Design and realization of a monitoring system for an evaporating machine

katedra: MTI; přílohy: 1 CD ROM; rozsah: 59 s.Cílem této práce je návrh a praktická realizace monitorovacího systému vakuové napařovačky. Těžištěm praktické části je tvorba ovladače krystalového monitoru SQM242 pro vývojové prostředí Control Web. Následuje návrh aplikace řídící celou technologii napařování, využívající výše zmíněný ovladač a krystalový monitor. Důraz je kladen především na funkčnost a spolehlivost vytvořeného ovládacího programu a uživatelskou přívětivost. Celá práce je kvůli přehlednosti členěna do tematických celků. V úvodní části práce je teoretický rozbor zabývající se problematikou tenkých vrstev a především technologickými postupy jejich nanášení. Následuje vlastní návrh a praktická realizace řídicího systému. Závěr práce se zabývá testováním v reálném provozu a vyhodnocením funkčnosti a spolehlivosti vytvořeného systému.The aim of this work is the design and realization of a monitoring system for an evaporating machine. The crux of the practical part is creation of crystal Card driver (SQM242) for the development environment Control Web. After that follows a design of control application making use of aforesaid crystal Card driver. Emphasis is placed on functionality and reliability of the control program and created user-friendliness. The work is structured for greater clarity into thematic units. In the first part is a theoretical analysis of thin film evaporation technology. After that follows the design and implementation of control system. The conclusion deals with the testing in real traffic and evaluation of functionality and reliability of the system created

Design and fabrication of anti-reflection coating on Gallium Phosphide, Zinc Selenide and Zinc Sulfide substrates for visible and infrared application

The article presents results of design and realization of dual-band antireflection coating on Gallium phosphide substrate. A layer stack of antireflection coating for bands 0.6-0.8μm and 3-5μm was designed using ZnS a MgF2 materials. Layer stack was deposited using thermal evaporation method. Expected transmittance spectra and the ones obtained on coated Gallium phosphide substrate are compared. Efficiency of anti-reflection coating is estimated and discrepancies are analysed and discusse

DC/DC converter for piezoelectric actuators

katedra: MTI; přílohy: 1 CD ROM; rozsah: 51s., 2 s. obr. přílohZadáním této práce je konstrukce DC/DC měniče pro napájení piezoelektrických aktuátorů. Parametry měniče a konstrukce zdroje je uzpůsobena pro využití komerčně dostupného transformátoru pro síťové adaptéry. Návrh tedy neprobíhá standardním způsobem. Je uzpůsoben potřebám vybraného transformátoru. Důraz je kladen především na jednoduchost řešení a funkčnost výsledné realizace. Celá práce je kvůli přehlednosti členěna do tematických celků. V úvodní části jsou vysvětleny základní principy a rozdělení týkající se problematiky spínaných zdrojů. Následuje vlastní návrh a konstrukce DC/DC měniče. V závěru je uvedeno srovnání předpokládaných parametrů s parametry zkonstruovaného měniče.This assignment is about the design DC/DC converters for power piezo actuators. Parameters of the converter structure and resources are designed for the use of commercially available transformer for network adapters. Therefore, the proposal is not standard and it is adapted to needs of the selected transformer. The emphasis is placed on simplicity and functionality of the final implementation. It is easy to follow the assignment because it is divided into thematic units. The introduction explains the basic principles of division on the issue of switching power supply. The design and construction of DC/DC converter is coming after. In conclusion, there is a comparison between the estimated parameters and the parameters of the designed converter

Study of the ion beam induced crystallization of the PZT thin film

Předkládaná disertační práce se zabývá studiem vlivu rozbíhavého iontového svazku na krystalickou strukturu nanášené tenké vrstvy zirkoničitanu-titaničitanu olovnatého (angl. Lead Zirconate titanate -- PZT). Iontový svazek je v našem případě produkován běžně komerčně používaným iontovým zdrojem Kaufmannova typu, určeným k čištění a modifikaci vlastností substrátu a rostoucí tenké vrstvy. V práci je postupně popsáno teoretické pozadí problematiky depozice a charakterizace tenkých vrstev PZT. Dále jsou shrnuty výsledky výzkumu prováděného s konvenčním keramickým naprašovacím terčem. Z těch vyplynula nevhodnost tohoto postupu pro účely experimentování s vlivem iontového svazku na rostoucí vrstvu. Ukázalo se, že je nutností mít možnost cíleně ovlivňovat složení vrstvy, což keramický terč neumožňuje. Následně je v práci navrženo originální řešení tohoto problému pomocí segmentového kovového terče. Proveditelnost tohoto řešení je nejprve analyzována simulacemi a následně demonstrována i praktickými experimenty. Na závěr práce se podařilo experimentálně prokázat, že iontový svazek, dopadající na rostoucí PZT vrstvu může zapříčinit snížení teploty nutné k její následné krystalizaci. V našem případě se tímto způsobem podařilo dosáhnout perovskitové struktury již při 500 °C.This dissertation deals with the study of the effect of the divergent ion beam on the crystal structure of the PZT thin film. In our case, the ion beam is produced by a commercially available Kaufmann-type ion source designed for cleaning and modifying the properties of the substrate surface and the growing thin film. The thesis describes the theoretical background of deposition and characterization of the PZT thin films. Then, there are summarized the results of a research conducted with a conventional ceramic sputter target. It turned out that this approach is in our case inappropriate for studying the effect of the ion beam on the growing thin film. It was necessary to develop an approach, which allow us to precisely control the stechiometry of the deposited PZT thin film. An original solution of this problem is presented in this Thesis by proposing the sputtering from the segmented metal target. The feasibility of this approach has been at first analyzed by simulations and then demonstrated by sputtering experiments. Finally, it was experimentally demonstrated that using the dual ion beam sputtering deposition it is possible to deposit PZT thin films, whose crystallization to perovskite structure was achieved at 500 °C