Resolution and t-spectrum for the ALFA detector

My report as Summer Student is in two parts. In the first part I report about my attendance to the run of the ALFA detector to test different collimation schemas and find a new way to get rid of the background. The second part is about the measurement of the resolution of the ALFA detector and comparing the real data with the Monte-Carlo (MC) simulations. First of all I tried to be more familiar with ROOT, worked on understanding the code used to access to the data in the trees inside the Ntuples, plotting histograms,… This was done using old Ntuples which contain MC data

Etude des defauts cristallins et des proprietes physiques associees dans CdTe et ses alliages avec ZnTe, MnTe

SIGLECNRS T Bordereau / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

The effect of growth conditions, point defects and hydrogen on the electronic structure and properties of p-type (Al,N) codoped ZnO: A first principles study

Abstract The effects of point defects, hydrogen, and growth conditions on the electronic structure and properties of the (Al,N) codoped p-type ZnO have been investigated using the first principles method. The obtained results showed that the AlZn-NO-VZn complex is a shallow acceptor that can play an important role in achieving the p-type conductivity in the (Al,N) codoped ZnO films. Our results showed also that the electrical conductivity type in the (Al,N) codoped ZnO films strongly depends on the donor/acceptor concentrations ratio. The codoped ZnO films prepared under both Zn-rich and O-rich growth conditions with a donors/acceptors ratio of 1:2 have a p-type conductivity, while those prepared with a ratio of 1:1 cannot be p-type unless if they are prepared under O-rich conditions. The achieved p-type quality depends also on the used nitrogen doping source. To prepare p-type ZnO film of high quality using the (Al,N) codoping method, the use of NO or NO2 is recommended. The presence of donor defects such as oxygen vacancies and hydrogen will significantly affect the electronic properties of the (Al,N) codoped ZnO films, and if the concentration of these defects in the sample is high enough, the material can be easily converted to n-typ

Effect of the Elaboration Conditions on the Structural, Morphological and Luminescence Properties of ZnO Nanopowders

Pure ZnO nanopowders were synthesized by the sol-gel method, which has several advantages, among which we include, achieving low temperature deposition and synthesis of new hybrid organo-mineral materials. The effect of the elaboration conditions (the elaboration concentrations ratio of precursors $(C_{Z}//C_{A})$, the gelling temperature $(T_g)$ and the gelling time $(t_g)$) on the structural, morphological and luminescence properties of ZnO nanopowders has been investigated. The chemical composition of the powders, determined by FTIR spectroscopy, indicate the exclusive presence of Zn-O bonds, as it is shown by the XRD spectra. The XRD results indicate also that the synthesized ZnO powder is a solid solution, crystallizing in pure würtzite structure with a minimum grain size of about 23 nm for the powders prepared using: $C_{Z}//C_{A}$=0.06%, $T_g$=130°C and $T_g$=4 h. The morphological aspect, given by the SEM images, revealed that the powders are made of sheets, consisting of small particles agglomerated together. The photoluminescence study of the ZnO powders shows spectra with luminescence peaks from green to ultraviolet light, the more intensive emission is connected to the peaks of the blue luminescence

Ефект впливу довжини каналу на порогові характеристики безперехідних циліндричних польових транзисторів із затвором з діелектриків з високою проникністю

Інтенсивне зменшення довжини каналу для польового транзистора з контактом металнапівпровідник у якості затвору (MOSFET) накладає значні обмеження, зокрема, на управління ефектами короткого каналу в нанорозмірних MOSFET. Ці обмеження можуть погіршити продуктивність пристрою, що визначає межі мініатюризації MOSFET в наноелектронних приладах. Для того щоб зменшити вплив ефектів короткого каналу, було повідомлено про ряд нових конфігурацій. Завдяки більш високим можливостям масштабування, в майбутньому очікуються польові транзистори з двома затворами (DG-MOSFET). Однак, при постійній мініатюризації інші серйозні проблеми, пов'язані з максимальною дисипацією потужності та вартістю виготовлення, все ще зберігаються внаслідок високих витрат, які використовуються для розробки p-n-переходів. Нещодавно була запропонована нова конструкція під назвою безперехідний MOSFET без переходів джерело/сток, що є відмінною альтернативою звичайним MOSFET. Основною перевагою цієї структури є посилена процедура виготовлення шляхом усунення p-n-переходів. У даній роботі досліджено вплив довжини каналу та матеріалів високої щільності на підпорогові характеристики безперехідних циліндричних польових транзисторів (JLTMCSG-MOSFET) з високоелектричними діелектриками затворів та пробними матеріалами з використанням двовимірної аналітичної моделі. Ця модель базується на розв'язанні рівняння Пуассона в безперервних циліндричних областях використовуючи метод суперпозиції, де для отримання точного розв’язку використовувалися ряд Фур'є-Бесселя та метод сепарації. Продуктивність JLTMCSGMOSFET малої потужності досліджено з точки зору розподілу поверхневого потенціалу, електричного поля, підпорогового струму, зниження індукованого стоком бар'єру, підпорогового нахилу і порогової напруги. Це дослідження проводиться в широкому діапазоні довжин каналів і з використанням високоелектричних затворів. Дане дослідження підтверджує, що використана аналітична модель корисна не тільки для моделювання схем, а й для проектування та оптимізації пристроїв як для логічних, так і для аналогових радіочастотних схем.The intensive decrease of channel length for a MOS transistor imposes extensive constraints notably for controlling the short channel effects (SCEs) in nanoscale MOSFET. These constraints can degrade the device performance, hence determining the limits of miniaturization of MOSFET in nanoelectronics applications. In order to reduce the degree of SCEs, a number of new architectures have been reported. Due to their higher scaling capabilities, the double-gate (DG) MOSFETs are expected to be maintained in future nanoelectronics applications. However, with the continuous miniaturization other serious challenges related to the maximum power dissipation and the fabrication cost still persist owing to the high cost techniques used for the elaboration of the p-n junctions. Recently, a new design called junctionless MOSFET without source/drain junctions has been proposed to be an excellent alternative to the conventional MOSFET. The major advantage of this structure resides on the enhanced fabrication procedure through the elimination of the p-n junctions. In this work, the impact of channel length and high-k gate dielectrics materials on the subthreshold characteristics of junctionless trial material cylindrical surrounding-gate MOSFETs (JLTMCSG-MOSFETs) with high-k gate dielectrics and trial material (TM) structure has been studied using two-dimensional analytical model. This model is based on the solution of Poisson’s equation in continuous cylindrical regions using superposition method, where the Fourier-Bessel series and separation method have been used to obtain the accurate solution. The performance of low power JLTMCSG-MOSFETs is investigated in terms of surface potential distribution, electrical field, subthreshold current, drain induced barrier lowering (DIBL), subthreshold slope (SS) and threshold voltage (Vth). This study is carried out over a wide range of channel lengths and using high-k gate dielectrics. This study confirms that the analytical model used is useful not only for circuit simulations, but also for device design and optimization for both logic and analog RF circuits applications

Relations between structural parameters and physical properties in CdTe and Cd0.96Zn0.04Te alloys

Electrical measurements and photoluminescence experiments were performed on several CdTe and Cd0.96Zn0.04Te crystals with dislocation density in the range 5 x 104 - 6 × 105 cm-2. The observed variation in electron mobility has been interpreted in terms of scattering on space charge regions surrounding dislocations, a related reduction in the effective volume of the crystals, and excess scattering due to a non ideal alloy behaviour. The linewidth of the acceptor-bound exciton recombination line includes contributions due to alloy disorder and dislocations, the latter being enhanced in the alloys.Des mesures électriques et des expériences de photoluminescence ont été réalisées sur des cristaux de CdTe et de Cd0,96Zn0,04Te, de densité de dislocations variant entre 5 x 104 et 6 x 10 5 cm-2. La variation de la mobilité électronique a été interprétée en termes de : diffusion sur les régions de charge d'espace entourant les dislocations, réduction correspondante du volume effectif des cristaux, diffusion en excès dans les alliages due à leur caractère non idéal. La largeur de raie de recombinaison d'excitons liés à des accepteurs neutres se décompose en contributions associées au désordre d'alliage et aux dislocations, cette demière étant augmentée dans les alliages