Разработка системы управления электротехнологической установкой на основе беспроводного интерфейса

Развитие микроконтроллерной техники дает возможность создать беспроводное устройство управления ЭТУ, которое позволило бы решить ряд проблем, возникающих в проводных системах, и сделало бы работу оператора более комфортной и безопасной. Объектом исследования является система беспроводного управления макетом электротехнологической установки (ЭТУ). Цель работы – разработка беспроводной системы управления макетом ЭТУ. В результате исследования была разработана работоспособная система управления ЭТУ состоящая из интерфейса управления и макета ЭТУ.The development of microcontroller technology makes it possible to create a wireless control device for an electrical installation, which would solve a number of problems arising in wired systems, and would make the operator's work more comfortable and safe. The object of the research is the system of wireless control of the layout of the electrotechnological installation of the electrotechnical installation. The purpose of the work is to develop a wireless control system for the layout of an electrotechnical installation. As a result of the study, a workable control system for an electrical installation was developed, consisting of a control interface and a model for an electrical installation

Abstracts from the 8th International Conference on cGMP Generators, Effectors and Therapeutic Implications

This work was supported by a restricted research grant of Bayer AG

Sur le schéma énergétique des cristaux phosphorescents

The emission, absorption, stimulation and quenching spectra of ZnS and CdS single crystals are investigated. The importance of making all these experiments on the same sample is pointed out. The energetic levels scheme is derived for self-activated or Cu-activated ZnS and CdS

LUMINESCENCE EXCITONIQUE ET LES COMPLEXES D'EXCITONS LIÉS

Pendant les années passées le mécanisme de l'annihilation des excitons dans les solides a été discuté dans des publications de plus en plus nombreuses. Ce mémoire donne une vue d'ensemble des résultats les plus importants dans ce domaine. Les spectres d'émission ont été utilisés pour étudier le mouvement et la vie moyenne des excitons libres. L'existence d'une « molécule excitonique », c'est-a-dire d'un complexe composé de deux excitons, a été montrée dans le silicium. Des excitons liés aux centres donneurs ou accepteurs provoquent des raies intenses dans nombre de corps solides. Les qualités de ces excitons ont été étudiées en fonction de la température, dans les champs électriques ou magnétiques et dans leur relation au « radiation damage ». L'émission excitonique donnant une action laser a été montrée dans plusieurs matériaux du groupe II-VI. On discute des spectres de paires en utilisant le modèle des excitons liés aux paires donneurs-accepteurs. Des expériences sur le déclin de l'émission vérifient les conditions théoriques utilisées. Pour la premiere fois l'émission due aux paires isoélectroniques a été observée dans Gap et ZnTe.During the last few years the mechanism of radiative annihilation of excitons in solids has been discussed in a growing number of publications. In this paper the most important results in this field are reported. Emission spectra are widely used to study the motion and the lifetime of free excitons. The existence of an « excitonic molecule » - a complex composed of two excitons - has been demonstrated in silicon. Excitons bound to single donors or acceptors give rise to intense emission lines in a variety of solids. Their properties have been studied as a function of temperature, magnetic or electric fields, and by means of radiation damage. In recent years exciton emission showing laser action has been described as occurring in several II-VI compounds. Pair spectra are discussed using the concept of excitons bound to donor-acceptor pairs. Decaytime measurements show the validity of the theoretical predictions. Emission from isoelectronic pairs has for the first time been found in Gap and ZnTe crystals

Über den Einfluß der durch Druckzerstörung erzeugten Gitterfehlstellen auf die Lumineszenz von ZnS-Phosphoren

Die quantitativen Gesetzmäßigkeiten des Rückganges der Lumineszenzausbeute von ZnS-Cu mit zunehmendem Zermörserungsgrad (Druckzerstörungsgrad) werden untersucht und auf der Basis des Bändermodelles der Kristallphosphore theoretisch gedeutet. Als Maß für die Druckzerstörung wird eine optisch meßbareGröße eingeführt, die der Zahl der erzeugten Gitterfehlstellen proportional ist. Mit zunehmendem Druckzerstörungsgrad tritt eine — einer monotonen Funktion folgende — Abnahme der Lumineszenzausbeute ein, die von einer Veränderung der Reaktionsordnung für Elektronenübergänge in den Phosphoren begleitet wird. Die Temperaturabhängigkeit der durch Druckzerstörung erzeugten strahlungslosen Elektronenübergänge ist außerordentlich gering. Aus den Messungen folgt die Wesensgleichheit von Druck- undα-Zerstörung. Unter der Annahme, daß den durch Druckzerstörung hervorgerufenen Gitterfehlstellen diskrete metastabile Terme im Bändermodell entsprechen, über die monomolekulare strahlungslose Elektronenübergänge stattfinden, können die experimentellen Ergebnisse quantitativ gedeutet werden