ELECTRON SPIN RESONANCE INVESTIGATION OF THE EFFECTS OF THE H2+ IMPLANTATION AND DIFFUSION ONE THE LASER INDUCED DEFECTS IN VIRGIN SILICON

Electron paramagnetic resonance of the defects induced by laser annealing at high power density (2 J/cm-2) has been investigated in virgin FZ semi-insulating Silicon. A further H2+ implantation and diffusion is inactive on the signal observed at gx = 2.0055 ± 0.0005. This is consistent with the attribution of X to the dangling bonds, created by the mechanical stresses during the thermal shock, as they are not passivated by molecular hydrogen

Positron lifetime measurements on neutron‐irradiated InP crystals

Neutron‐irradiated InP single crystals have been investigated by positron‐lifetime measurements. The samples were irradiated with thermal neutrons at different fluences yielding concentrations for Sn‐transmuted atoms between 2×1015 and 2×1018 cm−3. The lifetime spectra have been analyzed into one exponential decay component. The mean lifetimes show a monotonous increase with the irradiation dose from 246 to 282 ps. The increase in the lifetime has been associated to a defect containing an Indium vacancy. Thermal annealing at 550 °C reduces the lifetime until values closed to those obtained for the as‐grown and conventionally doped InP [email protected] ; [email protected]

E. P. R. characterization of p-type as grown and Cl-compensated THM grown CdTe

Electron paramagnetic signals have been observed in high resistivity p-type CdTe. At 4 K, beside transition ion signals, a strong light-induced g = 1.830 ± 0.002 line is observed in as-grown CdTe, and, even without illumination, a signal at g = 2.003 ± 0.001 appears in heavily-doped CdTe.Des signaux de résonance paramagnétique électronique ont été observés dans du CdTe de haute résistivité, de type p ; à 4 K, on observe toujours des raies dues aux ions de transition. Dans le matériau non dopé il apparaît, sous illumination, une raie intense à g = 1,830 ± 0,002. Dans CdTe, fortement dopé au Cl, une raie à g = 2,003 ± 0,001 est déjà présente sans excitation

Résonance paramagnétique de défauts générés par irradiation neutronique dans l'arséniure de gallium

Electron paramagnetic spectra of fast neutron irradiated GaAs, obtained in the 4.2-300 K temperature range, have been analysed in terms of a quadruplet, whose parameters are constrained to the As4+Ga model, and a singlet. The temperature variation of the quadruplet hyperfine constant and the intensity, which does not follow a Curie law, are ascribed to an exchange interaction between As 4+Ga and an associated defect, like related to the singlet line. The generation rate corresponds to some 102 complex defects per absorbed fast neutron.Nous avons utilisé les spectres de résonance paramagnétique obtenus entre 4,2 et 300 K sur GaAs après irradiation aux neutrons rapides, en décomposant le spectre expérimental en un quadruplet contraint aux paramètres du modèle As4+Ga et un singulet. La variation de la constante hyperfine du quadruplet et celle de l'intensité, anormale par rapport à une loi de Curie, ont été attribuées à un effet d'échange entre As4+Ga et un défaut associé, responsable du singulet. Le rendement de création de ce complexe est de 10 2 par neutron rapide absorbé

Utilisation des mesures magnétiques pour l'étude de la luminescence anorganique

Different magnetic measurements on luminescent centers are described : static magnetic susceptibility studies, E.P.R. on ground and excited states, Zeeman effect, optical and radiofrequency double resonance in a magnetic field. We emphasize the need for simultaneous measurements of magnetic effects and luminescence.Nous décrivons les divers types d'études magnétiques exécutées sur des centres luminogènes : mesure de la susceptibilité magnétique statique, résonance paramagnétique sur les états fondamentaux et excités, effet Zeeman, double résonance optique et hertzienne en présence d'un champ magnétique. Nous insistons sur l'importance des mesures simultanées des effets magnétiques et de la luminescence

TRANSITION METAL IONS AS STOICHIOMETRY SENSORS OF CuGaS2

Le mécanisme global de la compensation de la stoechiométrie du CuGaS2 par le changement de valence d'ions de métaux de transition a été étudié. A cet effet, Ni et Fe ont été utilisés comme sondes de l'état d'oxydation de la matrice, en raison de la contamination initiale du matériau par ces impuretés. Les changements de valence sont observés soit par résonance paramagnétique électronique soit par absorption Mössbauer. En présence d'un excès de soufre, la valence du fer augmente en premier lieu, suivie par celle du nickel. Le processus se poursuit par la création de centres intrinsèques, liés à la lacune de cuivre. Ces résultats sont discutés dans le cadre d'un modèle simple de défauts du CuGaS2.The overall stoichiometry compensation through transition ion valency changes has been studied in CuGaS2. For this purpose, Ni and Fe were used as ionic sensors of the matrix state, as these impurities are already present in the as-grown material. The valency changes could be observed either by electron spin resonance or Mössbauer absorption. With increasing sulphur content, the valency of Fe increases first, followed by that of Ni. Further compensation is achieved by creation of intrinsic hole excess centres, associated with the copper vacancy. The experimental results are discussed within the framework of a simple defect chemistry model of CuGaS2