Study of Mass Transfer in Gas Blowing Processes for Silicon Purification

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Croissance et fonctionnalisation du carbure de silicium polycristallin

Dans le domaine de l'électronique basée sur des substrats de SiC (hautes températures, hautes fréquences, fortes puissances), la production de masse des composants est encore limitée par la qualité, la taille et le coût des substrats monocristallins. Une des motivations du projet régional dans lequel s'inscrit cette thèse est de développer un savoir-faire scientifique et technique sur "élaboration de SiC polycristallin adapté aux technologies de report de films minces monocristallins (Smart Cut de SOITEC) qui permet de réduire le coût des plaquettes par la réalisation de quasi-substrats. La réalisation de substrats pour le report nécessite à la fois de fonctionnaliser la surface (flèche, rugosité résiduelle...) et de contrôler la microstructure et les propriétés de masse (conductivités électriques et thermiques) afin de permettre et d'optimiser les étapes d'adhésion moléculaire ainsi que le fonctionnement des dispositifs. Les polycristaux ont été élaborés par des techniques de croissance massive gaz-solide (CVD, PVT et CF-PVT). Des caractérisations multi-échelles (MES, ESSD, spectroscopie Raman et profilométrie)GRENOBLE1-BU Sciences (384212103) / SudocSudocFranceF

Kinetic Model for Gaz-liquid Extraction of Boron from Solar Silicon: the role of Hydrogen

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Achieving a square horizontal cross section of monocrystalline silicon ingots using Kyropoulos technique

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Removing Phosphorus from Molten Silicon: A Thermodynamic Evaluation of Distillation

International audienceWithin the framework of purification of molten silicon for solar cells, phosphorus is one of few impurities that remains problematic. The present purpose is to develop a new method that leads to a final phosphorus concentration around 0.5 wppm. We have first focused on the main thermodynamic parameters that control the process: relevant thermodynamic parameters are taken from literature, such as activities, partial pressures and interaction coefficients. According to our results, distillation of phosphorus under vacuum occurs at high temperatures. Yet, the residual oxygen present in the vacuum is a hindrance to the distillation, since it evaporates in the form of silicon oxides. (C) 2015 The Electrochemical Society. All rights reserved

Modelling and experiments for the convecto-diffusive removal of impurities from the solidification front

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Electromagnetic Levitation Method for Silicon Purification

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Silicon single crystals grown by the Kyropoulos method

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Unveiling Key Limitations of ZnO/Cu 2 O All-Oxide Solar Cells through Numerical Simulations

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Growth of silicon ingots with a square horizontal cross section using Kyropoulos technique

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