Determinación de concentración de portadores y altura de la barrera schottky en películas semiconductoras del sistema GaInAsSb

Electrical caracterization was made using mesurements of Hall effect and isoterms curves I-V in layers of cuaternary system GaInAsSb grown by liquid phase epitaxy (LPE) thecnique on single GaSb:Te (100) substrate. The sign and carrier density were determined at room temperature. It was found samples are n-type and the calculated volume densities show strongly doped films. The curves I-V in a range from 75K to 300K, with silver contacs, they present Schottky barrier benhavior, with heights of the barriers around 0.4 eV at room temperature and decrese when the temperature lows. The ideality factors take values heigther than 1 when the temperature decrese.Por medio de medidas de transporte de efecto Hall e isotermas I-V en películas delgadas del sistema cuaternario GaInAsSb se determinó el signo y densidad superficial de portadores de carga. Las películas fueron crecidas por la técnica de epitaxia en fase liquida (LPE) sobre sustratos de GaSb:Te (100). Utilizando el método de las cuatro puntas de Van der Paw se determinó la densidad de portadores a las temperatura de 296 K para películas de este sistema con diferente composición. Se encontró que los portadores son tipo n. Las isotermas características de corriente voltaje obtenidas en un rango de temperatura que va desde 75K hasta-300K, con contactos de plata muestran un comportamiento tipo barrera Schottky con altura de barreras del orden de 0.4 eV a temperatura ambiente y disminuye al bajar la temperatura. El factor de idealidad, obtenido de la curva característica I-V toma valores mayores que 1 a medida que la temperatura disminuye lo cual concuerda con resultados encontrados en la literatura