LBIC ANALYSIS FOR GRAIN-BOUNDARY CHARACTERIZATION IN INHOMOGENEOUS MATERIALS

The interfacial recombination velocity S of Grain-Boundaries (G.B.'s) may be evaluated by means of LBIC scan line at wavelength λ ≥ 940 nm using a finite diameter light spot. ZOOK /1/ has proposed a method to determine S, based on the photocurrent attenuation within a G.B., assuming that the minority carrier diffusion length L in the grains is constant. This assumption is not experimentally verified and causes large errors in the S evaluation

Influence of dislocations on dark current of multicrystalline silicon N+^+ P junction

A detailed characterization of the dark current in large grained polycristalline silicon cells is given. This current is greatly influenced by the presence of dislocations. A new model for the shunt current transmitted by these defects is given. It is found that this current is proportional to $\exp(qV/2 kT)$. The comparison between the three essential components of the dark current (diffusion, recombination and shunt component) indicates that the shunt component is the dominant one at low applied voltage ($V < 300$ mV ). Even at higher voltage ($V >300$ mV ) the shunt component is comparable to the diffusion one when the dislocation density is greater than $10^5$ cm$^{-2}$. The computed results are in agreement with experimental ones.Une analyse détaillée des composantes du courant d'obscurité en polarisation directe dans des jonctions N$^+$ P au silicium multicristallin est proposée. Elle tient compte des dislocations qui traversent la jonction et sa région de charge d'espace. Un modèle a été établi, attribuant une conductibilité aux dislocations. Le courant traversant ces défauts varierait comme $\exp(qV/2 kT)$, et serait le courant dominant aux faibles tensions de polarisation ($V < 300$ mV). Toutefois pour des tensions supérieures à 300 mV, ce courant peut être comparable au courant de diffusion provenant des régions neutres de la jonction, lorsque la densité des dislocations est supérieure à $10^5$ cm$^{-2}$. Les prévisions du modèle sont en bon accord avec les résultats expérimentaux

Influence of dislocations on photovoltaic properties of multicrystalline silicon solar cells

The photovoltaic properties of large grained polycrystalline silicon solar cells are mainly affected by the presence of dislocations. Both the recombination of carriers at dislocation (which degrades the photocurrent) and the transport of carriers along the dislocation cores crossing the junction (which increases the dark current) are taken into account. The influence of the density $N_{\rm dis}$ and recombination activity $S_{\rm d}$ of dislocations on the short circuit current density $J_{\rm sc}$, open circuit voltage $V_{\rm oc}$, fill factor $FF$, and efficiency $\eta$ are computed. The computed values are compared to experimental results.Les propriétés photovoltaïques des cellules solaires au silicium multicristallin à gros grains, sont principalement affectées par la présence de dislocations. Nous nous intéressons plus particulièrement à la recombinaison des porteurs de charges aux dislocations qui affecte en premier lieu le photocourant et au transport des charges le long du cœur des dislocations traversant la jonction et qui est responsable de l'augmentation du courant d'obscurité. Nous avons modélisé l'influence de la densité de dislocations $N_{\rm dis}$ et de leur activité recombinante $S_{\rm d}$ sur les principaux paramètres photovoltaïques (le courant de court-circuit $J_{\rm sc}$, la tension de circuit ouvert $V_{\rm oc}$, le facteur de forme $FF$, et le rendement $\eta$). Le modèle est ensuite confronté aux résultats expérimentaux