RÔLE DES NIVEAUX 4f DANS LA CINÉTIQUE DE PHOTOCONDUCTIVITÉ DE L'EuO EN COUCHE MINCE

Dans des expériences préliminaires [1], la comparaison de l'absorption optique avec la photoconductivité spectrale en lumière polarisée circulairement droite et gauche nous a permis de préciser que la transition 4f-5d est responsable de la photoconductivité. Dans ce travail, nous discutons du rôle joué par les niveaux 4f dans le processus de recombinaison des porteurs photoexcités et proposons un modèle simple dans lequel, avant leur recombinaison, les électrons participent au transport dans une bande de conduction. Des mesures de cinétique de photoconductivité ont été faites dans la bande d'absorption fondamentale à la longueur d'onde excitatrice de 6 600 Å, sur des échantillons d'EuO en couches minces. Les cinétiques observées en fonction de la température et du champ magnétique montrent un comportement complexe variant peu avec ces paramètres. La superposition d'un éclairement continu de longueur d'onde variable tend a rendre ce comportement exponentiel avec un effet maximum pour une longueur d'onde voisine de la transition 4f-5d. Ces résultats sont discutés à l'aide d'un modèle dans lequel les transitions électroniques se font entre les niveaux 4f, une bande de conduction et une distribution de pièges peu profonds.In previous experiments [1] the comparison of optical absorption with spectral photoconductivity for left and right circularly polarized light enables us to specify that the 4f-5d transition is responsible for the photoconductivity. In this work, we discuss the role of the 4f levels in recombination process of the photoexcited electrons and we offer a simple model where electrons participate to transport phenomena in the conduction band before their recombination. Measurements of kinetic of photoconductivity were made in the fundamerital absorption band with a wave-length of 6 600 Å on samples of EuO thin films. The frequency diagram observed as a function of temperature and of magnetic fields shows an uneasy behaviour which varies slightly with these parameters. The addition of a continuous lightening with variable wavelenght tends to make this behaviour exponential with a maximum effect for a wavelenght close to the 4f-5d transition. These results are discussed with the help of a model in which theelectronic transitions occur between the 4f levels, a conduction band and a distribution of shallow traps

MODELLING OF THE BEHAVIOUR OF HOPPING CONDUCTIVITY IN A SOLID EXHIBITING A SEMICONDUCTOR-INSULATOR TRANSITION, AS A FUNCTION OF FREQUENCY

We propose a model which explains the evolution of the frequency dependent conductivity while an organized structure appears in an initially amorphous system. We assume that the cristalline organization is connected with the existence of an anisotropy. An anisotropy parameter is calculated. An "a priori" calculation of the conductivity is developped, which correctly accounts for the experimental results obtained on "low temperature" carbons

Etude comparative des modèles à une et deux exponentielles en vue d'une simulation précise des photopiles

A data acquisition system including a desk computer working in real time took the current-voltage measurements under various illumination conditions. The single and double exponential models are considered here in the quadrant of the illuminated operating mode. The single diode model was mostly used to determine the values of some of its elements through approximation methods. These results are compared to those obtained through precise methods of numerical analysis. A comparative evaluation of the effectiveness of the models shows which one is best in view to a precise simulation of the solar cell.Le fonctionnement d'une photopile en tant que générateur de puissance est équivalent à celui d'un circuit électrique comportant un générateur de courant, une combinaison de résistances, et une ou deux diodes qui figurent les exponentielles des modèles. Le modèle à une exponentielle est le plus courant et est utilisé par de nombreux auteurs pour obtenir les valeurs de certains éléments par des méthodes d'approximation. Les résultats ainsi obtenus sont confrontés ici avec ceux obtenus par des méthodes d'analyse numériques précises. Un système de mesures automatiques commandé par ordinateur nous a permis de réaliser l'acquisition des données I-V pour des conditions expérimentales variables en intensité lumineuse et en température. L'évaluation de l'efficacité des modèles à une ou à deux exponentielles permet de sélectionner celui qui est le plus approprié et d'envisager une simulation précise de la photopile en situation réelle

TRAP ENHANCED CONDUCTIVITY MODULATION EFFECT IN P+-N-N+ GAAS DIODES

International audienceThrough computer resolution of the transport equations, the authors show the influence of deep centres on the behaviour of P+-N-N+ or P+-I-N+ GaAs diodes at high forward current levels. Depending on the nature (hole or electron trap) and density of these deep centres, it is possible to decrease the voltage drop at high forward current density and thus to increase the power efficiency of the devices