Конкурентоспособность фирм в условиях рыночной экономики

Объектом исследования является: предприятие – АО "Сибирская Аграрная Группа". Цель работы – разработать рекомендации по повышению конкурентоспособности АО "Сибирская Аграрная Группа". В процессе исследования проводились оценка конкурентоспособности, анализ основных конкурентов и разработка мероприятий по повышению конкурентоспособности АО "Сибирская Аграрная Группа". Актуальность темы выпускной квалифицированной работы состоит в том, что в условиях стремительно развивающейся рыночной экономики конкурентоспособность предприятия, определяет основу для разработки экономической стратегии, помогает проанализировать состояние и возможность для предприятия выдержать конкуренцию.The object of the study is: the enterprise is JSC "Siberian Agrarian Group". The purpose of the work is to develop recommendations for increasing the competitiveness of JSC "Siberian Agrarian Group". In the process of the study, competitiveness assessment, analysis of the main competitors and development of measures to increase the competitiveness of JSC "Siberian Agrarian Group" were conducted. The topicality of the topic of the final qualified work is that, in a rapidly developing market economy, the competitiveness of an enterprise, determines the basis for the development of an economic strategy, helps to analyze the state and the opportunity for an enterprise to withstand competition

Scaling potential and MOSFET integration of thermally stable Gd silicate dielectrics

We investigate the potential of gadolinium silicate (GdSiO) as a thermally stable high-k gate dielectric in a gate first integration scheme. There silicon diffuses into gadolinium oxide (Gd2O3) from a silicon oxide (SiO2) interlayer specifically prepared for this purpose. We report on the scaling potential based on detailed material analysis. Gate leakage current densities and EOT values are compatible with an ITRS requirement for low stand by power (LSTP). The applicability of this GdSiO process is demonstrated by fully functional silicon on insulator (SOI) metal oxide semiconductor field effect transistors (MOSFETs). (C) 2009 Elsevier B.V. All rights reserved