1 research outputs found
Improvement of microstructure and mechanical properties of high dense SiC ceramics manufactured by high-speed hot pressing
Non-oxide ceramics possess high physical-mechanical properties, corrosion and radiation resistance, which can be used as a protective materials for radioactive wastes disposal. The aim of the present study was the manufacturing of high density SiC ceramics with advanced physical and mechanical parameters. The high performance on the properties of produced ceramics was determined by the dense and monolithic structure. The densified silicon carbide samples possessed good mechanical strength, with a high Vickers micro hardness up to 28.5 GPa.ΠΠ΅Π·ΠΊΠΈΡΠ½Π΅Π²Ρ ΠΊΠ΅ΡΠ°ΠΌΡΡΠ½Ρ ΠΌΠ°ΡΠ΅ΡΡΠ°Π»ΠΈ Π΄Π΅ΠΌΠΎΠ½ΡΡΡΡΡΡΡ Π²ΠΈΡΠΎΠΊΡ ΡΡΠ·ΠΈΠΊΠΎ-ΠΌΠ΅Ρ
Π°Π½ΡΡΠ½Ρ Π²Π»Π°ΡΡΠΈΠ²ΠΎΡΡΡ, ΠΊΠΎΡΠΎΠ·ΡΠΉΠ½Ρ ΡΠ° ΡΠ°Π΄ΡΠ°ΡΡΠΉΠ½Ρ ΡΡΡΠΉΠΊΡΡΡΡ, ΡΠΎ ΡΠΎΠ±Π»ΡΡΡ ΡΡ
ΠΏΠ΅ΡΡΠΏΠ΅ΠΊΡΠΈΠ²Π½ΠΈΠΌΠΈ ΠΊΠ°Π½Π΄ΠΈΠ΄Π°ΡΠ°ΠΌΠΈ Π΄Π»Ρ Π²ΠΈΠΊΠΎΡΠΈΡΡΠ°Π½Π½Ρ Π² ΡΠΊΠΎΡΡΡ Π±Π°Ρ'ΡΡΠ½ΠΈΡ
ΠΌΠ°ΡΠ΅ΡΡΠ°Π»ΡΠ² Π΄Π»Ρ Π·Π°Ρ
ΠΎΡΠΎΠ½Π΅Π½Π½Ρ ΡΠ°Π΄ΡΠΎΠ°ΠΊΡΠΈΠ²Π½ΠΈΡ
Π²ΡΠ΄Ρ
ΠΎΠ΄ΡΠ². ΠΠ΅ΡΠΎΡ ΡΡΡΡ ΡΠΎΠ±ΠΎΡΠΈ Π±ΡΠ»ΠΎ ΠΎΡΡΠΈΠΌΠ°Π½Π½Ρ Π²ΠΈΡΠΎΠΊΠΎΡΡΠ»ΡΠ½ΠΎΡ SiC-ΠΊΠ΅ΡΠ°ΠΌΡΠΊΠΈ Π· Π²Π΄ΠΎΡΠΊΠΎΠ½Π°Π»Π΅Π½ΠΈΠΌΠΈ ΡΡΠ·ΠΈΡΠ½ΠΈΠΌΠΈ Ρ ΠΌΠ΅Ρ
Π°Π½ΡΡΠ½ΠΈΠΌΠΈ Π²Π»Π°ΡΡΠΈΠ²ΠΎΡΡΡΠΌΠΈ. ΠΠΈΡΠΎΠΊΡ ΠΏΠ°ΡΠ°ΠΌΠ΅ΡΡΠΈ ΠΎΡΡΠΈΠΌΠ°Π½ΠΎΡ ΠΊΠ΅ΡΠ°ΠΌΡΠΊΠΈ Π²ΠΈΠ·Π½Π°ΡΠ°ΡΡΡΡΡ ΡΠΎΡΠΌΡΠ²Π°Π½Π½ΡΠΌ Π²ΠΈΡΠΎΠΊΠΎΡΡΠ»ΡΠ½ΠΎΡ Ρ ΠΌΠΎΠ½ΠΎΠ»ΡΡΠ½ΠΎΡ ΡΡΡΡΠΊΡΡΡΠΈ. ΠΠ΅ΡΠ°ΠΌΡΠΊΠ° ΠΊΠ°ΡΠ±ΡΠ΄Ρ ΠΊΡΠ΅ΠΌΠ½ΡΡ ΠΌΠ°Ρ ΠΏΠΎΠ»ΡΠΏΡΠ΅Π½Ρ ΠΌΠ΅Ρ
Π°Π½ΡΡΠ½Ρ ΠΌΡΡΠ½ΡΡΡΡ Ρ Π²ΠΈΡΠΎΠΊΡ ΡΠ²Π΅ΡΠ΄ΡΡΡΡ ΠΏΠΎ ΠΡΠΊΠΊΠ΅ΡΡΡ ΠΏΠΎΡΡΠ΄ΠΊΠ° 28,5 ΠΠa.ΠΠ΅ΡΠΊΠΈΡΠ»ΠΎΡΠΎΠ΄Π½ΡΠ΅ ΠΊΠ΅ΡΠ°ΠΌΠΈΡΠ΅ΡΠΊΠΈΠ΅ ΠΌΠ°ΡΠ΅ΡΠΈΠ°Π»Ρ Π΄Π΅ΠΌΠΎΠ½ΡΡΡΠΈΡΡΡΡ Π²ΡΡΠΎΠΊΠΈΠ΅ ΡΠΈΠ·ΠΈΠΊΠΎ-ΠΌΠ΅Ρ
Π°Π½ΠΈΡΠ΅ΡΠΊΠΈΠ΅ ΡΠ²ΠΎΠΉΡΡΠ²Π°, ΠΊΠΎΡΡΠΎΠ·ΠΈΠΎΠ½Π½ΡΡ ΠΈ ΡΠ°Π΄ΠΈΠ°ΡΠΈΠΎΠ½Π½ΡΡ ΡΡΠΎΠΉΠΊΠΎΡΡΡ, Π΄Π΅Π»Π°ΡΡΠΈΠ΅ ΠΈΡ
ΠΏΠ΅ΡΡΠΏΠ΅ΠΊΡΠΈΠ²Π½ΡΠΌΠΈ ΠΊΠ°Π½Π΄ΠΈΠ΄Π°ΡΠ°ΠΌΠΈ Π΄Π»Ρ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡΠ·ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΡ Π² ΠΊΠ°ΡΠ΅ΡΡΠ²Π΅ Π±Π°ΡΡΠ΅ΡΠ½ΡΡ
ΠΌΠ°ΡΠ΅ΡΠΈΠ°Π»ΠΎΠ² Π΄Π»Ρ Π·Π°Ρ
ΠΎΡΠΎΠ½Π΅Π½ΠΈΡ ΡΠ°Π΄ΠΈΠΎΠ°ΠΊΡΠΈΠ²Π½ΡΡ
ΠΎΡΡ
ΠΎΠ΄ΠΎΠ². Π¦Π΅Π»ΡΡ Π½Π°ΡΡΠΎΡΡΠ΅ΠΉ ΡΠ°Π±ΠΎΡΡ Π±ΡΠ»ΠΎ ΠΏΠΎΠ»ΡΡΠ΅Π½ΠΈΠ΅ Π²ΡΡΠΎΠΊΠΎΠΏΠ»ΠΎΡΠ½ΠΎΠΉ SiC-ΠΊΠ΅ΡΠ°ΠΌΠΈΠΊΠΈ Ρ ΡΡΠΎΠ²Π΅ΡΡΠ΅Π½ΡΡΠ²ΠΎΠ²Π°Π½Π½ΡΠΌΠΈ ΡΠΈΠ·ΠΈΡΠ΅ΡΠΊΠΈΠΌΠΈ ΠΈ ΠΌΠ΅Ρ
Π°Π½ΠΈΡΠ΅ΡΠΊΠΈΠΌΠΈ ΡΠ²ΠΎΠΉΡΡΠ²Π°ΠΌΠΈ. ΠΡΡΠΎΠΊΠΈΠ΅ ΠΏΠ°ΡΠ°ΠΌΠ΅ΡΡΡ ΠΏΠΎΠ»ΡΡΠ΅Π½Π½ΠΎΠΉ ΠΊΠ΅ΡΠ°ΠΌΠΈΠΊΠΈ ΠΎΠΏΡΠ΅Π΄Π΅Π»ΡΡΡΡΡ ΡΠΎΡΠΌΠΈΡΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠ΅ΠΌ Π²ΡΡΠΎΠΊΠΎΠΏΠ»ΠΎΡΠ½ΠΎΠΉ ΠΈ ΠΌΠΎΠ½ΠΎΠ»ΠΈΡΠ½ΠΎΠΉ ΡΡΡΡΠΊΡΡΡΡ. ΠΠ΅ΡΠ°ΠΌΠΈΠΊΠ° ΠΊΠ°ΡΠ±ΠΈΠ΄Π° ΠΊΡΠ΅ΠΌΠ½ΠΈΡ ΠΎΠ±Π»Π°Π΄Π°Π΅Ρ ΡΠ»ΡΡΡΠ΅Π½Π½ΠΎΠΉ ΠΌΠ΅Ρ
Π°Π½ΠΈΡΠ΅ΡΠΊΠΎΠΉ ΠΏΡΠΎΡΠ½ΠΎΡΡΡΡ ΠΈ Π²ΡΡΠΎΠΊΠΎΠΉ ΡΠ²Π΅ΡΠ΄ΠΎΡΡΡΡ ΠΏΠΎ ΠΠΈΠΊΠΊΠ΅ΡΡΡ ΠΏΠΎΡΡΠ΄ΠΊΠ° 28,5 ΠΠa