titolo attribuito

Minuta del rettore Asquini riguardo il riconoscimento della funzione universitaria del Regio Istituto Superiore che si trasformerà, quindi, in Regia Università di studi commerciali di Trieste 'Fondatore Pasquale Revoltella'.L'autore della lettera, Alberto Asquini, nel 1924 era rettoreUniversità degli studi di TriesteArchivio storico dell'Università degli studi di Trieste: b. 1, fasc. 1Ministero dell'economia nazional

titolo attribuito

Estratto del verbale di una riunione del Consiglio accademico durante la quale esso delibera di proporre al Ministero l'istituzione di una nuova sezione nel V corso dell'Istituto per gli studenti che volessero specializzarsi nella pubblica amministrazione.L'autore della lettera, Alberto Asquini, era direttore della Scuola superiore di commercio di Trieste. L' estratto del verbale è firmato anche dal segretario.Università degli studi di TriesteArchivio storico della ''Fondazione Revoltella'': b. 19, fasc.

titolo proprio

Il direttore dell'Istituto triestino scrive alla sede milanese della società italo-americana per informarlo dell'adesione dell'Ente alla loro iniziativaL'autore della lettera, Alberto Asquini, era direttore della Scuola superiore di commercio di Trieste. L' estratto del verbale è firmato anche dal segretario.Università degli studi di TriesteArchivio storico della ''Fondazione Revoltella'': b. 22, fasc. 10Italy America society' - Milan

Evaluation of Hydrogen plasma effect in a-Si:H/c-Si interface by means of Surface Photovoltage measurement and FTIR spectroscopy

The amorphous/crystalline silicon technology has demonstrated its potentiality leading to high efficiency solar cells. To enhance the interface quality we investigate the effect of hydrogen plasma and thermal annealing treatments performed on thin amorphous silicon layer deposited over crystalline silicon surface. To this aim we use surface photovoltage technique, as a contact-less tool for the evaluation of the energetic distribution of the state density at amorphous/crystalline silicon interface, and FTIR spectroscopy of the same samples to evaluate the evolution of Si-H and Si-H2 bonds. The surface photovoltage technique results to be very sensitive to the different experimental treatments, and therefore it can be considered a precious tool to monitor and improve the interface electronic quality. We found that thermal annealing produces a metastable state which goes back to the initial state after just 48 hours, while the effect of hydrogen plasma post-treatment results more stable. In particular the latter reduces the defect density of one order of magnitude and keeps constant also after one month. The hydrogen plasma is able to reduce the defect density but at the same time increases the surface charge within the a-Si:H film due to the H+ ions accumulated during the plasma exposure, leading to a more stable configuration