ELABORATION DE COUCHES EPITAXIEES DE SILICIUM PAR PULVERISATION IONIQUE

Des homoépitaxies de silicium ont été réalisées par pulvérisation ionique, à une température relativement basse. Les principaux résultats de cette étude sont : une vitesse de croissance proportionnelle au courant d'ions, un bon transfert du dopant entre la cible et le substrat, une faible rugosité des couches. Les conditions de croissance ont été définies de façon à obtenir, pour des couches minces (W ≈ 5000 Å) des qualités cristalline et électrique comparables à celles du silicium massif.Silicon homoepitaxial - layers have been deposited by ion beam sputtering, at relatively low substrate temperatures. The main results of this study are : growth rate proportionnal to the ion beam current, efficient doping element transfer from the target to the substrate, good layer smoothness. Growth conditions have been defined at which thin epitaxial layers (W ≈ 5000 Å) have crystallographic and electrical properties comparable to those of bulk silicon

Erratum - Elaboration de couches épitaxiées de silicium par pulvérisation ionique

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High-spin structures observed in the 101^{101}Tc fission fragment

High-spin states have been studied in $^{101}$Tc produced as a fission fragment in the reaction $^{176}$Yb + $^{28}$Si at 145 MeV. Gamma rays were detected with the EUROGAM2 array. The level scheme of $^{101}$Tc has been extended up to 4.2 MeV excitation energy and several band structures are observed. Configurations are assigned to two new bands on the basis of their behaviour and of cranked Hartree-Fock-Bogolyubov calculations