Miniband-related 1.4–1.8 μm luminescence of Ge/Si quantum dot superlattices

The luminescence properties of highly strained, Sb-doped Ge/Si multi-layer heterostructures with incorporated Ge quantum dots (QDs) are studied. Calculations of the electronic band structure and luminescence measurements prove the existence of an electron miniband within the columns of the QDs. Miniband formation results in a conversion of the indirect to a quasi-direct excitons takes place. The optical transitions between electron states within the miniband and hole states within QDs are responsible for an intense luminescence in the 1.4–1.8 µm range, which is maintained up to room temperature. At 300 K, a light emitting diode based on such Ge/Si QD superlattices demonstrates an external quantum efficiency of 0.04% at a wavelength of 1.55 µm

A survey on driver's drowsiness detection methods

Одна из основных причин автомобильных аварий связана с усталостью водителя, поэтому физическое состояние водителя очень важно. Для предотвращения происшествий требуется система мониторинга и контроля усталости водителя, которая бы работала в режиме реального времени. Основная цель этого исследования - построить надежную систему для обнаружения сонливости. Для построения системы исследованы признаки сонливости, такие как длительность закрытия глаза, постепенное закрытие глаза с течением времени, зевания.Работа выполнена при финансовой поддержке гранта РФФИ No 17-29-03112 офи_м