Loss of Andreev Backscattering in Superconducting Quantum Point Contacts

We study effects of magnetic field on the energy spectrum in a superconducting quantum point contact. The supercurrent induced by the magnetic field leads to intermode transitions between the electron waves that pass and do not pass through the constriction. The latter experience normal reflections which couple the states with opposite momenta inside the quantum channel and create a minigap in the energy spectrum that depends on the magnetic field

Автоматическая система нечеткого регулирования толщины полотна при каландровании

Synthesis of the automated fuzzy control system of film thickness on calendering, based on management by difference principle and fuzzy control algorithm, is revealed in this article. The algorithm of fuzzy outlet and working of the system of film thickness on calendering is considered.В статье представлен синтез автоматической системы нечеткого регулирования (АСНР) толщины полотна при каландровании на основе принципа управления по отклонению и алгоритма нечеткого управления. Рассмотрен алгоритм нечеткого вывода и работа АСНР толщины полотна при каландровании

he Dominant Role of f- and g-transitions in Intervalley Dissipation of n-type Silicon in the Temperature Range of Т = 300 450 К

З метою вияснення ролі f- та g-переходів у міждолинному розсіюванні в кремнії n-типу в області температур 300 450 К було використано тензорезистивний (ТР) ефект, пов’язаний з міждолинним переселенням носіїв струму при одновісній деформації Х // [001] n-Si (n e = 4 · 10 13 см -3 ), а також температурні залежності питомого опору () Т в одновісно деформованих і недеформованих кристалах. Як і раніше під час вимірювань ТР ефекту при температурі Т < 300 K, спостерігається нахил залежності log від T log , який за відсутності тиску відповідає степеневому закону зміни рухливості Т -2,3 , а при сильних одновісних тисках Х = 12000 кГ/см 2 ( 10kT ) Т -1,6 . При такому тиску повністю знімаються f-переходи з міждолинного розсіювання, тому суттєва зміна нахилу температурної залежності питомого опору в цьому інтервалі температур при переході від недеформованих кристалів кремнію до одновісно деформованих кристалів свідчить про наявність вирішального внеску f-переходів у міждолинне розсіювання при Х = 0. Ключові слова: тензорезистивний ефект, міждолинне розсіювання, питомий опір, рухливість. ; In order to elucidate a role of f- and g-transitions in intervalley dissipation of n -type silicon in the temperature range of 300 450 К, we have measured the tensoresistive (ТR) effect caused by intervalley transfer of charge carriers at one-axis deformation Х // [001] n-Si (ne = 4·10 13 сm -3 ), as well as temperature dependencies of specific resistance () Т in one-axis deformed and undeformed crystals. As in the previous measurements of TR effect at temperatures Т < 300 K, we have observed a slope of dependency of lоg upon log T, which corresponds, in the case of absence of pressure, to the degree rule of change of Т -2,3 mobility, but in the case of strong one-axis pressures Х = 12000 kГ/сm 2 ( 10kT ) it corresponds to Т -1,6 . At such pressure, the f-transitions caused by intervalley dissipation are absent. Therefore, significant change of a slope of temperature dependence of specific resistance in this temperature region when going from undeformed silicon crystals to the one-axis deformed crystal indicates the existence of principal contribution of f-transitions to intervalley dissipation at Х = 0

Моделирование входных случайных процессов химико-технологических объектов

It is revealed, that consideration of chemical-engineering objects’ random components of input and output characteristics enables to determine more subtle characteristics of their operation. The analysis of chemical-engineering objects’ input random processes is conducted, the simulation algorithm, based on shaping filter method, is suggested.Показано, что учет случайных составляющих входных и выходных параметров химикотехнологических объектов ( ХТО) позволяет определить более тонкие характеристики их функционирования. Проведен анализ входных случайных процессов ХТО и предложен их алгоритм моделирования, основанный на методе формирующего фильтра