Dotierungs- und Grenzflaechenuntersuchungen bei InP Epitaxieschichten

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GROWTH OF InP-EPITAXIAL LAYERS : A COMPARISON BETWEEN MOVPE- AND VPE-TECHNIQUES

La croissance de InP par MOVPE à partir de triméthylindium-triméthylphosphane (CH3) 3In-P(CH3)3, d'un porteur organométallique et de phosphane P(CH3) 3est présentée. La température de croissance variait de 500°C à 6800°. La vitesse de croissance était de l'ordre de 1 - 2 µm/h. Les résultats de ce procédé d'épitaxie sont comparés avec les résultats obtenus avec le système PCl3/In/H2. Enfin, des structures n+/n/n+ ont été utilisées pour la fabrication d'oscillateurs Gunn dans des fréquences allant jusqu'à 140 GHz.MOVPE growth of InP with trimethylindium-trimethylphosphane (CH3) 3In-P (CH 3) 3, a metalorganic adduct and phosphane P(CH3)3 are reported. The growth temperature was varied between 500 and 600°C. The growth rate is about 1 - 2 µm/h. The results of this epitaxial process are compared with results on the PCl3/In/H2-system. Finally n+/n/n+-structures are used for the fabrication of Gunn oscillators in the frequency range up to 140 GHz

Heterostruktur-Bauelemente fuer 40GHz/80GHz-Komponenten Schlussbericht

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