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Nonequilibrium plasmons in optically excited semiconductors
An analysis of the nonequilibrium plasmon spectrum of optically excited semiconductors is presented. It is shown that semiconductors with preexisting carrier populations, due, e.g., to a prepump or doping, may exhibit a rich collective excitation spectrum including additional plasmon modes. If these modes are weakly damped they give rise to an essential acceleration of thermalization processes. It is found that the most favorable conditions for this effect to appear are low temperature and p doping. These theoretical predictions are fully confirmed by results of comprehensive pump-probe experiments on bulk GaAs in the presence of a prepump and in doped samples
Relaxation of a kinetic hole due to carrier-carrier scattering in multisubband single-quantum-well semiconductors
Quantum kinetics and thermalization in a particle bath model
We study the dynamics of relaxation and thermalization in an exactly solvable
model of a particle interacting with a harmonic oscillator bath. Our goal is to
understand the effects of non-Markovian processes on the relaxational dynamics
and to compare the exact evolution of the distribution function with
approximate Markovian and Non-Markovian quantum kinetics. There are two
different cases that are studied in detail: i) a quasiparticle (resonance) when
the renormalized frequency of the particle is above the frequency threshold of
the bath and ii) a stable renormalized `particle' state below this threshold.
The time evolution of the occupation number for the particle is evaluated
exactly using different approaches that yield to complementary insights. The
exact solution allows us to investigate the concept of the formation time of a
quasiparticle and to study the difference between the relaxation of the
distribution of bare particles and that of quasiparticles. We derive a
non-Markovian quantum kinetic equation which resums the perturbative series and
includes off-shell effects. A Markovian approximation that includes off-shell
contributions and the usual Boltzmann equation (energy conserving) are obtained
from the quantum kinetic equation in the limit of wide separation of time
scales upon different coarse-graining assumptions. The relaxational dynamics
predicted by the non-Markovian, Markovian and Boltzmann approximations are
compared to the exact result. The Boltzmann approach is seen to fail in the
case of wide resonances and when threshold and renormalization effects are
important.Comment: 39 pages, RevTex, 14 figures (13 eps figures
Relaxation femtoseconde des électrons dans les semiconducteurs en régime non-markovien
Le travail présenté ici porte sur la relaxation des électrons dans les
semiconducteurs et plus particulièrement dans l'arséniure de gallium. L'approche
est à la fois expérimentale (lasers femtosecondes) et théorique (équations de
Bloch pour semiconducteurs et cinétique quantique). Il nous renseigne sur les
processus fondamentaux, notamment les collisions, qui permettent aux électrons de
changer d'énergie et déterminent la rapidité des dispositifs électroniques ou
optoélectroniques.
L'étude repose sur l'utilisation de lasers à impulsions femtosecondes et sur une
méthode pompe-sonde originale car non-dégénérée : l'impulsion pompe injecte
des électrons et des trous en un temps très bref, tandis que l'impulsion sonde est
accordée sur une autre transition utilisant une bande de valence plus profonde car
découplée par l'interaction spin-orbite. Il est ainsi possible de suivre, avec une
résolution temporelle de 30 fs, l'évolution de la distribution des électrons, et
des électrons seulement, sans la superposer à celle des trous.
On observe pour la première fois les tout premiers instants de la relaxation des
électrons pour lesquels la distribution est encore complètement hors d'équilibre,
jusqu'à la thermalisation qui se fait très rapidement, en moins de 300 fs. En
parallèle, l'étude théorique montre la nécessité d'une description
non-markovienne des processus (c'est-à-dire tenant compte du passé des
distributions) que l'on prend en compte avec la théorie de la cinétique quantique
utilisée dans le cadre des équations de Bloch pour semiconducteurs. L'équation de
Boltzmann et la règle d'or de Fermi ne sont en effet plus valables pour des
échelles de temps aussi courtes. L'accord théorie-expérience est d'autant plus
remarquable qu'aucun paramètre ajustable n'a été requis.
L'influence de plusieurs paramètres expérimentaux a aussi été étudiée : une
forte densité de porteurs injectés ralentit la relaxation, alors que la présence
initiale de porteurs froids l'accélère fortement. L'excès d'énergie initial
donné aux électrons est en revanche de peu d'influence. Nous avons aussi adapté
notre méthode à l'étude de la relaxation dans les structures à puits quantiques
et nous en présentons les premiers résultats
Nonequilibrium plasmons in optically excited semiconductors
International audienceAn analysis of the nonequilibrium plasmon spectrum of optically excited semiconductors is presented. It is shown that semiconductors with preexisting carrier populations, due, e.g., to a prepump or doping, may exhibit a rich collective excitation spectrum including additional plasmon modes. If these modes are weakly damped they give rise to an essential acceleration of thermalization processes. It is found that the most favorable conditions for this effect to appear are low temperature and p doping. These theoretical predictions are fully confirmed by results of comprehensive pump-probe experiments on bulk GaAs in the presence of a prepump and in doped samples. Cop. 2000 The American Physical Societ
Experimental Evidence for the Effect of Acoustic Plasmons on Carrier Relaxation in Bulk Semiconductors
We demonstrate experimentally the role of pre--existing populations on the relaxation of nonequilibrium carriers in bulk semiconductors: A substantial acceleration is observed for cold pre--excited carriers and a slowing down for hot equilibrium carriers. Furthermore, experiments in doped samples demonstrate that holes are predominantly responsible for the acceleration of the thermalization. The experimentally observed acceleration (slowing down) is readily explained theoretically by favorable (unfavorable) conditions for the excitation of weakly damped acoustic plasmons. Typeset using REVT E X The relaxation of nonequilibrium carriers in semiconductors and the processes involved have attracted the attention of researchers from the fundamental point of view but are also very important for the functioning of electronic and optoelectronic semiconductor devices. A few researchers have studied the relaxation dynamics of a nonequilibrium population in the presence of equilibrium carrier..