Fluoration de l’émail in vitro par laser à rayons ultraviolets

28 samples of human enamel have been studied in order to measure fluoride absorption after treatment with ultraviolet radiations.Samples treated with topical application only presented limited fluoride absorption in enamel surface (up to 0,5 µm deep). The absorption rate was higher, using an U.V. lamp. In samples treated with «excimer» laser, fluoride absorption was much higher in the surface layer and occurred also deeper (3 µm).28 échantillons d’émail dentaire humain ont été analysés afin de quantifier l’absorption du fluor après traitement aux rayons ultraviolets.Les analyses ont montré que les échantillons soumis à une simple application topique présentent une absorption de fluor modeste, uniquement dans les couches superficielles de l’émail (jusqu’à 0,5 µm de profondeur). L’absorption est plus importante en utilisant une lampe à vapeur de mercure. Avec le laser «excimer», comparé aux deux autres méthodes, la fixation du fluor dans le réseau de l’émail est très supérieure en surface et se produit également en profondeur (3 µm)

Interazioni silicio-film metallici nella tecnologia dei dispositivi elettronici

In questi ultimi anni si è assistito ad un crescente interesse per lo studio e la conoscenza delle interazioni che avvengono a basse temperature ed in fase solida fra silicio ed i film sottili usati nelle metallizzazioni in quanto fortemente correlate con le prestazioni, l'affidabilità e la stabilità dei dispositivi.Queste interazioni possono essere suddivise in due categorie: quelle che danno luogo a soluzioni solide dei due elementi e quelle che portano alla formazione di composti. Entrambe le categorie includono metalli di vasto impiego nella tecnologia dei dispositivi quali ad esempio l'Al e l'Au, con cui il silicio forma soluzioni solide, ed il Pt e Pd con cui il silicio forma composti, i siliciuri, attualmente usati per le metallizzazioni dei dispositivi ad alta affidabilità e stabilità.L'articolo si propone di fornire una rassegna dei dati ottenuti nello studio delle interazioni in fase solida silicio-film metallici sottili allo scopo di mostrare quale rilevanza essi possono avere nella progettazione e nella tecnologia dei dispositivi al silicio

Effects of implanted hydrogen on Pd2Si formation

The Pd2Si growth kinetics for evaporated Pd films on (111) Si have been investigated by means of 2 MeV 4He+backscattering spectrometry for as\u2010deposited and high dose H implanted samples in the 200\u2013250\u2009\ub0C temperature range. The implantation energy has been chosen so that most of H atoms stop near the Si/Pd interface. The changes in the H distribution in the annealed samples have been investigated by means of the 1H(1 5N, \u3b1\u3b3)1 2C resonantnuclear reaction. An increase of the growth rate and a decrease of the activation energy of the silicide formation process have been detected in the implanted samples with respect to the as\u2010deposited ones. The thermal treatment induces a noticeable decrease of H content