Поверхностно-барьерные структуры на основе твердых растворов (In 2 S 3 ) х •(AgIn 5 S 8 ) 1–х

Single crystals of solid solutions (In2S3)x⋅ (AgIn5S8)1–x were grown by the method of directional crystallization of the melt (Bridgman method). Studies of the elemental composition and crystal structure of these single crystals have been carried out. On the basis of solid solutions (In2S3)x⋅ (AgIn5S8)1–x, photosensitive structures have been created for the first time and the photoelectric properties of these structures have been determined. The possibility of using the created structures as broadband photoconverters of optical radiation is shown.Методом направленной кристаллизации расплава (метод Бриджмена) выращены монокристаллы твердых растворов (In2S3)x·(AgIn5S8)1–x, проведены исследования элементного состава, кристаллической структуры и удельного сопротивления. На основе выращенных монокристаллов созданы фоточувствительные структуры In/(In2S3)x·(AgIn5S8)1–x и определены фотоэлектрические свойства данных структур. Показана возможность использования созданных структур в качестве широкополосных фотопреобразователей оптического излучения

Температурная зависимость ширины запрещенной зоны монокристаллов AgIn7S11

AgIn7S11 single crystals are herein grown by the vertical Bridgman method. The composition of the obtained single crystals is determined by X-ray microprobe analysis as well as the crystal structure – by X-ray diffraction analysis. It is shown that the obtained single crystals are crystallized in the cubic spinel structure. Using transmission spectra in the tem- perature range 10–320 K we determined the band gap of these single crystals and plotted its temperature dependence. This dependence is similar to that of the majority of semiconductor materials, namely, Eg increases with decreasing the tempera- ture. We showed the agreement of the calculated and experimental values.Вертикальным методом Бриджмена выращены монокристаллы AgIn7S11. Методом рентгеноспектрального анализа определен их состав, рентгеновским методом – кристаллическая структура. Показано, что полученные монокристаллы кристаллизуются в кубической структуре шпинели. По спектрам пропускания в интервале температур 10–320 К определена ширина запрещенной зоны указанных монокристаллов и построена ее температурная зависимость. Данная зависимость имеет вид, характерный для большинства полупроводниковых материалов: с понижением температуры Eg возрастает. Показано, что расчетные и экспериментальные величины согласуются между собой

Methods for obtaining volume structures of joints groups AⅠ In5S8)1-x – (In2S3)x

Получения высококачественных полупроводников соединений группы (AIIn5S8)1-x - (In2S3)x пригодных для использования в опто- и наноэлектронике является актуальной научной задачей полупроводниковой техники. Процесс роста кристаллов данных соединений можно разделить на два этапа: на первом этапе проводится синтез поликристаллических слитков из элементарных компонентов; на втором этапе проводится выращивание монокристаллов из шихты полученных поликристаллических слитков. Как для первого, так и для второго этапа существуют различные способы их реализации, обладающие своими достоинствами и недостатки. В данной статье рассмотрены оптимальные методы синтеза и выращивания объемных и гомогенных монокристаллов соединений группы (AIIn5S8)1-x - (In2S3)x пригодных для использования в полупроводниковой технике. The production of high-quality semiconductors of the(AIIn5S8)1-x - (In2S3)x group compounds, suitable for use in opto- and nanoelectronics, is an urgent scientific task of semiconductor technology. The process of crystal growth of these compounds can be divided into two stages: at the first stage, polycrystalline ingots are synthesized from elementary components; at the second stage, single crystals are grown from the charge of the obtained polycrystalline ingots. Both for the first and for the second stage, there are various ways of their implementation, which have their own advantages and disadvantages. This article discusses the optimal methods for the synthesis and growth of bulk and homogeneous single crystals of compounds of the (AIIn5S8)1-x - (In2S3)x groups, suitable for use in semiconductor technology