Culture d'antheres in vitro chez trois Solanacees maraicheres: le piment (Capsicum annuum L.), l'aubergine (Solanum melongena L.), la tomate (Lycopersicon esculentum Mill.) et obtention de plantes haploides

182 ref. *INRA, Montfavet Diffusion du document : INRA, Montfavet Diplôme : Dr. d'Universit

Le dépôt de films minces par ablation laser : un procédé confiné à des niches industrielles ?

Le procédé PLD permet la réalisation de films minces de composition complexe, en particulier des oxydes. Les principaux mécanismes intervenant dans le procédé sont rappelés, notamment celui à l'origine de la production des gouttelettes, qui constitue le principal défaut du procédé. L'application à des niches industrielles est ensuite évoquée pour les supraconducteurs à haute température critique, le carbone adamantin et les films d'oxydes à gradient de composition. Enfin, une géométrie ainsi qu'une technique d'élimination des gouttelettes sont présentées

Le ruban de silicium E.P.R.: élaboration et mise au point d'un dispositif d'analyse des contraintes résiduelles

Le ruban de silicium polycristallin E.P.R. est obtenu par irradiation électronique sous vide de poudre de silicium de qualité métallurgique. Divers processus de purification, dont celui par fusion de zone, conduisent à un matériau de qualité SOG, exploitable pour la réalisation de photopiles à moindre coût. La présence de profils de température non linéaires dans le ruban en cours d'élaboration, de part et d'autre de la zone fondue, conduit à la création de contraintes résiduelles d'origine thermique. La photoélasticimétrie assistée par ordinateur permet d'obtenir une cartographie des contraintes résiduelles principales pour déterminer les conditions d'irradiation les mieux adaptées à un faible taux de contrainte

Nucléation et croissance de films YBa2Cu3O7−δ\mathsf{YBa_{2}Cu_{3}O_{7 - \delta}} déposés par ablation laser sur substrat de MgO(001)

In the field of superconducting devices devoted to microwave applications, the crystalline texture of high quality thin films based on YBa$_{2}$Cu$_{3}$O$_{7 - \delta}$ is of primary importance. This study presents the formation of this texture on MgO substrates with the nucleation and growth steps up to a film thickness of 300 nm as observed by means of AFM, HRTEM and XRD. The influence of deposition temperature on the growth mode is shown and a nucleation/growth model is discussed. The minimum roughness of $c_{\bot 0}{(^1)}$ textured films, 300 nm thick and $20 \times 20$ mm$^{2}$ in size is as slow as 2 nm.Dans le cadre de la réalisation de composants supraconducteurs de haute qualité à base du composé YBa$_{2}$Cu$_{3}$O$_{7 - \delta}$ destinés aux applications en hyperfréquences, le contrôle de la texture cristalline des films est de première importance. La formation de celle-ci sur substrat MgO est étudiée depuis la nucléation jusqu'à une épaisseur de 300 nm au moyen de la microscopie à force atomique, de la microscopie électronique en transmission à haute résolution et de la diffraction des rayons X. L'influence de la température de dépôt sur le mode de croissance est abordée et un modèle de nucléation/croissance est discuté. La rugosité minimale des films d'épaisseur 300 nm et de dimensions $20 \times 20$ mm$^{2}$ de texture $c_{\bot 0}{(^1)}$ est voisine de 2 nm

Le ruban de silicium E.P.R.: élaboration et mise au point d'un dispositif d'analyse des contraintes résiduelles

The E.P.R. polycrystalline silicon ribbon is obtained by an electron beam irradiation in a high vacuum of a metallurgical silicon compacted powder as starting material. Some processes of purification — essentially the molten zone refining — allow to obtain a SOG material quality which may be used for low-cost solar cells manufacturing. Near the molten zone the temperature profiles are not linear, which generates thermal residual stresses. The computer-aided photoelasticimetry allows to obtain the principal residual stress cartography, and then to determine the best irradiation conditions to minimize the thermal stress.Le ruban de silicium polycristallin E.P.R. est obtenu par irradiation électronique sous vide de poudre de silicium de qualité métallurgique. Divers processus de purification, dont celui par fusion de zone, conduisent à un matériau de qualité SOG, exploitable pour la réalisation de photopiles à moindre coût. La présence de profils de température non linéaires dans le ruban en cours d'élaboration, de part et d'autre de la zone fondue, conduit à la création de contraintes résiduelles d'origine thermique. La photoélasticimétrie assistée par ordinateur permet d'obtenir une cartographie des contraintes résiduelles principales pour déterminer les conditions d'irradiation les mieux adaptées à un faible taux de contrainte