DEPTH MEASUREMENT OF THE PHASE CHANGE UNDER PULSED RUBY LASER ANNEALING

Irradiation of crystalline silicon by pulsed ruby laser induces a surface phase change. A direct measurement of the maximum thickness phase change is reported. Successful comparison with a thermal model is done

DEPTH MEASUREMENT OF THE PHASE CHANGE UNDER PULSED RUBY LASER ANNEALING

Une brève impulsion de lumière (20 ns), délivrée par un laser rubis induit un changement de phase à la surface d'un monocristal de silicium. Il est reporté une mesure directe de l'épaisseur sur laquelle s'effectue ce changement de phase, les résultats expérimentaux sont en excellent accord avec les valeurs déduites d'un modèle purement thermodynamique.Irradiation of crystalline silicon by pulsed ruby laser induces a surface phase change. A direct measurement of the maximum thickness phase change is reported. Successful comparison with a thermal model is done