Компьютерное моделирование светодиодного осветителя с фоконной оптикой для видеопроектора

Computer modeling and research of various variants of construction of light-diode illuminators for single-matrix LCD-video projector using inconsistent optical components are performed. The use of such components enables to form a light beam with the necessary parameters to align with the subsequent optical system. Computer modeling has allowed presents the analysis and evaluate the performance of the system developed in the design phase, and in some cases, and optimize it.Выполнено компьютерное моделирование и исследование различных вариантов построения светодиодных осветителей для одноматричного LCD-видеопроектора с использованием непоследовательных оптических компонентов. Применение таких компонентов позволяет сформировать световой пучок с необходимыми параметрами для согласования с последующей оптической системой. Компьютерное моделирование позволило проанализировать и оценить характеристики разрабатываемой системы на этапе проектирования, а в некоторых случаях и оптимизировать ее

КРЕМНИЙ-ГЕРМАНИЕВЫЕ ПРИБОРНЫЕ НАНОСТРУКТУРЫ ДЛЯ ПРИМЕНЕНИЯ В ОПТОЭЛЕКТРОНИКЕ

Influence of technological parameters (temperature of substrate, number of Ge layers, ion treatment) on optical properties of Si/Ge nanostructures with Ge quantum dots have been studied. The Raman scattering lines related to the Si-Si, Ge-Ge and Si-Ge vibration modes have been detected in the Raman spectra of Si/Ge nanostructures. A significant enhancement of intensity of luminescence band at 0.8 eV related with radiative recombination on Ge quantum dots is observed after hydrogen-plasma ion treatment of Si-Ge nanostructures. It is important for increasing of the luminescence quantum efficienty of devices on the base of Si nanolayer with Ge quantum dots.Исследовано влияние технологических параметров (температура подложки, количество слоев Ge, ионная обработка) на оптические свойства Si/Ge наноструктур с квантовыми точками Ge. В спектрах комбинационного рассеянии света Si/Ge наноструктур наблюдались линии, связанные с Si-Si, Ge-Ge и Si-Ge колебательными модами. Обработка Si/Ge наноструктур в плазме водорода приводит к изменению спектральной формы и значительному увеличению интенсивности полосы люминесценции в области энергии 0,8 эВ, связанной с излучательной рекомбинацией неравновесных носителей заряда (электронов, дырок) на квантовых точках Ge, что важно для повышения квантового выхода люминесценции приборных структур, создаваемых на основе нанослоев Si и квантовых точек Ge

Computer Modeling of the LED Lighter with Fokonny Optics for a Video Projector

Computer modeling and research of various variants of construction of light-diode illuminators for single-matrix LCD-video projector using inconsistent optical components are performed. The use of such components enables to form a light beam with the necessary parameters to align with the subsequent optical system. Computer modeling has allowed presents the analysis and evaluate the performance of the system developed in the design phase, and in some cases, and optimize it

SILICON-GERMANIUM NANOSTRUCTURES WITH GERMANIUM QUANTUM DOTS FOR OPTOELECTRONIC APPLICATIONS

Influence of technological parameters (temperature of substrate, number of Ge layers, ion treatment) on optical properties of Si/Ge nanostructures with Ge quantum dots have been studied. The Raman scattering lines related to the Si-Si, Ge-Ge and Si-Ge vibration modes have been detected in the Raman spectra of Si/Ge nanostructures. A significant enhancement of intensity of luminescence band at 0.8 eV related with radiative recombination on Ge quantum dots is observed after hydrogen-plasma ion treatment of Si-Ge nanostructures. It is important for increasing of the luminescence quantum efficienty of devices on the base of Si nanolayer with Ge quantum dots

Problems of agricultural recultivation of man-made landscapes of Kansk-Achinsk fuel-economy complex

The article deals with the problems of creation of artificial soils (technozems) on the surface of the dumps formed as a result of coal mining. It was found that in the course of creation of technozems by piling of preliminarily removed fertile soil layer (PRFSL) the degradation of agrophysical and agrochemical properties occurred in PRFSL. For effective rehabilitation of the lands in question the reclamative stage for technozems development is necessary. At this stage the agrotechnical measures directed to rehabilitation of favorable indices of agrophysical and humus state status in the piled layer should be implemented. Only after carrying out reclamative stage the plots under rehabilitation can be effectively used in agriculture.В статье рассматриваются проблемы создания искусственных почв-техноземов на поверхности отвалов, образованных в результате добычи угля. В ходе проведенных исследований установлено, что в процессе создания техноземов путем отсыпки предварительно снятого плодородного слоя почвы (ПСП) происходит деградация агрофизических и агрохимических свойств ПСП. Для эффективного восстановления рекультивированных земель необходимо проведение мелиоративного этапа освоения техноземов, на котором должны выполняться агротехнические мероприятия, направленные на восстановление благоприятных показателей агрофизического и гумусового состояния в насыпном слое. Только после проведения мелиоративного этапа рекультивированные участки можно эффективно использовать в сельскохозяйственном производстве

Soil-ecologacal condition of man-made landscapes at Novokuznetsky industrial knot

The processes of soil formation on man-made objects perform a great theoretical interest, having significance for the problem of evolution of soils and soil cover. The research of features of the vegetation cover, as well as definitions of the different types of embryozems, formed at the tailing dumps and heaps urban areas of Western Siberia, succeeded in the assessment of soilecological condition of man-made landscapes.Процессы почвообразования на техногенных объектах представляют большой теоретический интерес, затрагивающий проблему эволюции почв и почвенного покрова. В результате исследования особенностей растительного покрова, а также определения площадей различных типов эмбриоземов, формирующихся на хвостохранилищах и породных отвалах урбанизированных территорий Западной Сибири, удалось провести оценку почвенно-экологического состояния техногенных ландшафтов