Estudio del sistema In₂S₃-Sb₂S₃ en celdas solares de capa extremadamente delgada

El uso desmedido de los combustibles fósiles, así como la alerta constante de su agotamiento ha conducido los esfuerzos de la investigación en los recientes años hacia la búsqueda de fuentes alternas de energía. La energía solar constituye la mayor fuente de energía disponible sobre la Tierra, dentro de los dispositivos diseñados para su aprovechamiento destacan las celdas solares. La meta en el campo de investigación de las celdas solares es la construcción de celdas solares a partir de métodos de preparación sencillos y de bajo costo, usando materiales que permitan la obtención de eficiencias competitivas. En este trabajo se plantea la construcción de una celda solar de capa extremadamente delgada que emplea como semiconductor tipo n el TiO2, como material absorbente el sistema In2S3- Sb2S3 y como semiconductor tipo p el CuSCN, utilizando técnicas sencillas y versátiles de depósito, tales como spin coating y screen printing para el TiO2, el método silar para el material absorbente y el método de impregnación para el CuSCN

Fabrication and characterization of a nanostructured TiO2/In2S3-Sb2S3/CuSCN extremely thin absorber (eta) solar cell

CuSCN extremely thin absorber solar cell. Nanostructured TiO2 deposited by screen printing on an ITO substrate was used as an n-type electrode. An ∼80 nm extremely thin layer of the system In2S3-Sb2S3 deposited by successive ionic layer adsorption and a reaction (silar) method was used as an absorber. The voids were filled with p-type CuSCN and the entire assembly was completed with a gold contact. The solar cell fabricated with this heterostructure showed an energy conversion efficiency of 4.9%, which is a promising result in the development of low cost and simple fabrication of solar cells