L'Educació per al Consum a l'escola. 'La Educación para el Consumo en la escuela'

Acercar al alumno a la complicada realidad del consumo con el fin de que comprenda, en lo posible, de qué índole son los factores que intervienen en esta realidad socio-económica. Elaborar un proyecto que ayude al maestro a incorporar los contenidos de consumo dentro de la programación escolar. Para la muestra se han escogido 13 escuelas piloto de toda Cataluña, seleccionadas por su diferente tipología. Elección de la muestra. Presentación del programa experimental 'd'Educació per al Consum a l'escola' a las 13 escuelas piloto por medio de unas jornadas. Libre elección de las escuelas de los temas que más se adecuasen a su realidad. Garantizar que entre las 13 escuelas se experimentarían los 10 núcleos temáticos. Realización de la experiencia durante los cursos 1983-84 y 1984-85. Seguimiento de la experiencia por parte de un maestro coordinador. Valoración de la experiencia. Encuesta 'ad hoc' pasada a cada uno de los centros de la muestra. Se realiza un análisis descriptivo de las encuestas para poder determinar diversos aspectos de cada una de las unidades del programa propuesto. El objetivo principal, la experimentación del proyecto, se ha logrado con creces. Hay que destacar las aportaciones de las escuelas. Para dar continuidad al trabajo se propone incorporar los contenidos de consumo dentro del currículum escolar e interconectar los grupos de trabajo de consumo con los grupos de trabajo de salud.CataluñaES

Study of Ge-rich GeSbTe etching process with different halogen plasmas

International audienceChalcogenide materials based on GeSbTe (GST) ternary alloys are patterned using inductively coupled plasma in the manufacturing of phase change memories. The current process challenge is to maintain the GST composition and surface morphology to guarantee the memory performances. In this paper, the authors investigate the etching effects of different halogen plasmas (HBr, CF4, and Cl2) on an optimized Ge-rich GST alloy. Using x-ray photoelectron spectroscopy (XPS) and plasma profiling time-of-flight mass spectrometry as complementary techniques, the authors noticed that the etched GST surface shows a stronger Te-rich damaged layer in the sequence of CF4 > Cl2 > HBr. It is closely related to the higher affinity between halogen and GST elements in the sequence of Ge > Sb > Te. By comparing the etch rates with and without rf bias voltage, HBr etching is shown to be mainly related to the physical ion bombardment. On the contrary, Cl2 plasma is mostly chemical and generates the roughest surface. The presence of a C-F passivation layer with CF4 plasma shows that both chemical reactivity and physical bombardment are necessary to etch efficiently the GST film. The oxidation of the HBr-etched GST surface was monitored by XPS as a function of several air exposure times. As a conclusion, the GST oxidation becomes critical after 24 h of air exposur