лаксации коэффициента пропускания составила 0,006 %/с. Релаксации электрического сопротив- ления и коэффициента пропускания после прекращения УФ–облучения были одинаковыми. Пред- полагается, что доминирующим механизмом, ответственным за изменения проводимости в пленках оксида индия в процессе УФ-облучения, было фотовосстановлени

Температурная зависимость фотопроводимости и оптические свойства тонких пленок In2O3, полученных методом автоволнового окисления

The influences of ultraviolet (UV) irradiation and temperature on the electrical and optical properties in In2O3 films obtained by autowave oxidation were measured experimentally. The film resistance changed slightly for temperatures from 300 to 95 K, and more noticeably when the temperature was further de- creased, measured in the dark. Under UV irradiation, the resistivity of the films at room temperature decreased sharply by 25% and from 300 to 95 K, and continued to decrease by 38% with a further decreasing temperature. When the UV source was turned off, the resistivity relaxed at a rate of 15 Ω/s for the first 30 seconds and 7 Ω/s for the remaining time. The transmittance decreased by 3.1% at a wavelength of 6.3 m after the irradiation ceased. The velocity of the relaxation transmittance was 0.006 %/s. The relaxation of the electrical resistance and transmittance after UV irradiation termination were similar. It was assumed that the dominant mechanism responsible for the change in the conductivity in the indium oxide films during UV irradiation was photoreductionЭкспериментально исследовано влияние ультрафиолетового (УФ) излучения и температуры на электрические и оптические свойства пленок In2O3, полученных методом автоволнового окисле- ния. При измерении в темноте сопротивление пленки менялось незначительно при температу- рах от 300 до 95 К и более заметно при дальнейшем уменьшении температуры. Под воздействием УФ–облучения удельное сопротивление пленок при комнатной температуре резко снизилось на 25 %, от 300 до 95 К, и продолжало снижаться до 38% с дальнейшим понижением темпера- туры. При отключении УФ–источника значение сопротивления релаксировало со скоростью 15 Ом/с в течение первых 30 секунд и 7 Ом/с в течение оставшегося времени. После прекращения облучения коэффициент пропускания снизился на 3,1% при длине волны 6,3 мкм. Скорость ре- лаксации коэффициента пропускания составила 0,006 %/с. Релаксации электрического сопротив- ления и коэффициента пропускания после прекращения УФ–облучения были одинаковыми. Пред- полагается, что доминирующим механизмом, ответственным за изменения проводимости в пленках оксида индия в процессе УФ-облучения, было фотовосстановлени