Determining the Maternal and Fetal Cellular Immunologic Contributions in Preterm Deliveries With Clinical or Subclinical Chorioamnionitis

Objective: Our purpose was to determine the maternal and fetal polymorphonuclear contributions to preterm histologic chorioamnionitis and whether this response differs in clinical chorioamnionitis when compared to cases without clinical chorioamnionitis

Adhesion Development and the Expression of Endothelial Nitric Oxide Synthase

Objective: This study was conducted to determine whether nitric oxide (NO), a potent vasodilator and inhibitor of thrombus formation, is involved in the formation and maintenance of adhesions. Methods: Skin, subcutaneous tissues, peritoneum and adhesions were collected from surgical patients and total RNA was isolated. Quantitative reverse transcription polymerase chain reaction (QRT-PCR) was performed to quantitate endothelial nitric oxide synthase (eNOS) and β-actin mRNA levels. Results: eNOS mRNA levels for skin, subcutaneous tissue, peritoneum and adhesions were ≤ 3.12 × 10(-4), ≤ 3.12 × 10(-4), 6.24 × 10(-4) and 2.5 × 10(-3) attomoles/μl, respectively. β-actin mRNA levels for all tissues were between 1.25 × 10(-1) and 6.25 × 10(-2) attomoles/μl. Conclusion: eNOS mRNA can be identified in tissue adhesions, and may therefore play a role in adhesion formation and maintenance

НАПРАВЛЕННАЯ КРИСТАЛЛИЗАЦИЯ МУЛЬТИКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО КРЕМНИЯ В УСЛОВИЯХ ОСЛАБЛЕННОЙ КОНВЕКЦИИ РАСПЛАВА И ГАЗООБМЕНА

For the first time silicon was grown by means of directional crystallization and using the submerged into the melt heater multi−crystalline. To study interaction of the heater casing material with molten silicon we used the model of the heater in the form of a graphite plate coated with a protective layer of SiC of the special structure. During the crystallization, the plate was on the melt surface and almost completely overlaid the surface of the melt, thereby significantly reducing the intensity of gas exchange between the melt and the atmosphere in the furnace. The absence of a free surface of the melt resulted in the absence of Marangoni convection, and the crystal grew under the conditions of reduced melt convection, especially at the final stages of crystallization, when the thickness of the melt layer was much less than the cross size of the crucible. The crystal structure has a strongly pronounced columnar structure; measured data on resistivity varies over the ingot height from 1 to 1.3 Ω⋅cm, and the lifetime of minority carriers is about 3.7 µs. FTIR studies of a carbon content showed the longitudinal distribution to fundamentally differ from the linear dependence typical for the method of directional crystallization.Впервые методом направленной кристаллизации с использованием погруженного в расплав нагревателя выращен слиток мультикристаллического кремния. Для изучения взаимодействия материала корпуса нагревателя с расплавленным кремнием использован макет нагревателя в виде графитовой пластины, покрытой защитным слоем SiC специальной структуры. В процессе кристаллизации пластина находилась на поверхности расплава и практически полностью перекрывала зеркало расплава. Это существенно снизило интенсивность газообмена между расплавом и атмосферой в печи. В отсутствие свободной поверхности у расплава конвекция Марангони не возникала. Кристалл рос в условиях ослабленной конвекции расплава, особенно на завершающей стадии кристаллизации, когда толщина слоя расплава была значительно меньше поперечного размера тигля. Установлено, что полученный кристалл имеет ярко выраженную столбчатую структуру. Измеренное удельное сопротивление меняется с высотой слитка от 1 до 1,3 Ом ⋅ см, а время жизни неосновных носителей заряда достигает 3,7 мкс. С помощью Фурье−ИК−спектроскопии проведено исследование распределения кислорода и углерода по слитку. Показан принципиально иной характер изменения концентрации углерода по высоте слитка по сравнению с типичной линейной зависимостью для метода направленной кристаллизации

К ВОЗМОЖНОСТИ ВЫРАЩИВАНИЯ ОБЪЕМНЫХ КРИСТАЛЛОВ Si—Ge МЕТОДОМ ОСЕВОГО ТЕПЛОВОГО ПОТОКА ВБЛИЗИ ФРОНТА КРИСТАЛЛИЗАЦИИ

A technique for crucibleless growth of single−crystal silicon and its alloys with germanium is developed. For this purpose, the setup of floating zone method was used, which was equipped with additional so−called AHP heater. The heater forms around itself a melt zone that is suspended between the growing crystal, the feeding rod and correspondingly the bottom and the top surfaces of the AHP heater by forces of surface tension. To protect the graphite casing of the heater against the aggressive action of molten silicon, the casing surface was coated with SiC having a special nano−crystalline structure. The system of automation control of the AHP crystallization mode is described. It allows controlling the thermal field near the growing crystal with an accuracy of about 0.05−0.1 K. Numerical computations of heat and mass transfer during the solidification of SixGe1−x alloy with a 2% Si content, as well as shaping of the free Si−Ge melt surface during the crystal pulling were performed. Uniform bulk crystals were obtained. The range of the highest melt layer at which the shaping process remains stable was found to be 10−20 mm. The grown As−doped Si single crystals showed to have strong twining directly caused by presence of the SiC inclusions revealed in the crystal bulk. The possibility to achieve a convex and nearly flat shape of the interface by means of the AHP heater was proved. The layered mechanism of Si crystallization was found to be present during crystal growth on a seed in the [111] direction, with the faceted area under certain conditions occupying almost the entire crystal cross section.Разработан метод бестигельного выращивания монокристаллов кремния и его соединений с германием — метод осевого теплового потока вблизи фронта кристаллизации (ОТФ). Для его реализации использована установка получения кристаллов методом плавающей зоны, в которой дополнительно используется так называемый ОТФ−нагреватель. Нагреватель формирует вокруг себя зону расплава, который удерживается силами поверхностного натяжения между растущим кристаллом, питающим стержнем и нижней и верхней поверхностями ОТФ−нагревателя соответственно. Для защиты графитового корпуса нагревателя от агрессивного действия расплавленного кремния его поверхность покрыта слоем SiC, имеющим специальную нанокристаллическую структуру. Описана система автоматического управления процессом ОТФ−кристаллизации, обеспечивающая поддержание температурного поля вблизи растущего кристалла с точностью 0,05—0,1 К. Проведено численное моделирование тепломассопереноса при росте соединения SixGe1−x, содержащего 2 % Si , а также моделирование формообразования свободной поверхности расплава Si—Ge при вытягивании кристалла. Показана возможность по-лучения однородных по сечению и длине объемных монокристаллов, найден диапазон максимально достижимой высоты слоя расплава, составляющий 10—20 мм, при котором еще сохраняется устойчивость процесса капиллярного формообразования. Выращены легированные сурьмой монокристаллы кремния, характеризующиеся сильным двойникованием, которое непосредственно связано с обнаруженными включениями частиц SiC в кристаллическом кремнии. Подтверждена возможность формирования с помощью ОТФ−нагревателя выпуклой и близкой к плоской формы фронта кристаллизации. Установлено, что при выращивании на затравку в на-правлении [111] реализуется послойный механизм роста кремния, причем область гранного роста при определенных условиях занимает почти все сечение кристалла

Как обеспечить постоянную концентрацию примеси по высоте слитка

On the basis of segregation study in crystal growth from a thin melt layer in presence of the submerged heater the possibility to obtain the uniform material along the height of the ingot is shown. Numerically in modeling of solidification of 200 mm in a diameter Sb doped Ge the accurate solution with account for convection was found in the central part of the domain to coincide with the one dimension problem for the melt layer beginning from 40 mm. Condition to neglect with convection in mass transfer are to be more rigorous: the melt layer should be less than 20 mm. In this case, one may use Tiller’s equation obtained to calculate the axial impurity distribution in approach of the diffusion-control segregation. The analysis of attempts to describe experimental data of crystal growth by use of the simplified equations has shown their validity in case of account for actual crystal growth rate or change in the melt layer thickness during the run, as in expression find by Marchenko et al. The above said makes it possible for to describe analytically the axial distribution of impurity in the ingot, particularly, for B and P in silicon and to recommend the amount of its concentration over the height. The uniform material in the very end of the solidification process of the rest portion of the ingot can be obtained by the variation of the growth rate due to change in the cooling rate with time.На основе исследования сегрегации при выращивании германия и кремния из тонкого слоя расплава с использованием техники погруженного нагревателя показана возможность получения однородных по высоте кристаллов. Численно при моделировании кристаллизации легированного сурьмой германии диаметром 200 мм найдено, что, начиная с толщины слоя расплава в 40 мм, точное решение с учетом конвекции совпадает в центральной части расчетной области с задачей теплообмена в одномерной постановке. Условия, при которых можно в массопереносе пренебречь конвекцией, более жесткие: слой расплава должен быть менее 20 мм. В этом случае можно использовать соотношение Тиллера для расчета продольного распределения примеси в условиях преимущественно диффузионного характера переноса. Анализ попыток описания экспериментальных данных по росту кристаллов с помощью упрощенных формул показал, что они дают приемлемые результаты лишь при условии, если учитывается реальная скорость роста или изменение толщины слоя расплава в процессе кристаллизации, как в формуле Марченко с соавторами. Сказанное позволяет аналитически описать продольное распределение примеси в слитке, в частности для B и P в кремнии, и рекомендовать величину дополнительного легирования зоны расплава под нагревателем, чтобы обеспечить постоянную ее концентрацию по высоте кристалла. Однородный материал при затвердевании остаточного слоя в самом конце слитка может быть получен за счет вариации скорости роста при изменении во времени темпа его охлаждения

Proyecto de investigación de la cátedra de Psicología Social: la especificidad en Psicología Social

La Psicología en tanto universal se ocupa de los fenómenos psíquicos, susceptibles de ser sometidos al logos (= razón =ley universal =Kant) según lo propone Piaget; ya que las estructuras cognitivas son sociales y psíquicas, universales, y específicamente humanas. Por otro lado, dentro de este mismo campo “psi” existen fenómenos no-psico-lógicos sino psicoanalíticos descubiertos por Freud. Nuestra hipótesis es que si existieran un tercer tipo de fenómenos psíquicos, que no sean ni psicológicos ni psicoanalíticos, determinados por lo que está por fuera de lo social -en tanto entramado de relaciones desiguales de producción- se trataría de fenómenos psicosociales, específicos de la Psicología Social. Los objetivos planteados son: aportar contenidos para identificar el objeto de la disciplina, delimitar un campo propio y de intervención profesional posible.Eje: Psicología Social Publicado en: Memorias del IV Congreso Internacional de Investigación de la Facultad de Psicología: conocimiento y práctica profesional: perspectivas y problemáticas actuales - Tomo IIFacultad de Psicologí

Galactose and its Metabolites Deteriorate Metaphase II Mouse Oocyte Quality and Subsequent Embryo Development by Disrupting the Spindle Structure

Premature ovarian insufficiency (POI) is a frequent long-term complication of classic galactosemia. The majority of women with this disorder develop POI, however rare spontaneous pregnancies have been reported. Here, we evaluate the effect of D-galactose and its metabolites, galactitol and galactose 1-phosphate, on oocyte quality as well as embryo development to elucidate the mechanism through which these compounds mediate oocyte deterioration. Metaphase II mouse oocytes (n=240), with and without cumulus cells (CCs), were exposed for 4hours to D-galactose (2μM), galactitol (11μM) and galactose 1-phosphate (0.1mM), (corresponding to plasma concentrations in patients on galactoserestricted diet) and compared to controls. The treated oocytes showed decreased quality as a function of significant enhancement in production of reactive oxygen species (ROS) when compared to controls. The presence of CCs offered no protection, as elevated ROS was accompanied by increased apoptosis of CCs. Our results suggested that D-galactose and its metabolites disturbed the spindle structure and chromosomal alignment, which was associated with significant decline in oocyte cleavage and blastocyst development after in-vitro fertilization. The results provide insight into prevention and treatment strategies that may be used to extend the window of fertility in these patients