4 research outputs found
PICTS-спектроскопия синтетического НРНТ-алмаза в области температур 300-550 К
The electrically active defects in synthetic single crystals of HPHT diamond have been investigated using photo-induced current transient spectroscopy (PICTS). It has been found that kinetics of photocurrent is of complex nature in the temperature range 400-550 K. Detailed analysis of photocurrent relaxation on the basis of approximation by the sum of two exponential components has been performed. It is shown that their contributions cannot be interpreted as the result of thermal emission from two independent local levels. These defects are suggested to be responsible for the long photocurrent stabilization in detectors made of HPHT diamonds.Методом фотоэлектрической релаксационной спектроскопии исследованы электрически активные дефекты в синтетическом монокристалле НРНТ-алмаза. Обнаружен сложный характер кинетики спада фототока в области 400-550 K. Детальный анализ релаксации фототока проведен на основе приближения суммой двух экспоненциальных компонент. Показано, что их вклады невозможно интерпретировать как результат термоэмиссии носителей заряда с двух независимых локальных уровней. Предполагается, что обнаруженные дефекты определяют долговременные процессы стабилизации тока фотоионизации детекторов на основе НРНТ-алмаза
PICTS-СПЕКТРОСКОПИЯ ГЛУБОКОУРОВНЕВЫХ ЦЕНТРОВ МОНОКРИСТАЛЛА СЕГНЕТОЭЛЕКТРИКА– ПОЛУПРОВОДНИКА TlInS2
В настоящей работе впервые представлены результаты исследований методом фотоэлектрической релаксационной спектроскопии (PICTS) – разновидности нестационарной спектроскопии, использующей световое возбуждение полупроводника,- дефектов монокристаллов TlInS2, легированных эрбием, тербием и бором
PICTS-СПЕКТРОСКОПИЯ ГЛУБОКОУРОВНЕВЫХ ЦЕНТРОВ МОНОКРИСТАЛЛА СЕГНЕТОЭЛЕКТРИКА– ПОЛУПРОВОДНИКА TlInS2
В настоящей работе впервые представлены результаты исследований методом фотоэлектрической релаксационной спектроскопии (PICTS) – разновидности нестационарной спектроскопии, использующей световое возбуждение полупроводника,- дефектов монокристаллов TlInS2, легированных эрбием, тербием и бором