The pelican guide to modern theology

Australia383 p.; 18 c

Localisation par canalisation des impuretés implantées dans le ZnTe

Due to difficulties to design p-n junctions by means of ionic implantation in ZnTe, we have used channelling techniques to locate implanted impurities and to follow their behaviour in function of the anneal temperature. First, we have summarized the available data on lattice location experiments concerning Silicon and have correlated these measurements with the limit solubility values. Then, concerning ZnTe, we studied the lattice location of elements of column III (B, Tl), V (Bi) and VII (F). Bismuth is found to be at a substitutional site for the anneal temperature of 550 °C.La difficulté de créer par implantation ionique des jonctions p-n dans le ZnTe nous a incités à localiser par les techniques de canalisation les impuretés implantées et à suivre leur évolution en fonction de la température de recuit. Les possibilités de localisation étant liées à la solubilité, les données existantes concernant les expériences de localisation dans le Silicium ont été corrélées avec les valeurs disponibles des solubilités limites. Ne disposant d'aucune donnée concernant le ZnTe, nous avons étudié successivement la localisation des éléments de la colonne III (B, TI), V (Bi) et VII (F). Nous avons trouvé que le Bismuth se place en position substitutionnelle à la température de recuit de 550 °C

Localisation par canalisation des impuretés implantées dans le ZnTe

La difficulté de créer par implantation ionique des jonctions p-n dans le ZnTe nous a incités à localiser par les techniques de canalisation les impuretés implantées et à suivre leur évolution en fonction de la température de recuit. Les possibilités de localisation étant liées à la solubilité, les données existantes concernant les expériences de localisation dans le Silicium ont été corrélées avec les valeurs disponibles des solubilités limites. Ne disposant d'aucune donnée concernant le ZnTe, nous avons étudié successivement la localisation des éléments de la colonne III (B, TI), V (Bi) et VII (F). Nous avons trouvé que le Bismuth se place en position substitutionnelle à la température de recuit de 550 °C

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