Análise comparativa das propriedades de óxidos transparentes condutores para aplicação em células solares de filmes finos de CdTe

Este trabalho compara as propriedades de diversos óxidos transparentes condutores para serem utilizadoscomo contatos frontais de células solares de filmes finos de CdTe. Os filmes foram depositados à temperaturaambiente, por pulverização catódica com rádio frequência, sem tratamento térmico posterior, com o objetivode reduzir o número de etapas do processo de fabricação. A relação resistência/transmitância foi avaliadaatravés de uma figura de mérito, de forma a propor os materiais candidatos a atuar como eletrodo frontal dacélula solar. Os óxidos investigados foram divididos em dois grupos: os de baixa resistividade e os de altaresistividade. Eletrodos fabricados com os diversos óxidos foram submetidos a testes de estabilidade térmicanas temperaturas de processamento da célula solar. Os resultados mostraram que os filmes de ZnO e Zn2SnO4são óxidos de alta resistividade ( 0,5 ï—.cm), enquanto que os de SnO2, In2O3, In2O3:Sn, Cd2SnO4 e ZnO:Alsão de baixa resistividade ( 5,0 x 10-3 ï—.cm) e alta transmitância ( 85%). Os filmes de In2O3:Sn e ZnO:Alapresentaram-se como as melhores opções para fabricação dos eletrodos, pois possuem resistividades na faixade 10-3--10-4 ï—.cm e transmitâncias entre 85-92%. No entanto, levando-se em consideração questões decusto e escassez associadas ao índio, filmes de ZnO:Al são os mais adequados para esta aplicação, pois alémde possuírem valores de condutividade e transmitância elevados, apresentaram elevada estabilidade térmicanas temperaturas de processamento da célula