Efeito de cobertura verde com leguminosa perene na supressão da infestação de plantas daninhas do café em produção.

O objetivo deste trabalho foi avaliar o potencial de controle de espécies leguminosas perenes sobre as plantas daninhas do café (Coffea arabica) em produção. O experimento foi instalado em Patrocínio-MG, utilizando-se uma lavoura de café com idade de 8 anos, variedade catuaí, linhagem IAC-99, tendo espaçamento de 3,80 x 0,70m. Foram aplicados 10 tratamentos em esquema fatorial 4x2+2: 4 espécies de leguminosas perenes: (Arachis pintoi, Macrotyloma axillare, Neonotonia wightii e Calopogonium mucunoides); 2 espaçamentos de plantio das leguminosas (2 linhas de 0,50 m e 3 linhas entre 0,25 m) e 2 tratamentos adicionais de controle das plantas daninhas (capina manual e controle químico). O delineamento foi de blocos casualizados com 4 repetições. Não houve efeito do espaçamento de plantio das leguminosas na cobertura do solo, na infestação de plantas daninhas e no índice produtivo do café. No geral as leguminosas proporcionaram menor infestação das plantas daninhas, comparadas à capina manual e controle químico, sendo que no primeiro ano as espécies Macrotyloma axillare, Calopogonium mucunoides e Arachis pintoi obtiveram menores infestações, porém no segundo ano de condução do experimento, as espécies Macrotyloma axillare e Neonotonia wightii seguida pelo Arachis pintoi foram as que apresentaram menores infestações de plantas daninhas. Na cobertura do solo pelas leguminosas, inicialmente no primeiro ano, a espécie Arachis pintoi apresentou uma taxa de cobertura inferior às demais, porém no segundo ano essa espécie foi superior. Dentre as espécies de plantas daninhas identificadas, independente do tratamento utilizado, o picão-preto (Bidens pilosa) foi o mais freqüente, tanto no primeiro como no segundo ano. Não houve interferência das espécies leguminosas no índice produtivo do café

Enhanced SnS phase purity of films produced by rapid thermal processing of SnS2 precursors

In this work, we present a procedure to grow single phase SnS thin films consisting on the annealing of RF magnetron sputtered SnS2 precursors . A series of samples was produced by rapid thermal processing of precursors deposited both on bare and Mo coated glass. For those samples the time at maximum temperature and heating rate were variedN/

Various routes for low temperature RFmagnetron sputtering of Indium Tin Oxide films

In this work we have studied the influence of the Ar working pressure, substrate temperature, low power plasma irradiation and partial pressure of hydrogen in the RF-magnetron sputtering of indium tin oxide (ITO) thin films on glass substrates. This work aims at identifying the best conditions to achieve good quality ITO film at low temperature. Four sets of samples were prepared which were characterized by scanning electron microscopy, X-ray diffraction (XRD), Van der Pauw, transmittance and absorbance measurementsN/

Growth and Characterization of single phase SnS thin films by sulphurization of sputtered sulphide precursors

Single-phase SnS thin films have been grown on soda-lime glass substrates based on the sulphurization of RF-magnetron sputtered SnS2 precursors. Two different approaches to sulphurization were compared and thoroughly studied. The two series of identical precursors were sulphurized in the same furnace, inside a graphite box with and without elemental sulphur evaporation. Different maximum sulphurization temperatures, in the range 300ºC to 570ºC, were tested. Sulphurization of SnS2 precursors in a graphite box with and without sulpur vapour at high temperature produces SnS films which appear to be single-phase from the structural analysis. The studies show that the direct absorption transitions of SnS are at 1.41 eV and 1.68 eV for sulphurization in graphite box with and without elemental sulphur evaporation, respectively. The indirect absorption transition values varied from 1.49 eV e 1.37 eV.N/

Tradução de interfaces de aplicações para idiomas distintos.

Este documento apresenta o esquema de tradução proposto para as telas de entrada de dados do banco de dados de experimentos em manejo de fertilizantes para cana-de-açúcar.bitstream/CNPTIA/10193/1/comtec54.pdfAcesso em: 30 maio 2008

Porta-enxertos para laranjeiras-doces (Citrus sinensis (L.) OSB.), em Rio Branco, Acre.

O objetivo deste trabalho foi de avaliar o comportamento de sete cultivares de laranjeiras-doces: 'Baia 101', 'Baianinha IAC 79', 'Monte Parnaso', 'Pêra D6', 'Natal 112', 'Valência 27' e 'Aquiri', sobre diferentes porta-enxertos: limão 'Cravo', tangerinas 'Cleópatra' e 'Sunki' e citrange 'Carrizo', nas condições edafoclimáticas de Rio Branco, Acre. O delineamento experimental foi em parcelas subdivididas, com as cultivares nas parcelas, os porta-enxertos nas subparcelas e os quatro anos de avaliação como repetições. As laranjeiras 'Pêra D6', 'Natal 112' e 'Valência 27' apresentaram tendências de maior produção quando enxertadas sobre o limão 'Cravo', e a laranja 'Aquiri' quando enxertada sobre citrange 'Carrizo'. Em relação aos demais porta-enxertos, o limão 'Cravo' mostrou tendências de induzir maior produção/volume de copa e peso médio do fruto, e menor teor de sólidos solúveis totais e acidez total. As laranjas do grupo Baia ('Baia 101', 'Baianinha IAC 79' e 'Monte Parnaso') produziram frutos com baixa percentagem de suco; não são recomendadas para plantio em Rio Branco, AC. Com base nos resultados obtidos, recomendam-se os porta-enxertos citrange 'Carrizo', tangerina 'Cleópatra' e limão 'Cravo' para a laranja 'Aquiri', e o porta-enxerto limão 'Cravo' para as laranjas 'Pêra D6', 'Natal 112' e 'Valência 27'