В настоящей работе впервые представлены результаты исследований методом фотоэлектрической релаксационной спектроскопии (PICTS) – разновидности нестационарной спектроскопии, использующей световое возбуждение полупроводника,- дефектов монокристаллов TlInS2, легированных эрбием, тербием и бором