Властивості багатокомпонентної (Mn-Ni-Co-Al-Si-Ti) оксид-шпінельної ієрархічно організованої наноструктури, осадженої магнетронним розпиленням при двох температурах

Multicomponent spinel films were deposited on Ag/Si substrates by magnetron sputtering. Two substrate temperatures were used. XRD diffraction measurements show that the layers are composed of three metals oxides (Mn2O3, NiO, CoO). The presence of spinel phase is poorly visible. However, electron diffraction measurements (RHEED) clearly confirmed the presence of nanostructured spinel structure on top of the samples. Moreover, AFM measurements show that nanostructured spinel islands are present on the sample surface. The measurements validated that indeed, hierarchically organized spinel-oxides nanostructures were obtained. A possible model growth of the spinel nanostructures at different temperatures is discussed.Багатокомпонентні шпінельніплівки наносили на підкладки Ag/Si методом магнетронного розпилення. Задавали дві температури підкладки. XRD-вимірювання показують, що шари складаються з трьох оксидів металів (Mn2O3, NiO, CoO). Наявність шпінельної фази погано візуалізована. Однак, вимірювання дифракції електронів (RHEED) чітко підтвердили наявність наноструктурованої структури шпінелі поверх зразків. Більш того, АСМ вимірювання вказують, що на поверхні зразка присутні наноструктуровані острівці шпінелі. Дослідження підтвердилиотримання ієрархічно організованихнаноструктур оксидів шпінелі. Обговорено можливий модельний ріст наноструктур шпінелі при різних температурах

Properties of ZnO and ZnMnO Thin Films Obtained by Pulsed Laser Ablation

The results of experimental investigation of structural and physical properties of ZnO and ZnMnO films are presented in this work. The films of ZnO and $Zn_{1-x}Mn_{x}O$ of different thickness were obtained on $Al_{2}O_{3}$, glass, and KCl substrates in vacuum of 1 × $10^{-5}$ Torr by the pulsed laser deposition method. The samples were obtained under the substrate temperature 300-473 K. A thickness of films was in the range of 0.5-1 μm depending on the number of laser pulses. The structure of target bulk materials was investigated by X-ray diffraction method. A structure of laser deposited films was investigated by the transmission high-energy electron diffraction method. Electric resistivity was measured in the temperature range 77-450 K. The presence of two activation energies in the temperature range 300-330 K and 330-450 K is followed from the analysis of the films electrical resistivity. These activation energies correspond to two deep donor's energy levels. The shallow donor's level is connected with manganese presence. Optical transmission of ZnO and ZnMnO films deposited at various temperatures were investigated