Клинико-иммунологические маркеры генерализованных инфекций у новорожденных в зависимости от степени зрелости организма

.При врожденных генерализованного типа ДНК-вирусных инфекциях как у доношенных, так и недоношенных новорожденных регистрируется полиорганный системный характер поражения в виде фетального гепатита с явлениями холестаза, менингоэнцефалита, тубулоинтерстициального нефрита, пневмонии. Наряду с этим от 30 до 50% детей имеют поражения желудочно-кишечного тракта в форме ЯНЭК, геморрагического синдрома, до 30% пациентов формируют синдром полиорганной недостаточности. В показателях гемограммы при генерализован¬ных вирусных инфекциях изменения касаются во всех случаях эритроидного и тромбоцитарного ростков, характеризуясь прогрессирующей анемией и тромбоцитопенией. Вместе с тем изменения уровня лейкоцитов не носят постоянного характера, не отклоняясь от нормативных показателей либо формируя нейтро- и лейкопению. Уровни про- и противоспалительных цитокинов повышаются у всех пациентов с генерализованными вирусными инфекциями, по определенным показателям уровень провоспалительных цитокинов у доношенных новорожденных достоверно выше, чем у недоношенных. Наряду с этим как у недоношенных детей, так и доношенных новорожденных отмечены достоверно более высокие показатели ИФН-у, чем ИЛ-1β, однако у недоношенных детей его уровень также был достоверно ниже, чем у доношенных. Таким образом, полученные данные свидетельствуют о том, что характер течения инфекционного процесса при ДНК-вирусных инфекциях у новорожденных является генерализованным, что определяется как фазой течения инфекционного процесса, иммуно-компетентностью организма, зависящей от степени зрелости организма, так и свойствами возбудителей, которые в ходе эволюции приобрели способность ускользать от системы иммунного надзора и способность завуалироваться, определяя рецидивирующее либо персистирующее течение врожденных вирусных инфекций

Current and capacitance hysteresis in porous semiconductor nanofilms

At present, the study of complex electrophysical characteristics of semiconductor nanofilaments and nanofilms is of interest: the presence of non-monotonic oscillating characteristics with memory, areas of negative differential resistance. The aim of this work is to experimentally study both the volt-ampere and volt-farad characteristics of semiconductor nanoporous structures. The studied samples of porous silicon with the p-n structure were obtained by electrochemical etching. Single-crystal silicon with a p – n+ junction was used as the initial substrate. The NI EL VIS II+ educational platform and the Agilent E4980A instrument were used to study the electrophysical characteristics. To measure the dependence of current on voltage, as well as capacitance on voltage, Inga contacts with a thickness of 370 nm each were applied to nanoporous films. Thus, in this work, the phenomena of current switching, hysteresis behavior of current, and capacitance of porous silicon nanofilms are experimentally studied. It was found that these effects are amplified by a factor of 3-4 when the films are irradiated with an infrared laser. The results of this work can be used in the field of nanotechnology to improve memory and sensory elements. The established experimental facts can serve as a basis for constructing physical theories