Equipe técnica de abacaxi comemora 30 anos de atividades e realizações.

A Embrapa Mandioca e Fruticultura Tropical instituiu há poucos anos atrás, os ?Dias dos Produtos? pesquisados pelo Centro. A data escolhida para a comemoração do ?Dia do Abacaxi? foi 04 de novembro. Isso porque foi nessa data que o navegador genovês, Cristóvão Colombo, em uma de suas históricas viagens, aportou na ilha de Guadalupe, e lá encontrou o abacaxi sendo cultivado pelos nativos. Impressionado pela beleza e forma da planta, pelo aroma e sabor do fruto, coletou alguns exemplares e os levou para a Europa, onde esse fruto teve grande aceitação. Em 2007, a comemoração do ?Dia do Abacaxi? foi adiada e ocorreu no dia 10/12/2007 à tarde, e também teve uma programação diferente, da qual constou, além da confraternização informal de praxe, uma sessão técnica composta de um painel. Nesse painel foram apresentadas quatro palestras referentes a alguns dos impactos e avanços obtidos pela Equipe Técnica de Abacaxi /ETA, da Unidade, ao longo de sua existência. Os temas das palestras versaram sobre o VI Simpósio Internacional de Abacaxi (pela primeira vez realizado no continente sulamericano e, mais especificamente, no Brasil); fitossanidade (fusariose) e produção integrada (com destaque para o Tocantins); melhoramento genético (híbridos resistentes e herança da resistência); usos alternativos do abacaxi (como ornamental, flor de corte, de vaso e de jardim); e aspectos econômicos e de mercado (peso médio do fruto brasileiro e posição do Brasil no mercado internacional). As palestras foram apresentadas, respectivamente, pelos pesquisadores Domingo Haroldo Reinhardt (coordenador do simpósio), Aristóteles Pires de Matos, José Renato Santos Cabral, Janay dos Santos-Serejo, Fernanda Vidigal Duarte Souza e Clóvis Oliveira de Almeida.bitstream/CNPMF/24074/1/documentos_170.pd

Spin-polarized transport in ferromagnetic multilayered semiconductor nanostructures

The occurrence of inhomogeneous spin-density distribution in multilayered ferromagnetic diluted magnetic semiconductor nanostructures leads to strong dependence of the spin-polarized transport properties on these systems. The spin-dependent mobility, conductivity and resistivity in (Ga,Mn)As/GaAs,(Ga,Mn)N/GaN, and (Si,Mn)/Si multilayers are calculated as a function of temperature, scaled by the average magnetization of the diluted magnetic semiconductor layers. An increase of the resistivity near the transition temperature is obtained. We observed that the spin-polarized transport properties changes strongly among the three materials.Comment: 3 pages, 4 figure

Enhanced SnS phase purity of films produced by rapid thermal processing of SnS2 precursors

In this work, we present a procedure to grow single phase SnS thin films consisting on the annealing of RF magnetron sputtered SnS2 precursors . A series of samples was produced by rapid thermal processing of precursors deposited both on bare and Mo coated glass. For those samples the time at maximum temperature and heating rate were variedN/

Various routes for low temperature RFmagnetron sputtering of Indium Tin Oxide films

In this work we have studied the influence of the Ar working pressure, substrate temperature, low power plasma irradiation and partial pressure of hydrogen in the RF-magnetron sputtering of indium tin oxide (ITO) thin films on glass substrates. This work aims at identifying the best conditions to achieve good quality ITO film at low temperature. Four sets of samples were prepared which were characterized by scanning electron microscopy, X-ray diffraction (XRD), Van der Pauw, transmittance and absorbance measurementsN/

Growth and Characterization of single phase SnS thin films by sulphurization of sputtered sulphide precursors

Single-phase SnS thin films have been grown on soda-lime glass substrates based on the sulphurization of RF-magnetron sputtered SnS2 precursors. Two different approaches to sulphurization were compared and thoroughly studied. The two series of identical precursors were sulphurized in the same furnace, inside a graphite box with and without elemental sulphur evaporation. Different maximum sulphurization temperatures, in the range 300ºC to 570ºC, were tested. Sulphurization of SnS2 precursors in a graphite box with and without sulpur vapour at high temperature produces SnS films which appear to be single-phase from the structural analysis. The studies show that the direct absorption transitions of SnS are at 1.41 eV and 1.68 eV for sulphurization in graphite box with and without elemental sulphur evaporation, respectively. The indirect absorption transition values varied from 1.49 eV e 1.37 eV.N/

Nitrogênio e herbicidas no feijoeiro irrigado cultivado sobre palhadas de Brachiaria decumbens.

Este trabalho teve por objetivo avaliar o efeito de palhadas de Brachiaria decumbens na resposta do feijoeiro à aplicação de doses de N em cobertura, com e sem aplicação de herbicidas para o manejo químico de plantas daninhas em pós-emergência.CONAFE

Da cultura do abacaxi.

Situação da cultura do abacaxi no Brasil e sua importância econômica; Aspecto agro-climáticos (Clima e solo); Clima; Temperatura; Pluviosidade; Irrigação; Luminosidade (radiação solar); Fotoperiodismo; solo; Principais variedades cultivadas; Características varietais desejáveis; Características das cultivares Pérola e Cayenne; Outras cultivares; Principais limitações da cultura do abacaxi e meios para resolvê-las; Custos e rentabilidade da cultura do abacaxi; Mercados: consumo "in natura" e indústria.bitstream/item/82158/1/Da-Cultura-do-abacaxi-Getulio-Cunha-Documentos-22-1987.pdfMemória

Fatores abióticos envolvidos na tolerância de trigo à geada.

O objetivo deste trabalho foi avaliar a influência da aclimatação, da intensidade de geada e da disponibilidade hídrica sobre os danos causados pela geada em trigo. Os experimentos foram conduzidos em telados, com trigo cultivado em vasos. A aclimatação e a incidência de geada foram simuladas em câmaras de crescimento. Os fatores abióticos avaliados foram: regimes de aclimatação (com e sem); gradiente de temperatura (2, -2, -4 e -7°C); e variação de disponibilidade hídrica no solo, antes da geada (9, 6, 3 e 1 dia sem irrigação). Todos os fatores foram avaliados no afilhamento, alongamento e espigamento das cultivares: BR-18 Terena, mais tolerante à geada; e BRS 194, menos tolerante. As variáveis avaliadas foram: grau de queima de folhas, sete dias após a geada; massa de matéria seca total; e massa de grãos. A aclimatação do trigo, antes da geada, diminuiu os danos provocados antes do espigamento, e resultou em menor queima de folhas e maior rendimento de grãos. A temperatura de -7°C, no espigamento, resultou em falha na produção de grãos de ambas as cultivares; e os prejuízos com geada foram menores nas plantas com nove dias sem irrigação. As condições anteriores à ocorrência de geada têm influência sobre os danos provocados por ela