A 23 GHz Active Mixer with Integrated Diode Linearizer in SiGe BiCMOS Technology

Active mixers operating at 23 GHz are designed and fabricated in SiGe technology.An integrated diode linearizer is used to improve the linearity of the mixer.Measurement and simulation show excellent agreement.Typically,10 dB double-sideband noise figure, 10 dBm IIP3 and 2 dB conversion gain are measured, featuring low noise and high linearity in a same design

A 65nm CMOS 1-to-10GHz tunable continuous-time low-pass filter for high-data-rate communications

In this work the Gm-C topology is adopted for its merits at high frequencies. In this technique, two critical parameters should be accounted for: the accuracy of the Q factors of the pole pairs (for correct transfer function) and parasitic capacitances (for maximal cut-off frequency). The former point is influenced by the phase shift of the integrators compounding the filter in the neighborhood of the filter's edge frequency. This phase error is due to two antagonistic effects which are the integrator's finite DC gain and its high-frequency poles/zeros

Current source array

A Silicon On Insulator current source array includes input control for receiving a control voltage, a first reference input for receiving a first reference voltage, and a second reference input for receiving a second reference voltage. A chain of several Silicon On Insulator MOS transistors, of the same type, have control electrodes all connected to the input control, first conduction electrodes are all connected to the first reference input, and second conduction electrodes are respectively connected to the second reference input through several load circuits respectively configured to be traversed by several currents when the several transistors are ON upon application of the control voltage on the input control. An input bias is coupled to a semiconductor well located below an insulating buried layer located below the chain of transistors for receiving a biasing voltage difference

Highly Linear Large Signal Compact Voltage-to-Current Converter in 28 nm FD-SOI Technology

This paper presents the design of a linear wide output range voltage-to-current (V2I) converter which has a constant transconductance value from a given input voltage. The proposed circuit offers a solution with a low footprint (33 \mu \mathrmm\ \mathrmx\ 24\ \mu \mathrmm), low power consumption (34 \mu\mathrmW), and a transconductance variation less than 2%. In this paper, the output current is used to generate a pair of symmetrical voltages, equal in magnitude and opposite in sign, to provide the tuning of a body-controlled ring oscillator. The circuit has been designed and fabricated in 28 nm FD-SOI technology from STMicroelectronics

Accord en fréquence de résonateurs BAW appliqué au filtrage et à la synthèse de fréquence RF

Cette thèse fait l'objet de l'étude de l'accord en fréquence de résonateurs BAW appliqué au filtrage et à la synthèse de fréquence RF en vue de les co-intégrer avec une technologie silicium et ce par le biais d'une technologie BUMP. L'objectif principal est de compenser électroniquement leurs dispersions fréquentielles liées aux imprécisions de leurs procédés de fabrication et à leur sensibilité aux effets thermiques. Après une brève présentation dans le chapitre 1 d'une architecture classique de chaîne de réception zéro-IF WCDMA, cadre de nos travaux, le chapitre 2 présente, plus en détails, la technologie et les modèles des résonateurs BAW qui nous ont permis d'appréhender leur intégration. Les différents modes de filtrage et moyens d'accorder les fréquences caractéristiques de tels résonateurs sont, entre autres, abordés. Le troisième chapitre traite, ensuite, de la conception du filtre accordable en fréquence dont les résultats de mesure sont également exposés. Le chapitre 4 détaillera, quant à lui, le choix de la stratégie d'accord en fréquence du filtre en vue d'une régulation automatique de la fréquence centrale du filtre autour du gabarit du filtre post-LNA de la chaîne de réception WCDMA pour pallier les déviations fréquentielles dont souffrent les résonateurs BAW. Les résultats de mesure témoignent de la faisabilité de la conception d'un accord en fréquences précis et rapide de filtres à 2GHz. Enfin, le chapitre 5 expose une étude de conception de blocs autonomes générant une fréquence de référence dont les mesures placent ce travail à l'état de l'art de par sa compacité, sa consommation et son bruit de phase compatible à celui requis par la norme GSM.LILLE1-BU (590092102) / SudocSudocFranceF

Développement d architectures de filtres à base de résonateurs à ondes acoustiques de volume et contribution à l intégration dans une technologie avancée silicium industrielle pour des applications radio-fréquences

Pour des raisons de coût, de consommation et de volume, l'intégration complète des systèmes de communication apparaît comme un sujet porteur pour l'industrie de la microélectronique. C'est pourquoi, de nouveaux résonateurs à ondes acoustiques de volume (BAW) se développent. Un des avantages de ces résonateurs est la possibilité de les intégrer dans un système complet sur substrat silicium pour des applications de type filtrage. En revanche, il existe des variations dans le procédé de fabrication qui font que les épaisseurs des matériaux déposés fluctuent légèrement. Cela impacte directement la fréquence de résonance des résonateurs et il convient de palier à ces variations si on souhaite réaliser un système intégré. Le sujet de travail de cette thèse s'inscrit dans le cadre de cette réflexion et porte sur l'étude et la réalisation de nouvelles architectures de filtres permettant l'utilisation de résonateurs BAW accordables en fréquence.LIMOGES-BU Sciences (870852109) / SudocSudocFranceF

Théorie des oscillateurs verrouillés par injection

National audienceCe papier présente une généralisation de la théorie de la synchronisation des oscillateurs proposée par Huntoon et Weiss en 1946. Cette théorie permet, entre autre, de prédire avec précision la plage de capture et le comportement dynamique d’un oscillateur verrouillé par injection (OVI) en modélisant l’injection série sur sa charge. Notre nouvelle approche nous offre l’opportunité, tout en continuant à considérer l’oscillateur comme une boite noire, de faire ces prédictions indépendamment de la méthode d’injection. Ainsi, nous disposons d’un outil puissant pour optimiser la conception d’OVI quelles que soient l’architecture et l’approche d’injection choisies