2D−3D crossover of the in-plane paraconductivity in optimal doped ReBa₂Cu₃O₇₋δ (Re = Y, Ho) single crystals

The effect of the fluctuation paraconductivity in optimal oxygen-doped ReBa₂Cu₃O₇₋δ (Re = Y, Ho) single crystals has been investigated. The results indicate that the theoretical model of Aslamazov–Larkin (AL) describes the temperature dependence of fluctuation paraconductivity (FP) near the critical temperature (Tc). At temperatures above the temperature of the 2D−3D crossover this dependence is appropriately described by the Lawrence–Doniach (LD) theory. The extended linear dependence of ρab(Т), in the crystal with the minimum critical temperature indicates that we have a high defect concentration in this sample. This in turn causes negative processes into forming fluctuation pairs

Atomistic models for R1–xPrxBa2Cu3O7–δ (R = Y and lanthanides) and related oxides

We report the results of defect structures studies of silicon implanted at different temperatures with Mn ions (Si:Mn) and of GaMnAs layers, next annealed under ambient and high pressures. An influence of annealing conditions on structural properties of Si:Mn and GaMnAs layers was investigated. It has been confirmed that annealing of the Si:Mn samples after implantation results in crystallization of silicon inside the buried postimplanted layer, as well as in the formation of ferromagnetic Mn4Si7 precipitates. A change of strain in the GaMnAs layer, from the compressive to the tensile one, related to a creation of nanoclustered MnAs, was found to be dependent on processing conditions and primary existing structural defects, while independent of the Mn concentration. An influence of primary defects on the structural transformations of the GaMnAs layer is discussed.Атомістичні методи імітаційного моделювання, основані на принципі мінімізації енергії, використані для вивчення структурних параметрів ряду орторомбічних R1–xPrxBa2Cu3O6.5 і пов'язаних з ними сполук. Нові міжатомні потенційні параметри взаємодії одержані для широкого діапазону оксидів, таких як CuO, R2O3, RBa2Cu3O6.5 і R1–xPrxBa2Cu3O6.5 (всього 62 сполуки). Одержані дані знаходяться в доброму узгoдженні з попередніми результатами експериментальних і теоретичних досліджень. Мета даної роботи – прогнозування решіточних потенціалів взаємодії, що можуть бути надалі використані як основа для теоретичного вивчення дефектної хімії надпровідних купратів та інших технологічно важливих оксидів

Atomistic studies of Li+ migration in Y₂O₃ and the structure of related oxides

Atomistic computer simulation techniques based on energy minimization have been employed to predict the equilibrium lattice parameters and volumes of a series of rare-earth sesquioxides and their polymorphs. The results have been found in agreement with experimental data and ab initio studies given in the literature. To demonstrate the applicability of the computational methodology the migration of lithium ions (Li⁺) in yttria (Y₂O₃) has been considered.Атомістичні методи комп’ютерного моделювання, основані на принципі мінімізації енергії, використані для прогнозування рівноважних параметрів і об’єма кристалічної гратки ряда рідкоземельних оксидів та їх поліморф. Результати моделювання знаходяться в доброму узгoдженні з експериментальними і літературними даними. Для демонстрації запропонованої обчислювальної методики розглянутo міграцію іонів літія (Li⁺) в оксиді ітрія (Y₂O₃).Атомистические методы компьютерного моделирования, основанные на принципе минимизации энергии, использованы для предсказания равновесных параметров и объема кристаллической решетки ряда редкоземельных оксидов и их полиморф. Результаты моделирования находятся в хорошем согласии с экспериментальными и литературными данными. Для демонстрации применимости предложенной вычислительной методики рассмотрена миграция ионов лития (Li⁺) в оксиде иттрия (Y₂O₃)

Aluminium-vacancy complexx in Ge₁₋ₓCₓ

A brief review on the potential importance of Ge₁₋ₓCₓ for electro-optic applications and ab initio calculations of the aluminium-vacancy complexes are presented. The stability and geometry of aluminium-vacancy complexes has been examined within the frame of density functional theory and the use of the pseudopotential plane-wave method. The predictions highlight the preference of the cluster geometry on the energetics in Ge₁₋ₓCₓ and the effect of carbon concentration on the stability of clusters