THE VAPOR PHASE INTERACTION OF TRIMETHYLALUMINUM WITH GRAPHITE DURING OMVPE

Nous avons étudié l'interaction de (CH3)3Al avec les surfaces de graphite en utilisant un spectrometre de masse à jet moléculaire. Nos résultats indiquent un effect d'adsorption important qui explique des phénomènes observés pendant la croissance organométallique de AlxGa1-xAs comme des transitions lentes de la concentration d'aluminium, et la réduction de l'incorporation d'oxygène et de sélénium.We have used a moleculor beam mass spectrometer to study the interaction of trimethylaluminum (TMA) with graphite surfaces. Our results indicate that a strong adsorption effect occurs which explains phenomena occuring during OMVPE growth of AlxGa1-xAs, such as long Al transients, oxygen gettering, and reduced incorporation of selenium

IN SITU X-RAY SCATTERING STUDIES OF CHEMICAL VAPOR DEPOSITION

La combinaison de la diffusion des rayons x en incidence rasante avec la source de rayonnement synchrotron la plus brillante permet d'étudier les phénomènes de surface complexes qui se produisent près de la pression atmosphérique, dont l'importance est autant fondamentale que technologique. Cet article décrit la première utilisation des rayons x issus d'un ondulateur de l'anneau de stockage PEP pour l'étude de l'un de ces processus : l'épitaxie en phase vapeur sous organométallique. Nous avons étudié in situ la croissance de ZnSe sur GaAs, sous flux de diethylselenium et de diethylzinc. Nous présentons les résultats relatifs à la structure de la surface GaAs(001) sous 100 Torr d'hydrogène et à celle de la surface ZnSe(001) au cours de croissance ; ainsi que relatifs aux cinétiques de relaxation et de réarrangement en fonction des conditions de croissance.The combination of grazing incidence x-ray scattering and the brightest synchrotron undulator radiation source is a powerful tool to study complex, near atmospheric pressure surface processes which have both scientific and technological importance. This paper describes the first use of undulator radiation from the PEP storage ring to study one such process, organometallic vapor phase epitaxy. In particular, the growth of ZnSe on GaAs surfaces from diethylselenium and diethylzinc has been studied in situ. We present results on the structure of GaAs (001) surfaces in 100 Torr of hydrogen, the structure of the ZnSe surface during growth, and the kinetics of surface relaxation and rearrangement following abrupt changes in growth conditions