Recombinação radiativa de centros profundos em seleneto de zinco dopado com indio, ZnSe:In

Orientador: Eliermes Arraes de MenesesDissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb WataghinResumo: A fotoluminescência do Seleneto de Zinco dopado com Indium (ZnSe:In) foi estudada usando-se diferentes energias das linhas de um laser de Argônio (Ar) e a única linha de um laser de Nitrogênio (N2), como fontes de excitação. No primeiro caso, com energias de excitação menores do que a zona proibida, duas bandas de emissão foram observadas (1,908 eV e 2,015 eV). No segundo, com excitação maior do que a zona proibida, além daquelas duas bandas já observadas encontrou-se uma terceira (1,908 eV, 2,015 eV e 2,233 eV). Esta última (2,233 eV), em principio, deveria ser observada com excitação das linhas do laser de Argônio. O não aparecimento da banda C é justificado através de uma experiência de fotoexcitação, onde a fotoionização de cada nível de impureza que dá origem as bandas (1,908 eV, 2,015 eV e 2,233 eV) depende da energia de excitação. Um modelo semi-qualitativo dos níveis de impurezas dentro da zona proibida de ZnSe é apresentado para explicar os processos de excitação e emissãoAbstract: The photoluminescence of Zinc Selenide doped with Indium (ZnSe:In) was studied using different lines energies of an Argon laser and the single line of a Nitrogen laser, as an excitation sources. In the first case, with excitation energies less than the gap energy, two emission bands were observed (1.908 eV and 2.015 eV). In the second case, with excitation energy greather than the gap, beyond the two bands observed primarely, we observed a third band (1.908 eV, 2.015 eV and 2.233 eV). In principle the last one should be observed with the excitation line of an Argon laser. The non appearance of this band is justified through an experiment of photoexcitation, where the photoionization of each impurity level that is responsable by the band origin (1.908 eV, 2.015 eV and 2.233 eV) depends on the excitation energy. A semi-qualitative model of impurity level, in the gap of ZnSe is presented to explain the excitation and emission processMestradoFísicaMestre em Físic

Analysis of the structure of a hard metal: a simple method of relating properties to stereological structures

Computer simulation of the hard phase of WC-based hard metals is not common in scientific literature. This phase is formed by carbide grains embedded in a metallic matrix. In the equilibrium state, the grain has an equilateral prismatic form with beveled edges. It is nevertheless possible to model stereological aspects of this phase, using a Monte Carlo simulation assuming a prism structure without beveled edges. From the grain's height to width ratio, physical parameters such as grain area and intercept lengths can be calculated. The goal of this work is to present a simple method to obtain this ratio for metallographic samples. One of the results is to establish a relationship between the intercept length and the true size of the grain, which facilitates better understanding of this material's structure